О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2010
• 1. Verfasser: Сычикова, Я.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98897
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 228–230. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

В данной работе рассмотрена возможность получения тонких пленок InN на пористых подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Пористый фосфид индия получали методом электрохимического травления. На поверхности пористого InP методами оже-спектроскопии было доказано образование пленок InN. По результатам оже-спектроскопии, толщина пленки InN составила от 100 нм до 0,5 мкм в зависимости от технологических условий. У даній роботі розглянуто можливість отримання плівок InN на поруватих підкладках InP методом радикало-променевої гетеруючої епітаксії. Поруватий фосфід індію отримували методом електрохімічного травлення. На поверхні поруватого InP методом оже-спектроскопії було доведено утворення плівок InN. За результатами оже-спектроскопії, товщина плівок InN склала від 100 нм до 0,5 мкм в залежності від технологічних умов травлення. In this paper we consider the possibility of obtaining thin films of InN on porous InP substrates by radical-beam gettering epitaxy. Porous InP obtained by electrochemical etching. On the surface of porous InP by Auger-spectroscopy has been proven education films InN. According to the results of Auger spectroscopy, InN film thickness ranged from 100 nm to 0.5 microns, depending on technological conditions.