Формирование регулярной пористой структуры р-InP
Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получ...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | Сычикова, Я.А., Кидалов, В.В., Сукач, Г.А. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98850 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия
by: Сычикова, Я.А., et al.
Published: (2010) -
Формирование пористой структуры полиалюмометилсилоксановых адсорбентов
by: Слинякова, И.Б.
Published: (1983) -
Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
by: Сичікова, Я.О.
Published: (2011) -
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
by: Круковський, C.I., et al.
Published: (2012) -
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
by: Круковський, С.І., et al.
Published: (2011)