Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников
В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф
 носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе.
 Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и
 модель р-n-перехода в...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98868 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников / Л.О. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173–179. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862747498098982912 |
|---|---|
| author | Олимов, Л.О. |
| author_facet | Олимов, Л.О. |
| citation_txt | Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников / Л.О. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173–179. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф
носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе.
Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и
модель р-n-перехода в МЗГ. Полученные результаты представляют существенный интерес при
исследованиях поликристаллических полупроводниковых р-n-структур.
У роботі експериментально досліджені впливи міжзернових границь (МЗГ) на дрейф носіїв
заряду в об’ємі полікристалічного кремнію (ПК) і р-n-структур на їхній основі. Запропоновано
модель р-n-переходу в області МЗГ ПК р-n-структур. Запропоновані метод і модель р-n-переходу
в МЗГ. Отримані результати становлять істотний інтерес при дослідженнях полікристалічних
напівпровідникових р-n-структур.
We experimentally investigated the influence of inter-grain boundaries on the drift of charge carriers
in the volume of polycrystalline silicon (PC) and p-n-structures based on them. A model of p-njunction
in IGBs PC p-n-structures. The proposed method and model p-n-junction in the intergrain
boundaries, and the results represent a significant interest in studies of polycrystalline semiconductor
p-n-structures.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:50:52Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98868 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:50:52Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Олимов, Л.О. 2016-04-18T17:48:28Z 2016-04-18T17:48:28Z 2010 Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников / Л.О. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173–179. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1999-8074 PACS: 61.82.Fk, 61.72.Mm, 79.40.+z, 61.82.Rx, 73.22.-f, 73.61.-r, 73.90.+f, 73.43.Jn, 73.50.Lw, 72.40.+w, 73.50.Pz https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98868 666.3.017 В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф
 носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе.
 Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и
 модель р-n-перехода в МЗГ. Полученные результаты представляют существенный интерес при
 исследованиях поликристаллических полупроводниковых р-n-структур. У роботі експериментально досліджені впливи міжзернових границь (МЗГ) на дрейф носіїв
 заряду в об’ємі полікристалічного кремнію (ПК) і р-n-структур на їхній основі. Запропоновано
 модель р-n-переходу в області МЗГ ПК р-n-структур. Запропоновані метод і модель р-n-переходу
 в МЗГ. Отримані результати становлять істотний інтерес при дослідженнях полікристалічних
 напівпровідникових р-n-структур. We experimentally investigated the influence of inter-grain boundaries on the drift of charge carriers
 in the volume of polycrystalline silicon (PC) and p-n-structures based on them. A model of p-njunction
 in IGBs PC p-n-structures. The proposed method and model p-n-junction in the intergrain
 boundaries, and the results represent a significant interest in studies of polycrystalline semiconductor
 p-n-structures. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников Article published earlier |
| spellingShingle | Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников Олимов, Л.О. |
| title | Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников |
| title_full | Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников |
| title_fullStr | Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников |
| title_full_unstemmed | Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников |
| title_short | Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников |
| title_sort | модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98868 |
| work_keys_str_mv | AT olimovlo modelʹmežzerennoigranicyvrnstrukturahnaosnovepolikristalličeskihpoluprovodnikov |