Формирование регулярной пористой структуры р-InP

Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-тип...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Физическая инженерия поверхности
Date:	2010
Main Authors:	Сычикова, Я.А., Кидалов, В.В., Сукач, Г.А.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98850
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

_version_	1860185232059138048
author	Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А.
author_facet	Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А.
citation_txt	Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
collection	DSpace DC
container_title	Физическая инженерия поверхности
description	Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получены образцы с диаметром пор 30 – 40 нм. Формирование окисного слоя на поверхности кристаллов не наблюдалось, что является желаемым результатом при получении наноматериалов. Показано необхідність використання освітлення зразків р-InP під час анодизації в розчині соляної кислоти для одержання рівномірного ансамблю пор на поверхні досліджуваного кристала. Визначено оптимальні умови для формування регулярної структури пористого шару фосфіду індію р-типу. Отримані зразки з діаметром пор 30 – 40 нм. Формування окисного шару на поверхні кристалів не спостерігалося, що є бажаним результатом при одержанні наноматериалів. The necessity of lighting p-InP samples during anodization in a solution of hydrochloric acid to obtain a uniform ensemble of pores on the surface of the crystal. The optimal conditions for the formation of regular structure of the porous layer of indium phosphide p-type. Obtain samples with a pore diameter of 30 – 40 nm. The formation of the oxide layer on the surface of the crystals was not observed, which is the desired outcome in obtaining nanomaterials.
first_indexed	2025-12-07T18:04:02Z
format	Article
fulltext	ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 1 81 ВВЕДЕНИЕ Фосфид индия – технологически важный ма- териал для создания лазеров, диодов, солнеч- ных батарей. В настоящее время особое вни- мание уделяется изучению свойств пористого InP, так как он является очень важным мате- риалом для создания свето-эмиссионных дио- дов и солнечных батарей. Площадь пористой поверхности в миллионы раз больше площа- ди монокристалла. Это удивительное свойст- во позволяет оценить преимущество порис- тых слоев для использования их в изготов- лении сенсоров (так как их чувствительность зависит от площади поверхности) и солнеч- ных батарей (возможность накапливания рекордного количества энергии). Пористый фосфид индия стал объектом многих иссле- дований [1, 2], в результате которых удается получать регулярную структуру пор заданных размеров [3 – 6]. Электрохимические методы обработки полупроводников и, в частности, фосфида индия по-прежнему рассматрива- ются как весьма перспективные. Это связано в первую очередь с тем, что указанные методы позволяют добиться равномерной по всей площади обработки поверхности полупро- водниковой пластины и одновременно, при необходимости, проводить локальный про- цесс со строго контролируемой скоростью. Кроме того, в процессе электрохимической обработки значительно легче обеспечить за- данный уровень селективности, чем при обычном химическом травлении. Альтерна- тивой химическому анодированию может служить фотоэлектрохимическое травление. Данный метод в последнее время приобре- УДК 539.217; 544.723 ФОРМИРОВАНИЕ РЕГУЛЯРНОЙ ПОРИСТОЙ СТРУКТУРЫ р-InP Я.А. Сычикова1, В.В. Кидалов1, Г.А. Сукач2 1Бердянский государственный педагогический университет Украина 2 Национальный университет биоресурсов и природопользования (Киев) Україна Поступила в редакцию 22.02.2010 Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности иссле- дуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной струк- туры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получены образцы с диаметром пор 30 – 40 нм. Формирование окисного слоя на поверхности кристаллов не наблюдалось, что является же- лаемым результатом при получении наноматериалов. Ключевые слова: пористый InP, анодное электрохимическое травление, сканирующая элект- ронная микроскопия, метод энерго дисперсионного анализа рентгеновский лучей. Показано необхідність використання освітлення зразків р-InP під час анодизації в розчині со- ляної кислоти для одержання рівномірного ансамблю пор на поверхні досліджуваного кристала. Визначено оптимальні умови для