Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников
В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе. Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и модель р-n-перехода в МЗГ. Полученные результ...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Author: | Олимов, Л.О. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98868 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников / Л.О. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173–179. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
О низкотемпературном скольжении по межзеренной границе
by: Бакай, А.С., et al.
Published: (2017) -
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2001) -
Большеугловые низкоэнергетические границы в мартенситных структурах доэвтектоидных сталей
by: Сухомлин, Г.Д.
Published: (2013) -
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2003) -
Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов
by: Олимов, Л.О., et al.
Published: (2016)