Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников
В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе. Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и модель р-n-перехода в МЗГ. Полученные результ...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98868 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников / Л.О. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173–179. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98868 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Олимов, Л.О. 2016-04-18T17:48:28Z 2016-04-18T17:48:28Z 2010 Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников / Л.О. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173–179. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1999-8074 PACS: 61.82.Fk, 61.72.Mm, 79.40.+z, 61.82.Rx, 73.22.-f, 73.61.-r, 73.90.+f, 73.43.Jn, 73.50.Lw, 72.40.+w, 73.50.Pz https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98868 666.3.017 В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе. Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и модель р-n-перехода в МЗГ. Полученные результаты представляют существенный интерес при исследованиях поликристаллических полупроводниковых р-n-структур. У роботі експериментально досліджені впливи міжзернових границь (МЗГ) на дрейф носіїв заряду в об’ємі полікристалічного кремнію (ПК) і р-n-структур на їхній основі. Запропоновано модель р-n-переходу в області МЗГ ПК р-n-структур. Запропоновані метод і модель р-n-переходу в МЗГ. Отримані результати становлять істотний інтерес при дослідженнях полікристалічних напівпровідникових р-n-структур. We experimentally investigated the influence of inter-grain boundaries on the drift of charge carriers in the volume of polycrystalline silicon (PC) and p-n-structures based on them. A model of p-njunction in IGBs PC p-n-structures. The proposed method and model p-n-junction in the intergrain boundaries, and the results represent a significant interest in studies of polycrystalline semiconductor p-n-structures. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников |
| spellingShingle |
Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников Олимов, Л.О. |
| title_short |
Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников |
| title_full |
Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников |
| title_fullStr |
Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников |
| title_full_unstemmed |
Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников |
| title_sort |
модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников |
| author |
Олимов, Л.О. |
| author_facet |
Олимов, Л.О. |
| publishDate |
2010 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| description |
В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф
носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе.
Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и
модель р-n-перехода в МЗГ. Полученные результаты представляют существенный интерес при
исследованиях поликристаллических полупроводниковых р-n-структур.
У роботі експериментально досліджені впливи міжзернових границь (МЗГ) на дрейф носіїв
заряду в об’ємі полікристалічного кремнію (ПК) і р-n-структур на їхній основі. Запропоновано
модель р-n-переходу в області МЗГ ПК р-n-структур. Запропоновані метод і модель р-n-переходу
в МЗГ. Отримані результати становлять істотний інтерес при дослідженнях полікристалічних
напівпровідникових р-n-структур.
We experimentally investigated the influence of inter-grain boundaries on the drift of charge carriers
in the volume of polycrystalline silicon (PC) and p-n-structures based on them. A model of p-njunction
in IGBs PC p-n-structures. The proposed method and model p-n-junction in the intergrain
boundaries, and the results represent a significant interest in studies of polycrystalline semiconductor
p-n-structures.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98868 |
| citation_txt |
Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников / Л.О. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173–179. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT olimovlo modelʹmežzerennoigranicyvrnstrukturahnaosnovepolikristalličeskihpoluprovodnikov |
| first_indexed |
2025-12-07T20:50:52Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:50:52Z |
| _version_ |
1850884124603056128 |