Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2010
• Автори: Абдурахманов, Б.М., Олимов, Л.О., Абдуразаков, Ф.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98848
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда / Б.М. Абдурахманов, Л.О. Олимов, Ф. Абдуразаков // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 72–76. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Экспериментально исследованы микроструктура и морфология границ зерен поликристаллического кремния полученного разными способами. Поверхность зерен размером 100 –
 300 мкм изобилует выступами и микропустотами размером ∼ 10 мкм. На межзеренных границах
 имеются скопления примесей, определяющие совместно с зарядовыми состояниями ход температурной зависимости удельного сопротивления поликристаллического кремния. Експериментально досліджена мікроструктура та морфологія границь зерен полікристалічного
 кремнію отриманого різними способами. Поверхня зерен розміром 100 – 300 мкм покрита
 численними виступами та мікропорожнечами розміром ∼ 10 мкм. На міжзерених границях
 присутні скупчення домішок, що визначають разом із зарядовими станами хід температурної
 залежності питомого опору полікристалічного кремнію. Experimentally studied the microstructure and morphology of grain boundaries of polycrystalline
 silicon obtained by different methods. The surface of the grain size of 100 – 300 microns is replete
 with bumps and micro-sized voids? ∼ 10 microns. In between the grain boundaries are accumulations
 of impurities that determine the charge states with the temperature dependence of resistivity of
 polycrystalline silicon.