Cover Image

Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников

В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф
 носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе.
 Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и
 модель р-n-перехода в...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физическая инженерия поверхности
Date:2010
Main Author: Олимов, Л.О.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98868
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников / Л.О. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173–179. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items