Формирование регулярной пористой структуры р-InP
Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в
 растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-тип...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98850 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862716323502489600 |
|---|---|
| author | Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. |
| author_facet | Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. |
| citation_txt | Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в
растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получены образцы с диаметром пор 30 – 40 нм.
Формирование окисного слоя на поверхности кристаллов не наблюдалось, что является желаемым результатом при получении наноматериалов.
Показано необхідність використання освітлення зразків р-InP під час анодизації в розчині соляної кислоти для одержання рівномірного ансамблю пор на поверхні досліджуваного кристала.
Визначено оптимальні умови для формування регулярної структури пористого шару фосфіду
індію р-типу. Отримані зразки з діаметром пор 30 – 40 нм. Формування окисного шару на поверхні кристалів не спостерігалося, що є бажаним результатом при одержанні наноматериалів.
The necessity of lighting p-InP samples during anodization in a solution of hydrochloric acid to obtain
a uniform ensemble of pores on the surface of the crystal. The optimal conditions for the formation
of regular structure of the porous layer of indium phosphide p-type. Obtain samples with a pore diameter
of 30 – 40 nm. The formation of the oxide layer on the surface of the crystals was not observed,
which is the desired outcome in obtaining nanomaterials.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:04:02Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98850 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:04:02Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. 2016-04-18T16:20:30Z 2016-04-18T16:20:30Z 2010 Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98850 539.217; 544.723 Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в
 растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получены образцы с диаметром пор 30 – 40 нм.
 Формирование окисного слоя на поверхности кристаллов не наблюдалось, что является желаемым результатом при получении наноматериалов. Показано необхідність використання освітлення зразків р-InP під час анодизації в розчині соляної кислоти для одержання рівномірного ансамблю пор на поверхні досліджуваного кристала.
 Визначено оптимальні умови для формування регулярної структури пористого шару фосфіду
 індію р-типу. Отримані зразки з діаметром пор 30 – 40 нм. Формування окисного шару на поверхні кристалів не спостерігалося, що є бажаним результатом при одержанні наноматериалів. The necessity of lighting p-InP samples during anodization in a solution of hydrochloric acid to obtain
 a uniform ensemble of pores on the surface of the crystal. The optimal conditions for the formation
 of regular structure of the porous layer of indium phosphide p-type. Obtain samples with a pore diameter
 of 30 – 40 nm. The formation of the oxide layer on the surface of the crystals was not observed,
 which is the desired outcome in obtaining nanomaterials. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Формирование регулярной пористой структуры р-InP Article published earlier |
| spellingShingle | Формирование регулярной пористой структуры р-InP Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. |
| title | Формирование регулярной пористой структуры р-InP |
| title_full | Формирование регулярной пористой структуры р-InP |
| title_fullStr | Формирование регулярной пористой структуры р-InP |
| title_full_unstemmed | Формирование регулярной пористой структуры р-InP |
| title_short | Формирование регулярной пористой структуры р-InP |
| title_sort | формирование регулярной пористой структуры р-inp |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98850 |
| work_keys_str_mv | AT syčikovaâa formirovanieregulârnoiporistoistrukturyrinp AT kidalovvv formirovanieregulârnoiporistoistrukturyrinp AT sukačga formirovanieregulârnoiporistoistrukturyrinp |