Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом
Смещение атомов легирования в скрытых треках структуры монокристаллического кремния приводит к изгибу энергетических зон, т.е. к созданию разделительного электрического поля для носителей заряда. Образование проводящих квантовых нитей в объеме кристалла обеспечит повышение эффективности (увели...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98881 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом / В.П. Ефимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 198–202. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98881 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Ефимов, В.П. 2016-04-18T18:37:07Z 2016-04-18T18:37:07Z 2010 Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом / В.П. Ефимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 198–202. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98881 621.30.49.77 Смещение атомов легирования в скрытых треках структуры монокристаллического кремния приводит к изгибу энергетических зон, т.е. к созданию разделительного электрического поля для носителей заряда. Образование проводящих квантовых нитей в объеме кристалла обеспечит повышение эффективности (увеличение токосъема) и радиационной устойчивости кремниевых фотоэлементов для специального применения их в условиях Земли и космического пространства. Зсув атомів легування у прихованих треках структури монокристалічного кремнію приводить до згину енергетичних зон, тобто до створення розділового електричного поля для носіїв заряду. Створення провідних квантових ниток в обсязі кристала забезпечить підвищення ефективності (збільшення збору носіїв заряду) та радіаційної стійкості кремнієвих фотоелементів для спеціального застосування їх в умовах Землі та космічного простору. Displacement of dopants atoms in the structure of hidden track of monocrystalline silicon leads to the bending of energy bands, i.e. to the formation of the separating electric field for charge carriers. The formation of conductive quantum filaments in the crystal bulk will improve the effectiveness (increase in current collection), and radiation hardness of silicon solar cells for specific use them on Earth and in outer space. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом |
| spellingShingle |
Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом Ефимов, В.П. |
| title_short |
Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом |
| title_full |
Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом |
| title_fullStr |
Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом |
| title_full_unstemmed |
Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом |
| title_sort |
создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом |
| author |
Ефимов, В.П. |
| author_facet |
Ефимов, В.П. |
| publishDate |
2010 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| description |
Смещение атомов легирования в скрытых треках структуры монокристаллического кремния
приводит к изгибу энергетических зон, т.е. к созданию разделительного электрического поля
для носителей заряда. Образование проводящих квантовых нитей в объеме кристалла обеспечит
повышение эффективности (увеличение токосъема) и радиационной устойчивости кремниевых
фотоэлементов для специального применения их в условиях Земли и космического пространства.
Зсув атомів легування у прихованих треках структури монокристалічного кремнію приводить
до згину енергетичних зон, тобто до створення розділового електричного поля для носіїв заряду.
Створення провідних квантових ниток в обсязі кристала забезпечить підвищення ефективності
(збільшення збору носіїв заряду) та радіаційної стійкості кремнієвих фотоелементів для спеціального застосування їх в умовах Землі та космічного простору.
Displacement of dopants atoms in the structure of hidden track of monocrystalline silicon leads to
the bending of energy bands, i.e. to the formation of the separating electric field for charge carriers.
The formation of conductive quantum filaments in the crystal bulk will improve the effectiveness
(increase in current collection), and radiation hardness of silicon solar cells for specific use them on
Earth and in outer space.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98881 |
| citation_txt |
Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом / В.П. Ефимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 198–202. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT efimovvp sozdanieprostranstvennyhkvantovyhniteivobʺememonokristalličeskogokremniâkulonovskimvzryvom |
| first_indexed |
2025-12-07T16:42:40Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:42:40Z |
| _version_ |
1850868509018423296 |