Формирование регулярной пористой структуры р-InP

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2010
• Main Authors: Сычикова, Я.А., Кидалов, В.В., Сукач, Г.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98850
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в
 растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получены образцы с диаметром пор 30 – 40 нм.
 Формирование окисного слоя на поверхности кристаллов не наблюдалось, что является желаемым результатом при получении наноматериалов. Показано необхідність використання освітлення зразків р-InP під час анодизації в розчині соляної кислоти для одержання рівномірного ансамблю пор на поверхні досліджуваного кристала.
 Визначено оптимальні умови для формування регулярної структури пористого шару фосфіду
 індію р-типу. Отримані зразки з діаметром пор 30 – 40 нм. Формування окисного шару на поверхні кристалів не спостерігалося, що є бажаним результатом при одержанні наноматериалів. The necessity of lighting p-InP samples during anodization in a solution of hydrochloric acid to obtain
 a uniform ensemble of pores on the surface of the crystal. The optimal conditions for the formation
 of regular structure of the porous layer of indium phosphide p-type. Obtain samples with a pore diameter
 of 30 – 40 nm. The formation of the oxide layer on the surface of the crystals was not observed,
 which is the desired outcome in obtaining nanomaterials.