Фотопреобразователи энергии солнечного излучения нового поколения

Фотопреобразователи энергии солнечного излучения нового поколения

Анализируются особенности структур перспективных устройств кремниевой фотовольтаики с фотолюминесценцией коротковолнового солнечного излучения в область их максимальной фоточувствительности, с радиальными p-n-переходами в микроструктурах (микропроволоках) вертикального исполнения и с проводящими...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физическая инженерия поверхности
Дата:2010
Автор: Ефимов, В.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98854
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Фотопреобразователи энергии солнечного излучения нового поколения / В.П. Ефимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 100–115. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98854
record_format dspace
spelling Ефимов, В.П.
2016-04-18T16:26:28Z
2016-04-18T16:26:28Z
2010
Фотопреобразователи энергии солнечного излучения нового поколения / В.П. Ефимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 100–115. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98854
621.30.49.77
Анализируются особенности структур перспективных устройств кремниевой фотовольтаики с фотолюминесценцией коротковолнового солнечного излучения в область их максимальной фоточувствительности, с радиальными p-n-переходами в микроструктурах (микропроволоках) вертикального исполнения и с проводящими квантовыми нитями в объеме монокристалла кремния. Повышенная удельная электрическая проводимость в планарных структурах создается кластерными объединениями атомов кремния в аморфном состоянии с атомами легированной примеси. Массивы квантовых нитей являются основным структурным фактором при создании фотоэлементов третьего поколения с повышенной конверсионной эффективностью, радиационной стабильностью и высоким ресурсом эксплуатации для наземной и космической энергетики.
Аналізуються особливості структур перспективних пристроїв кремнієвої фотовольтаікіз фотолюмінесценції короткохвильового сонячного випромінювання в область їх максимальної фоточутливості, з радіальними p-n-переходами в мікроструктура (мікропроволоках) вертикального виконання і з провідними квантовими нитками в обсязі монокристалу кремнію. Підвищена питома електрична провідність у планарних структурах створюється кластерними об’єднаннями атомів кремнію в аморфному станіз атомами легуючої домішки. Масиви квантових ниток є основним структурним фактором при створенні фотоелементів третього покоління з підвищеною конверсійної ефективністю, радіаційної стабільністю та високим ресурсом експлуатації для наземної та космічної енергетики.
Characteristics of structures of next-generation silicon photovoltaics device with photoluminescence shortwave solar radiation in the region of maximum photosensitivity, with radial p-n-transitions in microstructures (microwires) of vertical design and conducting quantum wires in the bulk single crystal silicon are analyzed. Increased specific electrical conductivity in planar structures created by clusters of silicon atoms in the amorphous state with the atoms of dopants. Arrays of quantum filaments are a major structural factor in the creation of third generation solar cells with high conversion efficiency, radiation stability and high exploitation resource for terrestrial and space power.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Фотопреобразователи энергии солнечного излучения нового поколения
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Фотопреобразователи энергии солнечного излучения нового поколения
spellingShingle Фотопреобразователи энергии солнечного излучения нового поколения
Ефимов, В.П.
title_short Фотопреобразователи энергии солнечного излучения нового поколения
title_full Фотопреобразователи энергии солнечного излучения нового поколения
title_fullStr Фотопреобразователи энергии солнечного излучения нового поколения
title_full_unstemmed Фотопреобразователи энергии солнечного излучения нового поколения
title_sort фотопреобразователи энергии солнечного излучения нового поколения
author Ефимов, В.П.
author_facet Ефимов, В.П.
publishDate 2010
language Russian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
description Анализируются особенности структур перспективных устройств кремниевой фотовольтаики с фотолюминесценцией коротковолнового солнечного излучения в область их максимальной фоточувствительности, с радиальными p-n-переходами в микроструктурах (микропроволоках) вертикального исполнения и с проводящими квантовыми нитями в объеме монокристалла кремния. Повышенная удельная электрическая проводимость в планарных структурах создается кластерными объединениями атомов кремния в аморфном состоянии с атомами легированной примеси. Массивы квантовых нитей являются основным структурным фактором при создании фотоэлементов третьего поколения с повышенной конверсионной эффективностью, радиационной стабильностью и высоким ресурсом эксплуатации для наземной и космической энергетики. Аналізуються особливості структур перспективних пристроїв кремнієвої фотовольтаікіз фотолюмінесценції короткохвильового сонячного випромінювання в область їх максимальної фоточутливості, з радіальними p-n-переходами в мікроструктура (мікропроволоках) вертикального виконання і з провідними квантовими нитками в обсязі монокристалу кремнію. Підвищена питома електрична провідність у планарних структурах створюється кластерними об’єднаннями атомів кремнію в аморфному станіз атомами легуючої домішки. Масиви квантових ниток є основним структурним фактором при створенні фотоелементів третього покоління з підвищеною конверсійної ефективністю, радіаційної стабільністю та високим ресурсом експлуатації для наземної та космічної енергетики. Characteristics of structures of next-generation silicon photovoltaics device with photoluminescence shortwave solar radiation in the region of maximum photosensitivity, with radial p-n-transitions in microstructures (microwires) of vertical design and conducting quantum wires in the bulk single crystal silicon are analyzed. Increased specific electrical conductivity in planar structures created by clusters of silicon atoms in the amorphous state with the atoms of dopants. Arrays of quantum filaments are a major structural factor in the creation of third generation solar cells with high conversion efficiency, radiation stability and high exploitation resource for terrestrial and space power.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98854
citation_txt Фотопреобразователи энергии солнечного излучения нового поколения / В.П. Ефимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 100–115. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT efimovvp fotopreobrazovateliénergiisolnečnogoizlučeniânovogopokoleniâ
first_indexed 2025-11-30T13:31:52Z
last_indexed 2025-11-30T13:31:52Z
_version_ 1850857682685132800

Схожі ресурси