Buchumschlag

Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников

В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе. Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и модель р-n-перехода в...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физическая инженерия поверхности
Datum:	2010
1. Verfasser:	Олимов, Л.О.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98868
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников / Л.О. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173–179. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

О низкотемпературном скольжении по межзеренной границе
von: Бакай, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Большеугловые низкоэнергетические границы в мартенситных структурах доэвтектоидных сталей
von: Сухомлин, Г.Д.
Veröffentlicht: (2013)

Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов
von: Олимов, Л.О., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
von: Болгов, С.С.
Veröffentlicht: (2001)

Адсорбенты для биологических сред на основе наноалмазных поликристаллических порошков
von: Богатырева, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
von: Колежук, К.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Взаимодействие магнитных слоев и поляризация спинов электронов в четырехслойных структурах из ферромагнитного и немагнитного полупроводников
von: Зорченко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Спиновая поляризация квазичастичных состояний в S/F- структурах с конечной прозрачностью SF-границы
von: Кошина, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
von: Слободянюк, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Оптика полупроводников с линейным электронным спектром
von: Фальковский, Л.А.
Veröffentlicht: (2011)

Разработка неразрушающего метода контроля поликристаллических сверхтвердых материалов на основе плотных форм нитрида бора
von: Ножкина, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Применение поликристаллических диффузионных барьеров
von: Цымбал, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅
von: Аркуша, Ю.В.
Veröffentlicht: (2002)

Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC
von: Стыров, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Модель дисперсии в нестационарном отрывном сдвиговом течении вблизи границы сложной формы
von: Францезе, П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Влияние свойств микропорошков алмаза на прочность и долговечность изготовленных на их основе поликристаллических сверхтвердых материалов
von: Лошак, М.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Магниторезистивные свойства неоднородного состояния антиферромагнитных полупроводников
von: Криворучко, В.Н.
Veröffentlicht: (1996)

Устройство для бесконтактного измерения электропроводности полупроводников
von: Ascheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Устройство для бесконтактного измерения электропроводности полупроводников
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Спекание поликристаллических материалов на основе кубического нитрида бора из субмикронных порошков, содержащих фракции нанодиапазона
von: Беженар, Н.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние предобработки исходного порошка алмаза в среде водорода на микротвердость поликристаллических образцов на его основе
von: Олейник, Г.С., et al.
Veröffentlicht: (2013)

О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Свойства поликристаллических пленок магнетита Fe₃O₄
von: Андреева, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Пластические ротации в поликристаллических фольгах алюминия
von: Бадиян, Е.Е., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Информационно-измерительный комплекс для оптоемкостной спектроскопии полупроводников
von: Васильев, В.А.
Veröffentlicht: (2002)

Моделирование процессов бесконтактного химикомеханического изготовления подложек полупроводников
von: Григорьев, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Сравнительные физико-механические характеристики микропорошков синтетического и природного алмаза и поликристаллических композиционных материалов на их основе
von: Шульженко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Синтез и импедансометрические исследования сегнетоэлектриков-полупроводников на основе (1–x)BaTiO₃—x(Bi₀.₅Na₀.₅)TiO₃
von: Плутенко, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
von: Джафарова, Э.А.
Veröffentlicht: (2006)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
von: Jafarova, E. A.
Veröffentlicht: (2006)

Колебания неизотермической N/S границы с высокой частотой и большой амплитудой
von: Безуглый, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Изучение свойств контактов кремния с барьером Шоттки, изготовленных на основе аморфных и поликристаллических различных металлических сплавов
von: Пашаев, И.Г.
Veröffentlicht: (2012)

Задачи рассеяния на возмущении границы слоя
von: Барковский, В. В.
Veröffentlicht: (1999)

XV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2004)

XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2009)