Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Борисенко, Ю.Н., Береснев, В.М., Литовченко, С.В., Шевцов, А.Б.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98916
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения / Ю.Н. Борисенко, В.М. Береснев, С.В. Литовченко, А.Б. Шевцов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 353–357. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Исследовано влияние облучения протонами на газовыделение в тонкоплёночной системе. Установлено, что протонное облучение инициирует образование на границе раздела плёнка-подложка мелких сферических образований, размеры которых возрастают с ростом дозы. Это
 объясняется выходом на границу раздела внедрённого в подложку водорода. В ходе статистической обработки микроинтерферограмм поверхности плёнки проведен расчёт силовой и
 энергетической характеристик адгезии плёнок к подложкам, а также получено уравнение кинетики роста пузыря на границе раздела и проделана оценка газокинетических характеристик. Досліджено вплив опромінення протонами на газовиділення в тонкоплівковій системі. З’ясовано, що протонне опромінення ініціює утворення на границі розподілу плівка-підкладинка
 дрібних сферичних утворень, розміри яких зростають зі зростанням дози. Це пояснюється виходом на границю розподілу водню, прониклого в підкладинку. Статистична обробка мікроінтерферограм поверхні плівки дозволила розрахувати силову та енергетичну характеристики
 адгезії плівок до підкладинок, а також отримати рівняння кінетики росту пузиря на границі
 розподілу та зробити оцінку газокінетичних характеристик. The processes of the stimulated gas release and gas blister growth are investigated at an interface of
 thin-film systems. The relationship of these processes to the adhesion of a system is established. A
 method to determine the adhesion and to compute the adhesion characteristics in the film-substrate
 system is described. Using the results of this study carried out a series of practical approaches is proposed
 to measure the adhesion of thin films to substrates with the method of stimulated gas release.