формування регулярної структури пористого шару фосфіду індію р-типу. Отримані зразки з діаметром пор 30 – 40 нм. Формування окисного шару на по- верхні кристалів не спостерігалося, що є бажаним результатом при одержанні наноматериалів. Ключові слова: пористий InP, анодне електрохімічне травлення, скануюча електронна мікро- скопія, метод енергодисперсіоного анализу рентгенівських променів. The necessity of lighting p-InP samples during anodization in a solution of hydrochloric acid to ob- tain a uniform ensemble of pores on the surface of the crystal. The optimal conditions for the formation of regular structure of the porous layer of indium phosphide p-type. Obtain samples with a pore dia- meter of 30 – 40 nm. The formation of the oxide layer on the surface of the crystals was not observed, which is the desired outcome in obtaining nanomaterials. Keywords: porous InP, anode electrochemical etching, scanning electronic microscopy, energy dis- persive X-ray spectroscopy. ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 182 тает все большую популярность, так как по- зволяет получать пористые слои с максималь- но регулярной структурой пор. Формирова- ние глубоких отверстий заданной формы в монокристаллическом фосфиде индия часто необходимо при изготовлении микромехани- ческих датчиков на его основе. При этом глу- бина отверстия должна составлять не менее нескольких десятков микрон, а уход линей- ных размеров по глубине должен быть мини- мальным. Другими словами, необходимо обе- спечить вертикальность стенок отверстия по всей глубине. С другой стороны, как показали исследования механизма формирования по- ристого InP, рост поры начинается в той точке поверхности пластины, в которой по какой- либо причине наблюдается высокая локаль- ная концентрация дырок. При этом стенки по- ры остаются вертикальными до тех пор, пока не изменяется режим формирования или (и) структура самой пластины. Очевидно, что не- обходимую локальную концентрацию дырок можно создать только в том случае, если они не являются основными носителями, т.е. в фосфиде индия n-типа. Вообще говоря, счи- тается, что эффекты порообразования InP наблюдаются только в кристаллах n-типа. В работе [7] указывается, что в аналогичных условиях анодной поляризации материалы p-типа травятся однородно без образования пор. Однако в последнее время появляются со- общения различных научных групп о форми- ровании пористой структуры на поверхности фосфида индия р-типа. Так, работе [8] было показано, что возможно формирование по- ристой поверхности на р-InP (100) в растворе 1 M HBr в темноте, время травления 600 с, плотность тока 25 мA/cм2 Размер пор соста- вил порядка 300 – 400 нм. Образующиеся поры прорастают вглубь кристалла перпен- дикулярно поверхности параллельными ка- налами. Однако пористая поверхность при этом покрыта оксидным слоем, удаление ко- торого возможно в потоке N2. Авторы работы [9] сообщают о возмож- ности получения нанопористого слоя на по- верхности р-InP путем электрохимического травления в электролите, содержащим раст- вор HBr. В р-InP результате удалось получить тонкий пористый слой толщиной 3 – 5 мкм с диаметром пор 500 – 800 нм. Однако полу- ченный нанопористый слой не был равномер- ным и регулярным, он занял приблизительно 80% площади, подвергнутой электрохимиче- скому травлению. В данной работе рассматривается меха- низм получения регулярной пористой струк- туры р-InP, который заключается в исполь- зовании метода фотоэлектрохимического травления. Благодаря использованию режима освещенности образцов во время анодизации становится возможным получить регулярную равномерную сетку макропор на поверхности фосфида индия р-типа. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА Для эксперимента были выбраны образцы монокристаллического р-InP, выращенные по методу Чохральского в лаборатории компа- нии “Molecular Technology GmbH” (Берлин). Толщина образцов 1 мм. Пластины были вы- резаны перпендикулярно оси роста и отполи- рованы с обеих сторон. Кристаллы подверга- лись механической и химической полировке. Ориентация поверхности выбранных плас- тин (100). Образцы легировались Zn до кон- центрации носителей заряда 2,3⋅1018 см–3. В качестве электролита был выбран раст- вор соляной кислоты (концентрация кислоты в воде 2,5%; 5%; 7%%; 10%; 15%; 20%). Эксперимент проводился при комнатной тем- пературе. Образцы освещались вольфрамо- вой лампой мощностью 200 Вт на расстоянии 10 см от поверхности образца, освещенность