Buchumschlag

Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур

В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины
 залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических
 приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства,
 по сравнени...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2010
Hauptverfasser: Алиев, Р., Мухтаров, Э., Олимов, Л.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98867
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур / Р. Алиев, Э. Мухтаров, Л. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 169–172. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge