Зображення обкладинки

Формирование регулярной пористой структуры р-InP

Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-тип...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физическая инженерия поверхности
Дата:	2010
Автори:	Сычикова, Я.А., Кидалов, В.В., Сукач, Г.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98850
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия
за авторством: Сычикова, Я.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Формирование пористой структуры полиалюмометилсилоксановых адсорбентов
за авторством: Слинякова, И.Б.
Опубліковано: (1983)

Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
за авторством: Сичікова, Я.О.
Опубліковано: (2011)

Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
за авторством: Круковський, C.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование пористой структуры углей импульсным методом ЯМР
за авторством: Алексеев, А.Д., та інші
Опубліковано: (1999)

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
за авторством: Круковський, С.І., та інші
Опубліковано: (2011)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)

Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2011)

Исследование пористой структуры косточковых углей методом ртутной порометрии
за авторством: Картель, Н.Т., та інші
Опубліковано: (1984)

Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2011)

Formation of the regular porous structure of p-InP
за авторством: Ja. A. Sychikova, та інші
Опубліковано: (2010)

Физико-химические основы уплотнения пористой структуры пироуглеродом из газовой фазы
за авторством: Скачков, В.А., та інші
Опубліковано: (2014)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Фотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электроде
за авторством: Колбасов, Г.Я., та інші
Опубліковано: (2000)

Асимптотика собственных значений регулярной краевой задачи
за авторством: Радзиевский, Г.В.
Опубліковано: (1996)

Получение регулярной макронеоднородной структуры способами дифференцированной обработки с использованием источников концентрированной энергии
за авторством: Малинов, Л.С.
Опубліковано: (2009)

Прогнозирование предела текучести и усадки под давлением алмазосодержащего композита с пористой матрицей
за авторством: Кущ, В.И., та інші
Опубліковано: (2009)

Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
за авторством: S. I. Krukovskij
Опубліковано: (2006)

Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films
за авторством: V. F. Mitin, та інші
Опубліковано: (2020)

Влияние количества ортофосфорной кислоты на развитие пористой структуры углей при химическом активировании кукурузных кочерыжек
за авторством: Сыч, Н.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Формирование структуры биметаллических отливок
за авторством: Афтандилянц, Е.Г., та інші
Опубліковано: (2014)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)

Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
за авторством: Mitin, Vadim, та інші
Опубліковано: (2020)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Новицкий, С.В.
Опубліковано: (2012)

Формирование структуры синтетического алмазного поликристалла
за авторством: Ножкина, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)

О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
за авторством: Сычикова, Я.А.
Опубліковано: (2010)

Влияние состава электролита на величину порогового напряжения начала порообразования фосфида индия
за авторством: Сычикова, Я.А.
Опубліковано: (2010)

Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5
за авторством: Сычикова, Я.А.
Опубліковано: (2015)

Березань — самый ранний план регулярной застройки в Причерноморье
за авторством: Вонсович, А.
Опубліковано: (2001)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)

Формирование структуры Al₂O₃ с использованием удаляемых в процессе конденсации добавок In и NaCl
за авторством: Стельмах, Я.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Влияние трещины усталости на колебания простейшей регулярной упругой системы
за авторством: Круц, В.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)

Формирование высокоплотной структуры самосвязанного карбида кремния
за авторством: Майстренко, А.Л., та інші
Опубліковано: (2009)

Метод прогнозирования прочности пористой керамики
за авторством: Алексюк, М.М.
Опубліковано: (2001)

Формирование структуры медных газаров сложной формы
за авторством: Карпов, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2016)

Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution
за авторством: Sychikova, J.A., та інші
Опубліковано: (2010)