APA (7th ed.) Citation

Алиев, Р., Мухтаров, Э., & Олимов, Л. (2010). Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур. Физическая инженерия поверхности.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Алиев, Р, Э Мухтаров, and Л Олимов. "Неразрушающий метод измерения глубины залегания P-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур." Физическая инженерия поверхности 2010.

MLA (8th ed.) Citation

Алиев, Р, et al. "Неразрушающий метод измерения глубины залегания P-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур." Физическая инженерия поверхности, 2010.

Warning: These citations may not always be 100% accurate.