Формирование регулярной пористой структуры р-InP
Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получ...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98850 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98850 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. 2016-04-18T16:20:30Z 2016-04-18T16:20:30Z 2010 Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98850 539.217; 544.723 Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получены образцы с диаметром пор 30 – 40 нм. Формирование окисного слоя на поверхности кристаллов не наблюдалось, что является желаемым результатом при получении наноматериалов. Показано необхідність використання освітлення зразків р-InP під час анодизації в розчині соляної кислоти для одержання рівномірного ансамблю пор на поверхні досліджуваного кристала. Визначено оптимальні умови для формування регулярної структури пористого шару фосфіду індію р-типу. Отримані зразки з діаметром пор 30 – 40 нм. Формування окисного шару на поверхні кристалів не спостерігалося, що є бажаним результатом при одержанні наноматериалів. The necessity of lighting p-InP samples during anodization in a solution of hydrochloric acid to obtain a uniform ensemble of pores on the surface of the crystal. The optimal conditions for the formation of regular structure of the porous layer of indium phosphide p-type. Obtain samples with a pore diameter of 30 – 40 nm. The formation of the oxide layer on the surface of the crystals was not observed, which is the desired outcome in obtaining nanomaterials. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Формирование регулярной пористой структуры р-InP Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Формирование регулярной пористой структуры р-InP |
| spellingShingle |
Формирование регулярной пористой структуры р-InP Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. |
| title_short |
Формирование регулярной пористой структуры р-InP |
| title_full |
Формирование регулярной пористой структуры р-InP |
| title_fullStr |
Формирование регулярной пористой структуры р-InP |
| title_full_unstemmed |
Формирование регулярной пористой структуры р-InP |
| title_sort |
формирование регулярной пористой структуры р-inp |
| author |
Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. |
| author_facet |
Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. |
| publishDate |
2010 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| description |
Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в
растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получены образцы с диаметром пор 30 – 40 нм.
Формирование окисного слоя на поверхности кристаллов не наблюдалось, что является желаемым результатом при получении наноматериалов.
Показано необхідність використання освітлення зразків р-InP під час анодизації в розчині соляної кислоти для одержання рівномірного ансамблю пор на поверхні досліджуваного кристала.
Визначено оптимальні умови для формування регулярної структури пористого шару фосфіду
індію р-типу. Отримані зразки з діаметром пор 30 – 40 нм. Формування окисного шару на поверхні кристалів не спостерігалося, що є бажаним результатом при одержанні наноматериалів.
The necessity of lighting p-InP samples during anodization in a solution of hydrochloric acid to obtain
a uniform ensemble of pores on the surface of the crystal. The optimal conditions for the formation
of regular structure of the porous layer of indium phosphide p-type. Obtain samples with a pore diameter
of 30 – 40 nm. The formation of the oxide layer on the surface of the crystals was not observed,
which is the desired outcome in obtaining nanomaterials.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98850 |
| citation_txt |
Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT syčikovaâa formirovanieregulârnoiporistoistrukturyrinp AT kidalovvv formirovanieregulârnoiporistoistrukturyrinp AT sukačga formirovanieregulârnoiporistoistrukturyrinp |
| first_indexed |
2025-12-07T18:04:02Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:04:02Z |
| _version_ |
1850873628474736640 |