Переохлаждение при кристаллизации эвтектики Ge-Au на аморфной германиевой подложке

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Сухов, Р.В., Миненков, А.А., Крышталь, А.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98903
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Переохлаждение при кристаллизации эвтектики Ge-Au на аморфной германиевой подложке / Р.В. Сухов, А.А. Миненков, А.П. Крышталь // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 265–270. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

На основании электронно-микроскопических исследований слоистых пленочных систем
 эвтектического типа Ge-Au построена размерная зависимость температуры кристаллизации
 жидкой фазы эвтектического состава в контакте с аморфной германиевой подложкой. Измеренный угол смачивания и величина переохлаждения жидкой фазы в системе хорошо коррелируют с эмпирической зависимостью величины переохлаждения при кристаллизации от
 степени взаимодействия с подложкой. В результаті електронно-мікроскопічних досліджень шаруватих плівкових систем евтектичного
 типу Ge-Au побудована розмірна залежність температури кристалізації рідкої фази евтектичного
 складу у контактіз аморфною германієвою підкладкою. Виміряний кут змочування та величина
 переохолодження рідкої фази в системі добре узгоджуються з емпіричною залежністю величини
 переохолодження при кристалізації від рівня взаємодії з підкладкою. Size dependence of the crystallization temperature of Ge-Au eutectic in contact with amorphous Ge
 substrate has been determined on the basis of electron microscopy studies of Ge-Au layered film systems.
 The values of supercooling upon crystallization and wetting angle of liquid phase in Ge-Au
 system have been evaluated and compared with empirical dependence available in literature.