Исследование состава и структуры пленок на основе Si-Ge сплавов ядерно-физическими методами анализа на пучках протонов
Исследованы возможности определения массового содержимого, толщины и профилей концентрации кремния и фосфора в тонких пленках изготовленных по газо-фторидной технологии.
 Разработана методика неразорительного анализа поверхностных пластов и переходного пласта
 между бинарной Sі-Ge пл...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98871 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование состава и структуры пленок на основе Si-Ge сплавов ядерно-физическими методами анализа на пучках протонов / В.В. Левенец, А.А. Щур, Б.М. Широков // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 130–137. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862593614249459712 |
|---|---|
| author | Левенец, В.В. Щур, А.А. Широков, Б.М. |
| author_facet | Левенец, В.В. Щур, А.А. Широков, Б.М. |
| citation_txt | Исследование состава и структуры пленок на основе Si-Ge сплавов ядерно-физическими методами анализа на пучках протонов / В.В. Левенец, А.А. Щур, Б.М. Широков // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 130–137. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Исследованы возможности определения массового содержимого, толщины и профилей концентрации кремния и фосфора в тонких пленках изготовленных по газо-фторидной технологии.
Разработана методика неразорительного анализа поверхностных пластов и переходного пласта
между бинарной Sі-Ge пленкой и подложкой из кремния на основе регистрации рентгеновского
и γ-излучение возбуждаемого ускоренными протонами. Проведены исследования серии
изделий, отличающихся материалом подложки, технологией изготовления и массовым содержимым. Сделаны выводы относительно возможности применения подобных аналитических
методов для изучения физических процессов, связанных с изготовлением многослойных
полупроводниковых структур.
Досліджено можливості визначення масового вмісту, товщини та профілів концентрації кремнію
та фосфору у тонких плівках виготовлених за газо-фторидною технологією. Розроблено методику неруйнівного аналізу поверхневих шарів та перехідного шару між бінарною Si-Ge плівкою
та підложкою з кремнію на основі реєстрації рентгенівського та γ-випромінювання збуджуваного прискореними протонами. Проведено дослідження серії виробів, що відрізнялися матеріалом підложки, технологією виготовлення та масовим вмістом. Зроблено висновки щодо
можливості застосування подібних аналітичних методів для вивчення фізичних процесів,
пов’язаних із виготовленням багатошарових напівпровідникових структур.
The possibilities were studied of the determination of mass content, thicknesses and depth profiles of
silicon and phosphorus in thin films which were made using CVD-technique. The method was
developed of non destructive analysis of the surface layers and transition layer between of binary SiGe-film
and the Si-backing using PIXE and PIGE. The studying was made of series of samples with
various materials of the backing, technology of production and mass content. The conclusions about
the application of the such methods to the studying of physical processes associated with the fabrication
of multilayer semiconductor structures were drawn.
|
| first_indexed | 2025-11-27T10:15:43Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98871 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T10:15:43Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Левенец, В.В. Щур, А.А. Широков, Б.М. 2016-04-18T17:59:02Z 2016-04-18T17:59:02Z 2010 Исследование состава и структуры пленок на основе Si-Ge сплавов ядерно-физическими методами анализа на пучках протонов / В.В. Левенец, А.А. Щур, Б.М. Широков // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 130–137. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98871 539.12.074 Исследованы возможности определения массового содержимого, толщины и профилей концентрации кремния и фосфора в тонких пленках изготовленных по газо-фторидной технологии.
 Разработана методика неразорительного анализа поверхностных пластов и переходного пласта
 между бинарной Sі-Ge пленкой и подложкой из кремния на основе регистрации рентгеновского
 и γ-излучение возбуждаемого ускоренными протонами. Проведены исследования серии
 изделий, отличающихся материалом подложки, технологией изготовления и массовым содержимым. Сделаны выводы относительно возможности применения подобных аналитических
 методов для изучения физических процессов, связанных с изготовлением многослойных
 полупроводниковых структур. Досліджено можливості визначення масового вмісту, товщини та профілів концентрації кремнію
 та фосфору у тонких плівках виготовлених за газо-фторидною технологією. Розроблено методику неруйнівного аналізу поверхневих шарів та перехідного шару між бінарною Si-Ge плівкою
 та підложкою з кремнію на основі реєстрації рентгенівського та γ-випромінювання збуджуваного прискореними протонами. Проведено дослідження серії виробів, що відрізнялися матеріалом підложки, технологією виготовлення та масовим вмістом. Зроблено висновки щодо
 можливості застосування подібних аналітичних методів для вивчення фізичних процесів,
 пов’язаних із виготовленням багатошарових напівпровідникових структур. The possibilities were studied of the determination of mass content, thicknesses and depth profiles of
 silicon and phosphorus in thin films which were made using CVD-technique. The method was
 developed of non destructive analysis of the surface layers and transition layer between of binary SiGe-film
 and the Si-backing using PIXE and PIGE. The studying was made of series of samples with
 various materials of the backing, technology of production and mass content. The conclusions about
 the application of the such methods to the studying of physical processes associated with the fabrication
 of multilayer semiconductor structures were drawn. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Исследование состава и структуры пленок на основе Si-Ge сплавов ядерно-физическими методами анализа на пучках протонов Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование состава и структуры пленок на основе Si-Ge сплавов ядерно-физическими методами анализа на пучках протонов Левенец, В.В. Щур, А.А. Широков, Б.М. |
| title | Исследование состава и структуры пленок на основе Si-Ge сплавов ядерно-физическими методами анализа на пучках протонов |
| title_full | Исследование состава и структуры пленок на основе Si-Ge сплавов ядерно-физическими методами анализа на пучках протонов |
| title_fullStr | Исследование состава и структуры пленок на основе Si-Ge сплавов ядерно-физическими методами анализа на пучках протонов |
| title_full_unstemmed | Исследование состава и структуры пленок на основе Si-Ge сплавов ядерно-физическими методами анализа на пучках протонов |
| title_short | Исследование состава и структуры пленок на основе Si-Ge сплавов ядерно-физическими методами анализа на пучках протонов |
| title_sort | исследование состава и структуры пленок на основе si-ge сплавов ядерно-физическими методами анализа на пучках протонов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98871 |
| work_keys_str_mv | AT levenecvv issledovaniesostavaistrukturyplenoknaosnovesigesplavovâdernofizičeskimimetodamianalizanapučkahprotonov AT ŝuraa issledovaniesostavaistrukturyplenoknaosnovesigesplavovâdernofizičeskimimetodamianalizanapučkahprotonov AT širokovbm issledovaniesostavaistrukturyplenoknaosnovesigesplavovâdernofizičeskimimetodamianalizanapučkahprotonov |