Buchumschlag

Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда

Экспериментально исследованы микроструктура и морфология границ зерен поликристаллического кремния полученного разными способами. Поверхность зерен размером 100 – 300 мкм изобилует выступами и микропустотами размером ∼ 10 мкм. На межзеренных границах имеются скопления примесей, опр...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физическая инженерия поверхности
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Абдурахманов, Б.М., Олимов, Л.О., Абдуразаков, Ф.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98848
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда / Б.М. Абдурахманов, Л.О. Олимов, Ф. Абдуразаков // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 72–76. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Переключение тока и напряжения при нагреве беспереходного поликристаллического кремния, легированного щелочными металлами в области межзеренных границ
von: Олимов, Л.О., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния
von: Олимов, Л.О., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние заряда подложки на перенос поверхностных электронов над гелием в условиях квазиодномерности
von: Николаенко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние поверхности на перенос заряда в тонких металлических пленках на основе непереходных металлов
von: Бигун, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Аномальный перенос заряда в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием
von: Гладченко, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ
von: Aзaренков, Н.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций
von: Богословский, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Распределение кислорода в монокристаллах кремния и его влияние на время жизни неравновесных носителей заряда
von: Червоный, И.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Подвижность носителей в случае диффузного движения при конфигурационной перестройке дивакансий в кремнии
von: Долголенко, А.П.
Veröffentlicht: (2014)

Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
von: Кириченко, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа
von: Коршунов, Ф.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Сверхструктуры 2√2 × 2√2 и перенос заряда в YBa₂Cu₃O₆₊x
von: Мамалуй, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

К теории взаимодействия делокализованных носителей заряда с магнитными возбуждениями в высокотемпературных сверхпроводниках
von: Локтев, В.М., et al.
Veröffentlicht: (1995)

О квантовой природе носителей заряда в псевдощелевом состоянии недостаточно допированных купратных ВТСП
von: Сергеева, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Сверхпроводимость в квазидвумерных неадиабатических системах с произвольной плотностью носителей заряда при T = 0
von: Палистрант, М.Е.
Veröffentlicht: (2003)

Перенос носителей в квазиодномерных электронных системах над жидким гелием в условиях сильной локализации
von: Хидеки Яяма, et al.
Veröffentlicht: (1997)

Микроструктура стали как определяющий параметр при прогнозе ее механических характеристик
von: Большаков, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Граничная диффузия гетерокатионов в поликристаллическом слое СuСl
von: Ларин, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Сверхпроводимость в примесных системах с пониженной плотностью носителей заряда и сильными электронными корреляциями
von: Палистрант, М.Е.
Veröffentlicht: (2002)

О возможности оценки положения порога подвижности для носителей заряда с использованием одночастичных средних
von: Скрипник, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Автоволны локализации пластического течения и соотношение Холла—Петча в поликристаллическом Al
von: Зуев, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
von: Kushnirenko, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Критическая температура и предельная концентрация носителей заряда в плоскостях CuO₂ в медьсодержащих ВТСП
von: Сухаревский, Б.Я., et al.
Veröffentlicht: (1995)

Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Солнечный кремний
von: Шаповалов, В.А.
Veröffentlicht: (2014)

Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов
von: Олимов, Л.О., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Газочувствительные структуры "силицид кобальта – пористый кремний – кремний"
von: Belousov, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Квантовые и поверхностные состояния носителей заряда в оптических спектрах нанокластеров в матрице с низкой диэлектрической постоянной
von: Бондарь, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Микроструктура паяных соединений алюминидов никеля
von: Максимова, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
von: Hasanov, G. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
von: Маматкаримов, О.О., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках
von: Даунов, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
von: Гасанов, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей
von: Кириченко, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии
von: Варенцов, М.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Влияние различных носителей магнезии на производство офлюсованного железорудного агломерата
von: Нестеров, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
von: Кульбачинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)