Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film
A process is described for the growth of thin crystalline TbS films ranging in thickness from 0,3 to
 1,8 µm by flash vacuum thermal evaporation from preliminary synthesed bulk crystal of TbS. The
 films was grown on glass-ceramic, fused silica, sapphire and (111) single-crystal si...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98913 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film / I.G. Tabatadze, Z.U. Jabua, A.V. Gigineisvili, I.L. Kupreisvili // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 333–335. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862546305782382592 |
|---|---|
| author | Tabatadze, I.G. Jabua, Z.U. Gigineisvili, A.V. Kupreisvili, I.L. |
| author_facet | Tabatadze, I.G. Jabua, Z.U. Gigineisvili, A.V. Kupreisvili, I.L. |
| citation_txt | Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film / I.G. Tabatadze, Z.U. Jabua, A.V. Gigineisvili, I.L. Kupreisvili // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 333–335. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | A process is described for the growth of thin crystalline TbS films ranging in thickness from 0,3 to
1,8 µm by flash vacuum thermal evaporation from preliminary synthesed bulk crystal of TbS. The
films was grown on glass-ceramic, fused silica, sapphire and (111) single-crystal silicon. Thin films
had cubic crystal structure (NaCl structure type) with lattice parameters a = 5,52 Å.
Разработана технология приготовления тонких кристаллических плёнок толщиной 0,3–1,8 мкм
методом взрывного вакуумно- термического испарения предварительно синтезированного
объемного кристалла TbS. Подложками служили пластины из ситала, кварца, сапфира и монокристаллического кремния с ориентацией (111). Плёнки имели кубическую решётку (структурный тип NaCl) с параметром решётки a = 5,52 Å..
Розроблено технологію готування тонких кристалічних плівок товщиною 0,3 – 1,8 мкм методом
вибухового вакуумно-термічного випару попередньо синтезованого об’ємного кристала TbS.
Підкладинками слугували пластини із ситалу, кварцу, сапфіра й монокристалічного кремнію
з орієнтацією (111). Плівки мали кубічні ґрати (структурний тип NaCl) з параметром ґрат
a = 5,52 Å.
|
| first_indexed | 2025-11-25T12:03:36Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98913 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T12:03:36Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Tabatadze, I.G. Jabua, Z.U. Gigineisvili, A.V. Kupreisvili, I.L. 2016-04-19T14:06:18Z 2016-04-19T14:06:18Z 2010 Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film / I.G. Tabatadze, Z.U. Jabua, A.V. Gigineisvili, I.L. Kupreisvili // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 333–335. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98913 546.65:537.226 A process is described for the growth of thin crystalline TbS films ranging in thickness from 0,3 to
 1,8 µm by flash vacuum thermal evaporation from preliminary synthesed bulk crystal of TbS. The
 films was grown on glass-ceramic, fused silica, sapphire and (111) single-crystal silicon. Thin films
 had cubic crystal structure (NaCl structure type) with lattice parameters a = 5,52 Å. Разработана технология приготовления тонких кристаллических плёнок толщиной 0,3–1,8 мкм
 методом взрывного вакуумно- термического испарения предварительно синтезированного
 объемного кристалла TbS. Подложками служили пластины из ситала, кварца, сапфира и монокристаллического кремния с ориентацией (111). Плёнки имели кубическую решётку (структурный тип NaCl) с параметром решётки a = 5,52 Å.. Розроблено технологію готування тонких кристалічних плівок товщиною 0,3 – 1,8 мкм методом
 вибухового вакуумно-термічного випару попередньо синтезованого об’ємного кристала TbS.
 Підкладинками слугували пластини із ситалу, кварцу, сапфіра й монокристалічного кремнію
 з орієнтацією (111). Плівки мали кубічні ґрати (структурний тип NaCl) з параметром ґрат
 a = 5,52 Å. Authors express L.A.Ivanovoj’s gratitude for
 the help in carrying out of experiments ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film Article published earlier |
| spellingShingle | Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film Tabatadze, I.G. Jabua, Z.U. Gigineisvili, A.V. Kupreisvili, I.L. |
| title | Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film |
| title_full | Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film |
| title_fullStr | Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film |
| title_full_unstemmed | Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film |
| title_short | Preparation of terbium monosulfide thin crystalline film |
| title_sort | preparation of terbium monosulfide thin crystalline film |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98913 |
| work_keys_str_mv | AT tabatadzeig preparationofterbiummonosulfidethincrystallinefilm AT jabuazu preparationofterbiummonosulfidethincrystallinefilm AT gigineisviliav preparationofterbiummonosulfidethincrystallinefilm AT kupreisviliil preparationofterbiummonosulfidethincrystallinefilm |