Формування гетерофазних наноструктур на основі селеніду індію, їх фізичні властивості та можливості практичного застосування

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2007
• ISSN: 1999-8074
• Hauptverfasser: Войтович, С.А., Григорчак, І.І., Аксіментьєва, О.І., Міцов, М.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2007
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98835
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Формування гетерофазних наноструктур на основі селеніду індію, їх фізичні властивості та можливості практичного застосування / С.А. Войтович, І.І. Григорчак, О.І. Аксіментьєва, М.М.Міцов // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 3-4. — С. 222–227. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.

Отримано наноструктури селеніду індію, з включенням нанопрошарків нітриду натрію та наступним заміщенням їх на електроактивні полімерні прошарки. Проаналізовано зміну частотних залежностей питомого опору, діелектричної проникливості,тангенса кута втрат та параметрів домішкового енергетичного спектру Получены наноструктуры селенида индия, с
 включением нанослоев нитрида натрия и последующим замещением их на электроактивные
 полимерные прослойки. Проанализировано изменение частотных зависимостей удельного сопротивления, диэлектрической проницаемости,
 тангенса угла потерь и параметров примесного
 энергетического спектра. In Se nanostructures with NaNO2
 nanolayers impurities
 and their sequent substitution by electroactive
 polymer layers were obtained. The variation
 of frequency dependence of the specific resistance,
 the permittivity, the tangent of loss angle and impurity
 energetic spectrum parameters has been
 studied.