пластин была равномерной по всей поверх- ности слитка. Перед экспериментом образцы тщательно очищались. Процесс очистки состоял из сле- дующих стадий: 1) обезжиривание в горячем (75 – 80 °С) перекисно-аммиачном растворе; 2) обработка в горячей (90 – 100 °С) кон- центрированной азотной кислоте (удаление ионов металлов); 3) промывание в дистиллированной воде; 4) сушка пластин с помощью центрифуги в струе очищенного сухого воздуха. После эксперимента образцы очищались в ацетоне, изопропаноле, промывались в дис- ФОРМИРОВАНИЕ РЕГУЛЯРНОЙ ПОРИСТОЙ СТРУКТУРЫ р-InP ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 1 83 тиллированной воде и высушивались в пото- ке особо чистого водорода, после чего подвер- гались естественному старению в течение трех дней. Морфология полученных пористых струк- тур исследовалась с помощью растрового электронного микроскопа JSM-6490. Хими- ческий состав поверхности был изучен при помощи метода энерго-дисперсионого ана- лиза рентгеновських лучей (EDAX), дифрак- тометрические исследования проводились с помощью дифрактометра ДРОН-3М. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ Следует отметить, что при травлении n-InP формирование пористой структуры наблю- дается при разных концентрациях электро- лита, времени, плотности тока. Принципиа- льно отличалось поведение кристаллов p-ти- па во время электрохимического травления при тех же условиях. Нами удалось получить пористую структуру для кристаллов p-типа удовлетворительного качества только при ис- пользовании соляной кислоты (концентра- ция не меньше 5%) при плотностях тока 100 – 200 мА/см2 и времени травления от 15 мин и выше. При этом использовался режим до- полнительного освещения образцов вольфра- мовой лампой во время электролитического травления. На рис. 1 приведена схема для фотоэлект- рохимического травления образцов фосфида индия р-типа. Свет от вольфрамовой лампы 6 падает на собирающую линзу 5. После прохождения собирающей линзы параллель- ный пучок света падает на поверхность крис- талла 3 под углом 45о. Омические контакты 4 к р-InP создавались путем напыления Aq/ Zn на обратную сторону полупроводниковой пластины. На катоде – платина 2, площадь 1 см2. Так как энергия кванта света (видимое излучение) больше ширины запрещенной зо- ны полупроводника InP (1,344 eВ), то в при- поверхностной зоне происходит генерация электронов и дырок. Наличие дырок в валентной зоне, ослабля- ет химические связи и приводит к тому, что эти соединения становятся чувствительны к действию электролита. Дырки взаимодейст- вуют с монокристаллом InP, в результате об- разуются свободные атомы индия и фосфора, которые уходят в раствор согласно реакции InP + 6h+ = In3+ + P3+. В полупроводнике n-типа, если электро- литическое травление осуществляется при высокой плотности тока, то к поверхности полупроводника поступает большое коли- чество дырок. Они движутся к границе раз- дела полупроводник-электролит сплошным фронтом и обеспечивают реакционную спо- собность практически каждому атому. По- скольку микровыступы имеют большую по- верхность, чем ровные участки, то они рас- творяются быстрее. Таким образом, поверх- ность монокристалла InP постепенно вырав- нивается. Это и есть известный режим элект- рохимической полировки. В полупроводнике n-типа, если электроли- тическое травление проводят при низкой плотности тока, то количества дырок не хва- тает для растворения каждого атома на по- верхности и поэтому происходит локальное растворение InP на поверхности. Согласно различным моделям [9, 10], зарождение пор может начинаться на микроуглублениях, де- фектах структуры, механически напряжен- ных участках или локальных возмущениях потенциального поля поверхности. Рис. 1. Установка для фотоэлектрохимического травле-ния p-InP (1 – контрольный электрод, 2 – катод, 3 – пластина монокристаллического InP, 4 – омический контакт, 5 – собирающая линза, 6 – вольфрамовая лам-па мощностью 200 Вт). Я.А. СЫЧИКОВА, В.В. КИДАЛОВ, Г.