Особенности применения рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии для определения толщины ультратонких пленок

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2010
• Автори: Стервоедов, А.Н., Береснев, В.М., Сергеева, Н.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98851
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Особенности применения рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии для определения толщины ультратонких пленок / А.Н. Стервоедов, В.М. Береснев, Н.В. Сергеева // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 88–92. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

В работе на примере измерения параметров ультратонких (3 – 5 нм) TiNx пленок показана возможность использования рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии для определения толщины и сплошности пленок наноразмерной толщины. Пленки TiNx были получены на кремнии
 методом слаботочного ионно-лучевого распыления титановой мишени в атмосфере азота. Показаны преимущества метода РФЭС по сравнению с другими распространенными методами
 исследования поверхности твердого тела, описана методика измерения толщины ультратонких
 пленок. У роботі на прикладі вимірювання параметрів ультратонких (3 – 5 нм) TiNx плівок показана
 можливість використання рентгенівської фотоелектронної спектроскопії для визначення
 товщини і суцільності плівок нанорозмірної товщини. Плівки TiNx були отримані на кремнії
 методом слаботочного іонно-променевого розпилення титанової мішені в атмосфері азоту.
 Показано переваги методу РФЕС в порівнянні з іншими поширеними методами дослідження
 поверхні твердого тіла, описана методика вимірювання товщини ультратонких плівок. In the current paper, the example of measuring the parameters of ultrathin (3 – 5 nm) TiNx films
 demonstrates the possibility of using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) for determination the
 thickness and continuity of the films of nanoscale thickness. TiNx films were obtained on silicon by
 the low-current ion-beam sputtering of titanium target in a nitrogen atmosphere. The advantages of
 XPS method in comparison with other common methods of solid surface analysis are shown. The
 method of measuring the thickness of ultrathin films by XPS was described in details.