Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда

Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда

Экспериментально исследованы микроструктура и морфология границ зерен поликристаллического кремния полученного разными способами. Поверхность зерен размером 100 – 300 мкм изобилует выступами и микропустотами размером ∼ 10 мкм. На межзеренных границах имеются скопления примесей, определяющие совмес...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2010
Hauptverfasser: Абдурахманов, Б.М., Олимов, Л.О., Абдуразаков, Ф.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98848
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда / Б.М. Абдурахманов, Л.О. Олимов, Ф. Абдуразаков // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 72–76. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98848
record_format dspace
spelling Абдурахманов, Б.М.
Олимов, Л.О.
Абдуразаков, Ф.
2016-04-18T16:19:06Z
2016-04-18T16:19:06Z
2010
Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда / Б.М. Абдурахманов, Л.О. Олимов, Ф. Абдуразаков // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 72–76. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
1999-8074
PACS: 61.82.Fk; 61.72.Mm; 73.61.-r; 73.63.-b; 68.55.Ln; 61.72.-y; 61.72.Ff; 61.72.Hh; 61.72.Qq; 61.72.S-; 61.72.sd; 61.72.sh; 64.75.Qr; 64.75.St; 68.37.-d; 73.90.+f.
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98848
Экспериментально исследованы микроструктура и морфология границ зерен поликристаллического кремния полученного разными способами. Поверхность зерен размером 100 – 300 мкм изобилует выступами и микропустотами размером ∼ 10 мкм. На межзеренных границах имеются скопления примесей, определяющие совместно с зарядовыми состояниями ход температурной зависимости удельного сопротивления поликристаллического кремния.
Експериментально досліджена мікроструктура та морфологія границь зерен полікристалічного кремнію отриманого різними способами. Поверхня зерен розміром 100 – 300 мкм покрита численними виступами та мікропорожнечами розміром ∼ 10 мкм. На міжзерених границях присутні скупчення домішок, що визначають разом із зарядовими станами хід температурної залежності питомого опору полікристалічного кремнію.
Experimentally studied the microstructure and morphology of grain boundaries of polycrystalline silicon obtained by different methods. The surface of the grain size of 100 – 300 microns is replete with bumps and micro-sized voids? ∼ 10 microns. In between the grain boundaries are accumulations of impurities that determine the charge states with the temperature dependence of resistivity of polycrystalline silicon.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда
spellingShingle Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда
Абдурахманов, Б.М.
Олимов, Л.О.
Абдуразаков, Ф.
title_short Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда
title_full Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда
title_fullStr Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда
title_full_unstemmed Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда
title_sort микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда
author Абдурахманов, Б.М.
Олимов, Л.О.
Абдуразаков, Ф.
author_facet Абдурахманов, Б.М.
Олимов, Л.О.
Абдуразаков, Ф.
publishDate 2010
language Russian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
description Экспериментально исследованы микроструктура и морфология границ зерен поликристаллического кремния полученного разными способами. Поверхность зерен размером 100 – 300 мкм изобилует выступами и микропустотами размером ∼ 10 мкм. На межзеренных границах имеются скопления примесей, определяющие совместно с зарядовыми состояниями ход температурной зависимости удельного сопротивления поликристаллического кремния. Експериментально досліджена мікроструктура та морфологія границь зерен полікристалічного кремнію отриманого різними способами. Поверхня зерен розміром 100 – 300 мкм покрита численними виступами та мікропорожнечами розміром ∼ 10 мкм. На міжзерених границях присутні скупчення домішок, що визначають разом із зарядовими станами хід температурної залежності питомого опору полікристалічного кремнію. Experimentally studied the microstructure and morphology of grain boundaries of polycrystalline silicon obtained by different methods. The surface of the grain size of 100 – 300 microns is replete with bumps and micro-sized voids? ∼ 10 microns. In between the grain boundaries are accumulations of impurities that determine the charge states with the temperature dependence of resistivity of polycrystalline silicon.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98848
citation_txt Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда / Б.М. Абдурахманов, Л.О. Олимов, Ф. Абдуразаков // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 72–76. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT abdurahmanovbm mikrostrukturamežzerennyhgranicvpolikristalličeskomkremniiieevliânienaperenosnositeleizarâda
AT olimovlo mikrostrukturamežzerennyhgranicvpolikristalličeskomkremniiieevliânienaperenosnositeleizarâda
AT abdurazakovf mikrostrukturamežzerennyhgranicvpolikristalličeskomkremniiieevliânienaperenosnositeleizarâda
first_indexed 2025-12-07T20:33:46Z
last_indexed 2025-12-07T20:33:46Z
_version_ 1850883049307242496

Ähnliche Einträge