А. СУКАЧ ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 184 В случае р-типа дырки являются основ- ными носителями и даже, при низкой плот- ности тока электролитического травления практически к каждому атому на поверхности приходит дырка и в результате происходит процесс электрохимической полировки. Та- ким образом, для получения пор в полупро- воднике р-типа необходимо во время элект- ролитического травления уменьшить кон- центрацию дырок на поверхности, чтобы не к каждому атому на поверхности пришла дырка. В нашей работе для этого применилась освещение полупроводника светом. При поглощении света полупроводником InP р-типа в приповерхностной области обра- зуются электроны и дырки. Из-за искривле- ния зонной диаграммы на границе раздела полупроводник-электролит (рис. 2) дырки уходят в глубь, а на поверхности накапли- вается отрицательный заряд. Таким образом, в результате уменьшения концентрации ды- рок и увеличении концентрации электронов на поверхности, не к каждому атому на по- верхности поступает дырка, и происходит процесс образования пор. Рис. 3 демонстрирует морфологию пори- стого образца p-InP, полученного в 5% раст- воре соляной кислоты при плотности тока 150 мА/см2, время травления 15мин. Размер пор составляет приблизительно 30 – 60 нм, степень пористости 30%. Поры проросли по всей поверхности слитка без выделенных мест скопления. В некоторых местах можно наблюдать массивные отверстия, размером до 200 нм. На наш взгляд, подобные поры обя- заны своим появлением выходу на поверх- ность кристалла дислокаций и микродефек- тов, места, возникновения которых являются благоприятными для образования пор. Методом энергодисперсионого анализа рентгеновських лучей (EDAX) был установ- лен химический состав элементов на поверх- ности данного образца (рис. 4). По результа- там этих данных можно сделать вывод, что на поверхности пористого p-InP не обра- зовалось плотной окисной пленки, также не наблюдается наличие элементов, входящих в состав травителя. Однако во время травления была нарушена стехиометрия исходного кристалла: индий присутствует в большей концентрации, чем фосфор. Отсутствие окис- ной пленки подтверждается также дифракто- метрическими исследованиями, проведен- ными на дифрактометре ДРОН-3М. Спектры, снятые при помощи этого метода демонстри- руют сохранение монокристалличности. В работе [10] указывается, что условия порообразования всегда ограничены более или менее узким диапазоном напряжений по- ляризации. Наиболее резкой, четко определя- емой границей такого диапазона оказывается минимальная, пороговая величина напряже- Рис. 2. Зонная диаграмма на границе раздела “полу- проводник-электролит”. Рис. 3. Морфология пористого p-InP, полученного в 5% растворе соляной кислоты при плотности тока 150 мА/см2, время травления 15 мин, дополнительный режим – освещение вольфрамовой лампой. ФОРМИРОВАНИЕ РЕГУЛЯРНОЙ ПОРИСТОЙ СТРУКТУРЫ р-InP ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 1 85 ния, необходимого для начала зарождения пор, т.н. напряжение начала порообразования – Uп [11]. Пороговое напряжение начала порообра- зования может служить количественной ха- рактеристикой процесса порообразования, протекающего в конкретной системе “полу- проводник-электролит”. Uп зависит от сос- тава электролита и исходной поверхности кристалла, поэтому, определяется для каждо- го случая индивидуально. Следует отметить, что пороговое напряже- ние начала порообразования зависит от ряда факторов: уровня легирования и ориентации полупроводника; состава и температуры элек- тролита; концентрации дефектов на поверх- ности кристалла и др. Поэтому, эта величина имеет различные значения для каждого от- дельно взятого случая. Однако наиболее су- щественное влияние на величину Uп оказы- вает именно концентрация и состав элект- ролита. Известно, что пороговое напряжение начала порообразования растет с повышени- ем pH среды. Определение данной величины является важным моментом для получения качественных пористых пленок, так как позволяет контролировать и регулировать условия травления. Напряжение начала порообразования оп- ределялось следующим образом. Скорость изменения напряжения составляла 0,5 В/мин. При этом плотность тока (до критического значения напряжения) остается в пределах не превышающих 50 мА/см2. Начиная с опреде- ленного критического значения напряжения, плотность тока быстро нарастает со време- нем. Резкое возрастание плотности тока во времени можно объяснить постепенным уве- личением числа входных отверстий пор и их ветвлением под поверхностью. Спустя какое- то время ток перестает нарастать. Это может свидетельствовать о значительном замедле- нии процесса формирования входных отверс- тий пор. При концентрации соляной кислоты рав- ной 2,5% резкого повышения анодного тока не произошло. Также, напряжение повыша- лось монотонно при концентрации HCl пре- вышающей 15%. Это может свидетельсттво- вать о том, что в данном случае фотоэлект- рохимическое травление