Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2010
• 1. Verfasser: Олимов, Л.О.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98868
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников / Л.О. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173–179. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф
 носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе.
 Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и
 модель р-n-перехода в МЗГ. Полученные результаты представляют существенный интерес при
 исследованиях поликристаллических полупроводниковых р-n-структур. У роботі експериментально досліджені впливи міжзернових границь (МЗГ) на дрейф носіїв
 заряду в об’ємі полікристалічного кремнію (ПК) і р-n-структур на їхній основі. Запропоновано
 модель р-n-переходу в області МЗГ ПК р-n-структур. Запропоновані метод і модель р-n-переходу
 в МЗГ. Отримані результати становлять істотний інтерес при дослідженнях полікристалічних
 напівпровідникових р-n-структур. We experimentally investigated the influence of inter-grain boundaries on the drift of charge carriers
 in the volume of polycrystalline silicon (PC) and p-n-structures based on them. A model of p-njunction
 in IGBs PC p-n-structures. The proposed method and model p-n-junction in the intergrain
 boundaries, and the results represent a significant interest in studies of polycrystalline semiconductor
 p-n-structures.