Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2007
• Автори: Ковальчук, И.К., Левенец, В.В., Омельник, А.П., Щур, А.А., Широков, Б.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2007
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98831
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD / И.К. Ковальчук, В.В. Левенец, А.П. Омельник, А.А. Щур, Б.М. Широков // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 3-4. — С. 197–202. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Метод ХРИ и деконволюционная процедура на основе алгоритма максимального правдоподобия была применена для неразрушающего 3D исследования образцов сплава Si-Ge, полученного методом CVD. Показано, что разработанная технология позволяет изучать локальное распределение элементов и определять профили ко...