Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур
В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства, по сравнению с традиционными метода...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98867 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур / Р. Алиев, Э. Мухтаров, Л. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 169–172. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98867 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Алиев, Р. Мухтаров, Э. Олимов, Л. 2016-04-18T17:45:36Z 2016-04-18T17:45:36Z 2010 Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур / Р. Алиев, Э. Мухтаров, Л. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 169–172. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 1999-8074 PACS: 42.70.Nq, 61.82.Fk, 78.40.Fy, 78.55.Ap, 68.47.Fg, 71.20.Mq, 78.40.Fy, 82.53.Mj https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98867 В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства, по сравнению с традиционными методами, исключает громоздкие математические вычисления, сокращает длительность и упрощает процесс измерения. У роботі описані результати розробки нового неруйнівного методу виміру глибини залягання р-n-переходу в структурах, призначених для виготовлення фотоелектричних приладів. Запропонований метод дозволяє використовувати більш прості технічні засоби, у порівнянні із традиційними методами, виключає громіздкі математичні обчислення, скорочує тривалість і спрощує процес виміру. This paper describes the results of a new nondestructive method for measuring the depth of the p-njunction in the structures for the manufacture of photovoltaic devices. The proposed method allows the use of simple technical means, as compared with traditional methods, eliminates the cumbersome mathematical calculations, shortens and simplifies the process of measurement. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| spellingShingle |
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур Алиев, Р. Мухтаров, Э. Олимов, Л. |
| title_short |
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| title_full |
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| title_fullStr |
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| title_full_unstemmed |
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| title_sort |
неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур |
| author |
Алиев, Р. Мухтаров, Э. Олимов, Л. |
| author_facet |
Алиев, Р. Мухтаров, Э. Олимов, Л. |
| publishDate |
2010 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| description |
В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины
залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических
приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства,
по сравнению с традиционными методами, исключает громоздкие математические вычисления,
сокращает длительность и упрощает процесс измерения.
У роботі описані результати розробки нового неруйнівного методу виміру глибини залягання
р-n-переходу в структурах, призначених для виготовлення фотоелектричних приладів. Запропонований метод дозволяє використовувати більш прості технічні засоби, у порівнянні із традиційними методами, виключає громіздкі математичні обчислення, скорочує тривалість і спрощує процес виміру.
This paper describes the results of a new nondestructive method for measuring the depth of the p-njunction
in the structures for the manufacture of photovoltaic devices. The proposed method allows
the use of simple technical means, as compared with traditional methods, eliminates the cumbersome
mathematical calculations, shortens and simplifies the process of measurement.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98867 |
| fulltext |
|
| citation_txt |
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур / Р. Алиев, Э. Мухтаров, Л. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 169–172. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT alievr nerazrušaûŝiimetodizmereniâglubinyzaleganiâpnperehodapoluprovodnikovyhfotoélektričeskihstruktur AT muhtarové nerazrušaûŝiimetodizmereniâglubinyzaleganiâpnperehodapoluprovodnikovyhfotoélektričeskihstruktur AT olimovl nerazrušaûŝiimetodizmereniâglubinyzaleganiâpnperehodapoluprovodnikovyhfotoélektričeskihstruktur |
| first_indexed |
2025-11-24T09:56:34Z |
| last_indexed |
2025-11-24T09:56:34Z |
| _version_ |
1850844652983287808 |