Формирование регулярной пористой структуры р-InP
Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в
 растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-тип...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | Сычикова, Я.А., Кидалов, В.В., Сукач, Г.А. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98850 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия
by: Сычикова, Я.А., et al.
Published: (2010)
by: Сычикова, Я.А., et al.
Published: (2010)
Формирование пористой структуры полиалюмометилсилоксановых адсорбентов
by: Слинякова, И.Б.
Published: (1983)
by: Слинякова, И.Б.
Published: (1983)
Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
by: Сичікова, Я.О.
Published: (2011)
by: Сичікова, Я.О.
Published: (2011)
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
by: Круковський, C.I., et al.
Published: (2012)
by: Круковський, C.I., et al.
Published: (2012)
Исследование пористой структуры углей импульсным методом ЯМР
by: Алексеев, А.Д., et al.
Published: (1999)
by: Алексеев, А.Д., et al.
Published: (1999)
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
by: Круковський, С.І., et al.
Published: (2011)
by: Круковський, С.І., et al.
Published: (2011)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
by: Ya. O. Sychikova
Published: (2011)
by: Ya. O. Sychikova
Published: (2011)
Исследование пористой структуры косточковых углей методом ртутной порометрии
by: Картель, Н.Т., et al.
Published: (1984)
by: Картель, Н.Т., et al.
Published: (1984)
Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
by: S. I. Krukovskyi, et al.
Published: (2012)
by: S. I. Krukovskyi, et al.
Published: (2012)
Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
by: S. I. Krukovskyi, et al.
Published: (2011)
by: S. I. Krukovskyi, et al.
Published: (2011)
Formation of the regular porous structure of p-InP
by: Ja. A. Sychikova, et al.
Published: (2010)
by: Ja. A. Sychikova, et al.
Published: (2010)
Физико-химические основы уплотнения пористой структуры пироуглеродом из газовой фазы
by: Скачков, В.А., et al.
Published: (2014)
by: Скачков, В.А., et al.
Published: (2014)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)
Фотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электроде
by: Колбасов, Г.Я., et al.
Published: (2000)
by: Колбасов, Г.Я., et al.
Published: (2000)
Асимптотика собственных значений регулярной краевой задачи
by: Радзиевский, Г.В.
Published: (1996)
by: Радзиевский, Г.В.
Published: (1996)
Получение регулярной макронеоднородной структуры способами дифференцированной обработки с использованием источников концентрированной энергии
by: Малинов, Л.С.
Published: (2009)
by: Малинов, Л.С.
Published: (2009)
Прогнозирование предела текучести и усадки под давлением алмазосодержащего композита с пористой матрицей
by: Кущ, В.И., et al.
Published: (2009)
by: Кущ, В.И., et al.
Published: (2009)
Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
by: S. I. Krukovskij
Published: (2006)
by: S. I. Krukovskij
Published: (2006)
Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films
by: V. F. Mitin, et al.
Published: (2020)
by: V. F. Mitin, et al.
Published: (2020)
Влияние количества ортофосфорной кислоты на развитие пористой структуры углей при химическом активировании кукурузных кочерыжек
by: Сыч, Н.В., et al.
Published: (2009)
by: Сыч, Н.В., et al.
Published: (2009)
Формирование структуры биметаллических отливок
by: Афтандилянц, Е.Г., et al.
Published: (2014)
by: Афтандилянц, Е.Г., et al.
Published: (2014)
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
by: Milenin, V.V., et al.
Published: (2010)
by: Milenin, V.V., et al.
Published: (2010)
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
by: V. V. Milenin, et al.
Published: (2010)
by: V. V. Milenin, et al.
Published: (2010)
Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
by: Mitin, Vadim, et al.
Published: (2020)
by: Mitin, Vadim, et al.
Published: (2020)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Новицкий, С.В.
Published: (2012)
by: Новицкий, С.В.
Published: (2012)
Формирование структуры синтетического алмазного поликристалла
by: Ножкина, А.В., et al.
Published: (2006)
by: Ножкина, А.В., et al.
Published: (2006)
О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
by: Сычикова, Я.А.
Published: (2010)
by: Сычикова, Я.А.
Published: (2010)
Влияние состава электролита на величину порогового напряжения начала порообразования фосфида индия
by: Сычикова, Я.А.
Published: (2010)
by: Сычикова, Я.А.
Published: (2010)
Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5
by: Сычикова, Я.А.
Published: (2015)
by: Сычикова, Я.А.
Published: (2015)
Березань — самый ранний план регулярной застройки в Причерноморье
by: Вонсович, А.
Published: (2001)
by: Вонсович, А.
Published: (2001)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Novitskyi, S. V.
Published: (2012)
by: Novitskyi, S. V.
Published: (2012)
Формирование структуры Al₂O₃ с использованием удаляемых в процессе конденсации добавок In и NaCl
by: Стельмах, Я.А., et al.
Published: (2015)
by: Стельмах, Я.А., et al.
Published: (2015)
Влияние трещины усталости на колебания простейшей регулярной упругой системы
by: Круц, В.А., et al.
Published: (2013)
by: Круц, В.А., et al.
Published: (2013)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
by: Milenin, V.V., et al.
Published: (2010)
by: Milenin, V.V., et al.
Published: (2010)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
by: V. V. Milenin, et al.
Published: (2010)
by: V. V. Milenin, et al.
Published: (2010)
Формирование высокоплотной структуры самосвязанного карбида кремния
by: Майстренко, А.Л., et al.
Published: (2009)
by: Майстренко, А.Л., et al.
Published: (2009)
Метод прогнозирования прочности пористой керамики
by: Алексюк, М.М.
Published: (2001)
by: Алексюк, М.М.
Published: (2001)
Формирование структуры медных газаров сложной формы
by: Карпов, В.Ю., et al.
Published: (2016)
by: Карпов, В.Ю., et al.
Published: (2016)
Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution
by: Sychikova, J.A., et al.
Published: (2010)
by: Sychikova, J.A., et al.
Published: (2010)
Similar Items
-
Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия
by: Сычикова, Я.А., et al.
Published: (2010) -
Формирование пористой структуры полиалюмометилсилоксановых адсорбентов
by: Слинякова, И.Б.
Published: (1983) -
Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
by: Сичікова, Я.О.
Published: (2011) -
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
by: Круковський, C.I., et al.
Published: (2012) -
Исследование пористой структуры углей импульсным методом ЯМР
by: Алексеев, А.Д., et al.
Published: (1999)