Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2010
• Автори: Tabatadze, I.G., Jabua, Z.U., Gigineisvili, A.V., Kupreisvili, I.L.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98913
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film / I.G. Tabatadze, Z.U. Jabua, A.V. Gigineisvili, I.L. Kupreisvili // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 333–335. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

A process is described for the growth of thin crystalline TbS films ranging in thickness from 0,3 to 1,8 µm by flash vacuum thermal evaporation from preliminary synthesed bulk crystal of TbS. The films was grown on glass-ceramic, fused silica, sapphire and (111) single-crystal silicon. Thin films had cubic crystal structure (NaCl structure type) with lattice parameters a = 5,52 Å. Разработана технология приготовления тонких кристаллических плёнок толщиной 0,3–1,8 мкм методом взрывного вакуумно- термического испарения предварительно синтезированного объемного кристалла TbS. Подложками служили пластины из ситала, кварца, сапфира и монокристаллического кремния с ориентацией (111). Плёнки имели кубическую решётку (структурный тип NaCl) с параметром решётки a = 5,52 Å.. Розроблено технологію готування тонких кристалічних плівок товщиною 0,3 – 1,8 мкм методом вибухового вакуумно-термічного випару попередньо синтезованого об’ємного кристала TbS. Підкладинками слугували пластини із ситалу, кварцу, сапфіра й монокристалічного кремнію з орієнтацією (111). Плівки мали кубічні ґрати (структурний тип NaCl) з параметром ґрат a = 5,52 Å.