Зображення обкладинки

Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников

В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе. Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и модель р-n-перехода в...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физическая инженерия поверхности
Дата:	2010
Автор:	Олимов, Л.О.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98868
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников / Л.О. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173–179. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

О низкотемпературном скольжении по межзеренной границе
за авторством: Бакай, А.С., та інші
Опубліковано: (2017)

Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001)

Большеугловые низкоэнергетические границы в мартенситных структурах доэвтектоидных сталей
за авторством: Сухомлин, Г.Д.
Опубліковано: (2013)

Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2003)

Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов
за авторством: Олимов, Л.О., та інші
Опубліковано: (2016)

Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
за авторством: Болгов, С.С.
Опубліковано: (2001)

Адсорбенты для биологических сред на основе наноалмазных поликристаллических порошков
за авторством: Богатырева, Г.П., та інші
Опубліковано: (2008)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
за авторством: Колежук, К.В., та інші
Опубліковано: (2003)

Взаимодействие магнитных слоев и поляризация спинов электронов в четырехслойных структурах из ферромагнитного и немагнитного полупроводников
за авторством: Зорченко, В.В., та інші
Опубліковано: (2003)

Спиновая поляризация квазичастичных состояний в S/F- структурах с конечной прозрачностью SF-границы
за авторством: Кошина, Е.А., та інші
Опубліковано: (2000)

Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
за авторством: Слободянюк, И.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Оптика полупроводников с линейным электронным спектром
за авторством: Фальковский, Л.А.
Опубліковано: (2011)

Разработка неразрушающего метода контроля поликристаллических сверхтвердых материалов на основе плотных форм нитрида бора
за авторством: Ножкина, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Применение поликристаллических диффузионных барьеров
за авторством: Цымбал, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅
за авторством: Аркуша, Ю.В.
Опубліковано: (2002)

Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC
за авторством: Стыров, В.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Влияние свойств микропорошков алмаза на прочность и долговечность изготовленных на их основе поликристаллических сверхтвердых материалов
за авторством: Лошак, М.Г., та інші
Опубліковано: (2008)

Модель дисперсии в нестационарном отрывном сдвиговом течении вблизи границы сложной формы
за авторством: Францезе, П., та інші
Опубліковано: (2001)

Магниторезистивные свойства неоднородного состояния антиферромагнитных полупроводников
за авторством: Криворучко, В.Н.
Опубліковано: (1996)

Устройство для бесконтактного измерения электропроводности полупроводников
за авторством: Ascheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)

Устройство для бесконтактного измерения электропроводности полупроводников
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Спекание поликристаллических материалов на основе кубического нитрида бора из субмикронных порошков, содержащих фракции нанодиапазона
за авторством: Беженар, Н.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Влияние предобработки исходного порошка алмаза в среде водорода на микротвердость поликристаллических образцов на его основе
за авторством: Олейник, Г.С., та інші
Опубліковано: (2013)

О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Свойства поликристаллических пленок магнетита Fe₃O₄
за авторством: Андреева, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)

Пластические ротации в поликристаллических фольгах алюминия
за авторством: Бадиян, Е.Е., та інші
Опубліковано: (2015)

Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников
за авторством: Васильев, В.А.
Опубліковано: (2002)

Моделирование процессов бесконтактного химикомеханического изготовления подложек полупроводников
за авторством: Григорьев, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2003)

Сравнительные физико-механические характеристики микропорошков синтетического и природного алмаза и поликристаллических композиционных материалов на их основе
за авторством: Шульженко, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
за авторством: Джафарова, Э.А.
Опубліковано: (2006)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
за авторством: Jafarova, E. A.
Опубліковано: (2006)

Синтез и импедансометрические исследования сегнетоэлектриков-полупроводников на основе (1–x)BaTiO₃—x(Bi₀.₅Na₀.₅)TiO₃
за авторством: Плутенко, Т.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Изучение свойств контактов кремния с барьером Шоттки, изготовленных на основе аморфных и поликристаллических различных металлических сплавов
за авторством: Пашаев, И.Г.
Опубліковано: (2012)

Колебания неизотермической N/S границы с высокой частотой и большой амплитудой
за авторством: Безуглый, А.И., та інші
Опубліковано: (2016)

Задачи рассеяния на возмущении границы слоя
за авторством: Барковский, В. В.
Опубліковано: (1999)

XV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2004)

XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2009)