происходило без образования пор, либо порообразование не являлось доминирующим процессом в ряду альтернативных химических процессов, ко- торыми могут являться травление с полным или частичным растворением продуктов, образование сплошных нерастворимых пле- нок, окисление поверхности полупровод- ника. На рис. 5а, б представлена вольт-амперная характеристика, снятая для случая травления p-InP (100) в растворе 5% HCl при скорости нарастания напряжения 1 В/мин. Анализ дан- ного изображения показывает, что до значе- ния Uс = 5,5В плотность тока не превышает 35 мА/см2. Далее происходит резкое возраста- ние плотности тока во времени до значения 160 мА/см2. Спустя 1 минуту травления в та- ком режиме скорость роста тока значительно замедляется. Можно сделать вывод, что к это- му моменту формируется стандартная конфи- гурация плотности пор на поверхности крис- талла. Таким образом, пороговое напряжение начала порообразования в данном случае составило 5,5 В. При использовании 6% раствора соляной кислоты эксперимент показал, что значение порогового напряжения начала порообразова- ния находится в пределе 5,1 В, а при 7% HCl – 4,8 В. Анализ данных результатов позволяет сделать вывод, что при увеличении концент- рации в растворе, величина Uп уменьшается, то есть скорость реакции растет, и процесс порообразования начинается раньше. Однако такая тенденция сохраняется до определен- ного критического значения концентрации кислоты в электролите. Так, при использова- нии 10% HCl, величина порогового напряже- Рис. 4. Химический состав элементов на поверхности пористого p-InP. Я.А. СЫЧИКОВА, В.В. КИДАЛОВ, Г.А. СУКАЧ ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 186 ния повышается до значения 6,3 В, а при концентрации 15% и выше ток растет моно- тонно, не обнаруживая порогового напряже- ния начала порообразования. Как отмечалось выше, в этом случае порообразование не яв- ляется доминирующим процессом. На поляризационных кривых (рис. 5а, б) пороговому напряжению начала порообразо- вания соответствует переход к быстрому по- вышению анодного тока. Току, связанному с образованием и развитием пор, свойственно продолжительное возрастание во времени при неизменных значениях подаваемого напряжения [9]. Рис. 6 демонстрирует изменение плотнос- ти тока во времени при постоянном значении напряжения Uс = 5,5 В (для случая травления p-InP (100) в растворе 5% HCl. В течение 3-х минут плотность тока быстро нарастает со средней скоростью 53 мА/см2⋅мин. Спустя 3 мин, скорость возрастания плотности тока заметно замедляется, что свидетельствует о замедлении процесса порообразования. При травлении р-InP без использования ре- жима освещения, резкого повышения анод- ного тока не наблюдалось. Это говорит о том, что процесс травления не сопровождался ак- тивным порообразованием. Подтверждением этого факта может служить также и морфоло- гия поверхности, снятая на сканирующем электронном микроскопе (SЕМ). Отсюда сле- дует, что одним из определяющих факторов, ответственного за образование пор р-InP в растворе соляной кислоты, является исполь- зование подсветки образцов во время трав- ления. ВЫВОДЫ В настоящей работе представлена методика получения пористой поверхности р-InP. По- казана необходимость использования осве- щения образцов во время анодизации в раст- воре соляной кислоты для получения равно- мерного ансамбля пор на поверхности иссле- дуемого кристалла. Определены оптималь- ные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получены образцы с диаметром пор а) б) Рис. 5. а) – зависимость плотности тока от напряжения для случая травления, б) – изменение плотности тока во времени. Для случая травления p-InP (100) в раст- воре 5% HCl. Рис. 6. Изменение тока процесса порообразования во времени при постоянной величине напряжения Uс = 5,5 В. Для случая травления p-InP (100) в растворе 5% HCl. ФОРМИРОВАНИЕ РЕГУЛЯРНОЙ ПОРИСТОЙ СТРУКТУРЫ р-InP ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 1 87 30 – 40 нм. Формирование окисного слоя на поверхности кристаллов не наблюдалось, что является желаемым результатом при получе- нии наноматериалов. ЛИТЕРАТУРА 1. Khalifa S. Ben, Gruzza B., Robert-Goumet C., Bideux L., Monier G., Saidi F., Hassen, G. Maa- ref H. Bremond G., Be‘ji L. Study of porous III- V semiconductors by electron spectroscopies (AES and XPS) and optical spectroscopy (PL): Effect of ionic bombardment and nitridation process//Surface Science. – 2007. – Vol. 601. – C. 4531-4535. 