Buchumschlag

Формирование регулярной пористой структуры р-InP

Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-тип...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физическая инженерия поверхности
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Сычикова, Я.А., Кидалов, В.В., Сукач, Г.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98850
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия
von: Сычикова, Я.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование пористой структуры полиалюмометилсилоксановых адсорбентов
von: Слинякова, И.Б.
Veröffentlicht: (1983)

Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
von: Сичікова, Я.О.
Veröffentlicht: (2011)

Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
von: Круковський, C.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование пористой структуры углей импульсным методом ЯМР
von: Алексеев, А.Д., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
von: Круковський, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2011)

Исследование пористой структуры косточковых углей методом ртутной порометрии
von: Картель, Н.Т., et al.
Veröffentlicht: (1984)

Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Formation of the regular porous structure of p-InP
von: Ja. A. Sychikova, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Физико-химические основы уплотнения пористой структуры пироуглеродом из газовой фазы
von: Скачков, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Фотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электроде
von: Колбасов, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Асимптотика собственных значений регулярной краевой задачи
von: Радзиевский, Г.В.
Veröffentlicht: (1996)

Получение регулярной макронеоднородной структуры способами дифференцированной обработки с использованием источников концентрированной энергии
von: Малинов, Л.С.
Veröffentlicht: (2009)

Прогнозирование предела текучести и усадки под давлением алмазосодержащего композита с пористой матрицей
von: Кущ, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
von: S. I. Krukovskij
Veröffentlicht: (2006)

Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films
von: V. F. Mitin, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Влияние количества ортофосфорной кислоты на развитие пористой структуры углей при химическом активировании кукурузных кочерыжек
von: Сыч, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Формирование структуры биметаллических отливок
von: Афтандилянц, Е.Г., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
von: Mitin, Vadim, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)

Формирование структуры синтетического алмазного поликристалла
von: Ножкина, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)

О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
von: Сычикова, Я.А.
Veröffentlicht: (2010)

Влияние состава электролита на величину порогового напряжения начала порообразования фосфида индия
von: Сычикова, Я.А.
Veröffentlicht: (2010)

Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5
von: Сычикова, Я.А.
Veröffentlicht: (2015)

Березань — самый ранний план регулярной застройки в Причерноморье
von: Вонсович, А.
Veröffentlicht: (2001)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)

Формирование структуры Al₂O₃ с использованием удаляемых в процессе конденсации добавок In и NaCl
von: Стельмах, Я.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние трещины усталости на колебания простейшей регулярной упругой системы
von: Круц, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование высокоплотной структуры самосвязанного карбида кремния
von: Майстренко, А.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Метод прогнозирования прочности пористой керамики
von: Алексюк, М.М.
Veröffentlicht: (2001)

Формирование структуры медных газаров сложной формы
von: Карпов, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution
von: Sychikova, J.A., et al.
Veröffentlicht: (2010)