О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия

О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия

В данной работе рассмотрена возможность получения тонких пленок InN на пористых подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Пористый фосфид индия получали методом электрохимического травления. На поверхности пористого InP методами оже-спектроскопии было доказано образование пл...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физическая инженерия поверхности
Date:2010
Main Author: Сычикова, Я.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98897
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 228–230. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98897
record_format dspace
spelling Сычикова, Я.А.
2016-04-19T13:07:01Z
2016-04-19T13:07:01Z
2010
О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 228–230. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98897
621.315.592; 537.529
В данной работе рассмотрена возможность получения тонких пленок InN на пористых подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Пористый фосфид индия получали методом электрохимического травления. На поверхности пористого InP методами оже-спектроскопии было доказано образование пленок InN. По результатам оже-спектроскопии, толщина пленки InN составила от 100 нм до 0,5 мкм в зависимости от технологических условий.
У даній роботі розглянуто можливість отримання плівок InN на поруватих підкладках InP методом радикало-променевої гетеруючої епітаксії. Поруватий фосфід індію отримували методом електрохімічного травлення. На поверхні поруватого InP методом оже-спектроскопії було доведено утворення плівок InN. За результатами оже-спектроскопії, товщина плівок InN склала від 100 нм до 0,5 мкм в залежності від технологічних умов травлення.
In this paper we consider the possibility of obtaining thin films of InN on porous InP substrates by radical-beam gettering epitaxy. Porous InP obtained by electrochemical etching. On the surface of porous InP by Auger-spectroscopy has been proven education films InN. According to the results of Auger spectroscopy, InN film thickness ranged from 100 nm to 0.5 microns, depending on technological conditions.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
spellingShingle О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
Сычикова, Я.А.
title_short О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
title_full О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
title_fullStr О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
title_full_unstemmed О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
title_sort о перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
author Сычикова, Я.А.
author_facet Сычикова, Я.А.
publishDate 2010
language Russian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
description В данной работе рассмотрена возможность получения тонких пленок InN на пористых подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Пористый фосфид индия получали методом электрохимического травления. На поверхности пористого InP методами оже-спектроскопии было доказано образование пленок InN. По результатам оже-спектроскопии, толщина пленки InN составила от 100 нм до 0,5 мкм в зависимости от технологических условий. У даній роботі розглянуто можливість отримання плівок InN на поруватих підкладках InP методом радикало-променевої гетеруючої епітаксії. Поруватий фосфід індію отримували методом електрохімічного травлення. На поверхні поруватого InP методом оже-спектроскопії було доведено утворення плівок InN. За результатами оже-спектроскопії, товщина плівок InN склала від 100 нм до 0,5 мкм в залежності від технологічних умов травлення. In this paper we consider the possibility of obtaining thin films of InN on porous InP substrates by radical-beam gettering epitaxy. Porous InP obtained by electrochemical etching. On the surface of porous InP by Auger-spectroscopy has been proven education films InN. According to the results of Auger spectroscopy, InN film thickness ranged from 100 nm to 0.5 microns, depending on technological conditions.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98897
citation_txt О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 228–230. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT syčikovaâa operspektivnostiispolʹzovaniâporistogofosfidaindiâvkačestvepodložekdlâplenoknitridaindiâ
first_indexed 2025-12-07T13:30:11Z
last_indexed 2025-12-07T13:30:11Z
_version_ 1850856398979596288

Similar Items