2. Langa S., Carstensen J., Tiginyanu I. M., Chris- tophersen M., Foll H. Self-Induced Voltage Os- cillations during Anodic Etching of n-InP and Possible Applications for Three-Dimensional Microstructures//Electrochemical and Solid- State Letters.– 2001.– Vol. 4, № 6.– P. G50-G52. 3. Langa S., Tiginyanu I. M., Carstensen J., Chris- tophersen M., and Foll H. Self-organized growth of single crystals of nanopores//Applied Physics Letters. – 2003. – Vol. 8, № 2. – P. 278-280. 4. Kidalov V.V., Beji L., Sukach G.A. Optical pro- perties of p-type porous GaAs//Semiconductors physics quantum electronics & optoelectronics. – 2006. – Vol. 8, №. 4 – P. 129-135. 5. Langa S., Tiginyanu I.M., Carstensen J., Christo- phersen M., and Foll H. Self-organized growth of single crystals of nanopores//Applied Physics Letters. – 2003. – Vol. 8, № 2. – P. 278-280. 6. Tiginyanu I.M., Kravetsky I.V., Langa S. Porous III – V compounds as nonlinear optical materi- als//Physica Status Solidi (A). – 2003. – Vol. 197, № 2. – P. 549-555. 7. Fцll H., Langa S., Carstensen J. Pores in III-V Semicoductors//Advanced Materils. – 2003. – Vol. 15, № 3. – P. 183-198. 8. Tsuchiya H., Hueppe M., Djenizian Th., Schmu- ki P. Electrochemical formation of porous super- lattices on n-type (100) InP//Surface Science. – 2003. – Vol. 547. – P. 268-274. 9. Langa S., Frey S., Carstensen J. Waveguide structures based on porous indium phosphide et al.//Electrochemical and Solid-State Letters. – 2005. – Vol. 8, № 2. – P. C30-C32. 10. Hollinger G., Berngignat E., Joseph J., Robach Y. On the nature of oxides on InP surfaces//Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. – 1985. – Vol. 3, № 6. – P. 2082-2088 11. Улин В.П., Конников С.Г. Природа процес- сов электрохимического порообразования в кристаллах A IIIB V// ФТП. – 2007. – Т. 41, № 7. – C. 854-867.  Сычикова Я.А., Кидалов В.В., Сукач Г.А., 2010 Я.А. СЫЧИКОВА, В.В. КИДАЛОВ, Г.А. СУКАЧ
id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98850
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn	1999-8074
language	Russian
last_indexed	2025-12-07T18:04:02Z
publishDate	2010
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
record_format	dspace
spelling	Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. 2016-04-18T16:20:30Z 2016-04-18T16:20:30Z 2010 Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98850 539.217; 544.723 Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получены образцы с диаметром пор 30 – 40 нм. Формирование окисного слоя на поверхности кристаллов не наблюдалось, что является желаемым результатом при получении наноматериалов. Показано необхідність використання освітлення зразків р-InP під час анодизації в розчині соляної кислоти для одержання рівномірного ансамблю пор на поверхні досліджуваного кристала. Визначено оптимальні умови для формування регулярної структури пористого шару фосфіду індію р-типу. Отримані зразки з діаметром пор 30 – 40 нм. Формування окисного шару на поверхні кристалів не спостерігалося, що є бажаним результатом при одержанні наноматериалів. The necessity of lighting p-InP samples during anodization in a solution of hydrochloric acid to obtain a uniform ensemble of pores on the surface of the crystal. The optimal conditions for the formation of regular structure of the porous layer of indium phosphide p-type. Obtain samples with a pore diameter of 30 – 40 nm. The formation of the oxide layer on the surface of the crystals was not observed, which is the desired outcome in obtaining nanomaterials. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Формирование регулярной пористой структуры р-InP Article published earlier
spellingShingle	Формирование регулярной пористой структуры р-InP Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А.
title	Формирование регулярной пористой структуры р-InP
title_full	Формирование регулярной пористой структуры р-InP
title_fullStr	Формирование регулярной пористой структуры р-InP
title_full_unstemmed	Формирование регулярной пористой структуры р-InP
title_short	Формирование регулярной пористой структуры р-InP
title_sort	формирование регулярной пористой структуры р-inp
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98850
work_keys_str_mv	AT syčikovaâa formirovanieregulârnoiporistoistrukturyrinp AT kidalovvv formirovanieregulârnoiporistoistrukturyrinp AT sukačga formirovanieregulârnoiporistoistrukturyrinp

Формирование регулярной пористой структуры р-InP

Institution

Similar Items