Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур
В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины
 залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических
 приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства,
 по сравнени...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98867 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур / Р. Алиев, Э. Мухтаров, Л. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 169–172. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862535484931047424 |
|---|---|
| author | Алиев, Р. Мухтаров, Э. Олимов, Л. |
| author_facet | Алиев, Р. Мухтаров, Э. Олимов, Л. |
| citation_txt | Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур / Р. Алиев, Э. Мухтаров, Л. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 169–172. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины
залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических
приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства,
по сравнению с традиционными методами, исключает громоздкие математические вычисления,
сокращает длительность и упрощает процесс измерения.
У роботі описані результати розробки нового неруйнівного методу виміру глибини залягання
р-n-переходу в структурах, призначених для виготовлення фотоелектричних приладів. Запропонований метод дозволяє використовувати більш прості технічні засоби, у порівнянні із традиційними методами, виключає громіздкі математичні обчислення, скорочує тривалість і спрощує процес виміру.
This paper describes the results of a new nondestructive method for measuring the depth of the p-njunction
in the structures for the manufacture of photovoltaic devices. The proposed method allows
the use of simple technical means, as compared with traditional methods, eliminates the cumbersome
mathematical calculations, shortens and simplifies the process of measurement.
|
| first_indexed | 2025-11-24T09:56:34Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98867 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T09:56:34Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Алиев, Р. Мухтаров, Э. Олимов, Л. 2016-04-18T17:45:36Z 2016-04-18T17:45:36Z 2010 Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур / Р. Алиев, Э. Мухтаров, Л. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 169–172. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 1999-8074 PACS: 42.70.Nq, 61.82.Fk, 78.40.Fy, 78.55.Ap, 68.47.Fg, 71.20.Mq, 78.40.Fy, 82.53.Mj https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98867 В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины
 залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических
 приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства,
 по сравнению с традиционными методами, исключает громоздкие математические вычисления,
 сокращает длительность и упрощает процесс измерения. У роботі описані результати розробки нового неруйнівного методу виміру глибини залягання
 р-n-переходу в структурах, призначених для виготовлення фотоелектричних приладів. Запропонований метод дозволяє використовувати більш прості технічні засоби, у порівнянні із традиційними методами, виключає громіздкі математичні обчислення, скорочує тривалість і спрощує процес виміру. This paper describes the results of a new nondestructive method for measuring the depth of the p-njunction
 in the structures for the manufacture of photovoltaic devices. The proposed method allows
 the use of simple technical means, as compared with traditional methods, eliminates the cumbersome
 mathematical calculations, shortens and simplifies the process of measurement. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур Article published earlier |
| spellingShingle | Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур Алиев, Р. Мухтаров, Э. Олимов, Л. |
| title | Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| title_full | Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| title_fullStr | Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| title_full_unstemmed | Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| title_short | Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| title_sort | неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98867 |
| work_keys_str_mv | AT alievr nerazrušaûŝiimetodizmereniâglubinyzaleganiâpnperehodapoluprovodnikovyhfotoélektričeskihstruktur AT muhtarové nerazrušaûŝiimetodizmereniâglubinyzaleganiâpnperehodapoluprovodnikovyhfotoélektričeskihstruktur AT olimovl nerazrušaûŝiimetodizmereniâglubinyzaleganiâpnperehodapoluprovodnikovyhfotoélektričeskihstruktur |