О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
В данной работе рассмотрена возможность получения тонких пленок InN на пористых
 подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Пористый фосфид индия
 получали методом электрохимического травления. На поверхности пористого InP методами
 оже-спектроскопии было...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98897 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | О перспективности использования пористого фосфида
 индия в качестве подложек для пленок нитрида индия / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 228–230. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862623732017659904 |
|---|---|
| author | Сычикова, Я.А. |
| author_facet | Сычикова, Я.А. |
| citation_txt | О перспективности использования пористого фосфида
 индия в качестве подложек для пленок нитрида индия / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 228–230. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | В данной работе рассмотрена возможность получения тонких пленок InN на пористых
подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Пористый фосфид индия
получали методом электрохимического травления. На поверхности пористого InP методами
оже-спектроскопии было доказано образование пленок InN. По результатам оже-спектроскопии, толщина пленки InN составила от 100 нм до 0,5 мкм в зависимости от
технологических условий.
У даній роботі розглянуто можливість отримання плівок InN на поруватих підкладках InP
методом радикало-променевої гетеруючої епітаксії. Поруватий фосфід індію отримували
методом електрохімічного травлення. На поверхні поруватого InP методом оже-спектроскопії
було доведено утворення плівок InN. За результатами оже-спектроскопії, товщина плівок InN
склала від 100 нм до 0,5 мкм в залежності від технологічних умов травлення.
In this paper we consider the possibility of obtaining thin films of InN on porous InP substrates by
radical-beam gettering epitaxy. Porous InP obtained by electrochemical etching. On the surface of
porous InP by Auger-spectroscopy has been proven education films InN. According to the results of
Auger spectroscopy, InN film thickness ranged from 100 nm to 0.5 microns, depending on
technological conditions.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:30:11Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98897 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:30:11Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сычикова, Я.А. 2016-04-19T13:07:01Z 2016-04-19T13:07:01Z 2010 О перспективности использования пористого фосфида
 индия в качестве подложек для пленок нитрида индия / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 228–230. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98897 621.315.592; 537.529 В данной работе рассмотрена возможность получения тонких пленок InN на пористых
 подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Пористый фосфид индия
 получали методом электрохимического травления. На поверхности пористого InP методами
 оже-спектроскопии было доказано образование пленок InN. По результатам оже-спектроскопии, толщина пленки InN составила от 100 нм до 0,5 мкм в зависимости от
 технологических условий. У даній роботі розглянуто можливість отримання плівок InN на поруватих підкладках InP
 методом радикало-променевої гетеруючої епітаксії. Поруватий фосфід індію отримували
 методом електрохімічного травлення. На поверхні поруватого InP методом оже-спектроскопії
 було доведено утворення плівок InN. За результатами оже-спектроскопії, товщина плівок InN
 склала від 100 нм до 0,5 мкм в залежності від технологічних умов травлення. In this paper we consider the possibility of obtaining thin films of InN on porous InP substrates by
 radical-beam gettering epitaxy. Porous InP obtained by electrochemical etching. On the surface of
 porous InP by Auger-spectroscopy has been proven education films InN. According to the results of
 Auger spectroscopy, InN film thickness ranged from 100 nm to 0.5 microns, depending on
 technological conditions. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия Article published earlier |
| spellingShingle | О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия Сычикова, Я.А. |
| title | О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия |
| title_full | О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия |
| title_fullStr | О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия |
| title_full_unstemmed | О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия |
| title_short | О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия |
| title_sort | о перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98897 |
| work_keys_str_mv | AT syčikovaâa operspektivnostiispolʹzovaniâporistogofosfidaindiâvkačestvepodložekdlâplenoknitridaindiâ |