Переохлаждение при кристаллизации эвтектики Ge-Au на аморфной германиевой подложке - Сухов, Р.В.; Миненков, А.А.; Крышталь, А.П. (Физическая инженерия поверхности, 2010)
На основании электронно-микроскопических исследований слоистых пленочных систем
эвтектического типа Ge-Au построена размерная зависимость температуры кристаллизации
жидкой фазы эвтектического состава в контакте с аморфной германиевой подложкой. Измеренный угол смачивания и величина переохлаждения жидкой фазы в системе хорошо коррелируют с эмпирической зависимостью величины переохлаждения при кристаллизации от
степени взаимодействия с подложкой. В результаті електронно-мікроскопічних досліджень шаруватих плівкових систем евтектичного
типу Ge-Au побудована розмірна залежність температури кристалізації рідкої фази евтектичного
складу у контактіз аморфною германієвою підкладкою. Виміряний кут змочування та величина
переохолодження рідкої фази в системі добре узгоджуються з емпіричною залежністю величини
переохолодження при кристалізації від рівня взаємодії з підкладкою. Size dependence of the crystallization temperature of Ge-Au eutectic in contact with amorphous Ge
substrate has been determined on the basis of electron microscopy studies of Ge-Au layered film systems.
The values of supercooling upon crystallization and wetting angle of liquid phase in Ge-Au
system have been evaluated and compared with empirical dependence available in literature.