Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения

Исследовано влияние облучения протонами на газовыделение в тонкоплёночной системе. Установлено, что протонное облучение инициирует образование на границе раздела плёнка-подложка мелких сферических образований, размеры которых возрастают с ростом дозы. Это
 объясняется выходом на границу разд...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физическая инженерия поверхности
Дата:2010
Автори: Борисенко, Ю.Н., Береснев, В.М., Литовченко, С.В., Шевцов, А.Б.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98916
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения / Ю.Н. Борисенко, В.М. Береснев, С.В. Литовченко, А.Б. Шевцов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 353–357. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862737332973600768
author Борисенко, Ю.Н.
Береснев, В.М.
Литовченко, С.В.
Шевцов, А.Б.
author_facet Борисенко, Ю.Н.
Береснев, В.М.
Литовченко, С.В.
Шевцов, А.Б.
citation_txt Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения / Ю.Н. Борисенко, В.М. Береснев, С.В. Литовченко, А.Б. Шевцов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 353–357. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физическая инженерия поверхности
description Исследовано влияние облучения протонами на газовыделение в тонкоплёночной системе. Установлено, что протонное облучение инициирует образование на границе раздела плёнка-подложка мелких сферических образований, размеры которых возрастают с ростом дозы. Это
 объясняется выходом на границу раздела внедрённого в подложку водорода. В ходе статистической обработки микроинтерферограмм поверхности плёнки проведен расчёт силовой и
 энергетической характеристик адгезии плёнок к подложкам, а также получено уравнение кинетики роста пузыря на границе раздела и проделана оценка газокинетических характеристик. Досліджено вплив опромінення протонами на газовиділення в тонкоплівковій системі. З’ясовано, що протонне опромінення ініціює утворення на границі розподілу плівка-підкладинка
 дрібних сферичних утворень, розміри яких зростають зі зростанням дози. Це пояснюється виходом на границю розподілу водню, прониклого в підкладинку. Статистична обробка мікроінтерферограм поверхні плівки дозволила розрахувати силову та енергетичну характеристики
 адгезії плівок до підкладинок, а також отримати рівняння кінетики росту пузиря на границі
 розподілу та зробити оцінку газокінетичних характеристик. The processes of the stimulated gas release and gas blister growth are investigated at an interface of
 thin-film systems. The relationship of these processes to the adhesion of a system is established. A
 method to determine the adhesion and to compute the adhesion characteristics in the film-substrate
 system is described. Using the results of this study carried out a series of practical approaches is proposed
 to measure the adhesion of thin films to substrates with the method of stimulated gas release.
first_indexed 2025-12-07T19:58:56Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98916
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1999-8074
language Russian
last_indexed 2025-12-07T19:58:56Z
publishDate 2010
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
record_format dspace
spelling Борисенко, Ю.Н.
Береснев, В.М.
Литовченко, С.В.
Шевцов, А.Б.
2016-04-19T14:09:42Z
2016-04-19T14:09:42Z
2010
Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения / Ю.Н. Борисенко, В.М. Береснев, С.В. Литовченко, А.Б. Шевцов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 353–357. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98916
539.612
Исследовано влияние облучения протонами на газовыделение в тонкоплёночной системе. Установлено, что протонное облучение инициирует образование на границе раздела плёнка-подложка мелких сферических образований, размеры которых возрастают с ростом дозы. Это
 объясняется выходом на границу раздела внедрённого в подложку водорода. В ходе статистической обработки микроинтерферограмм поверхности плёнки проведен расчёт силовой и
 энергетической характеристик адгезии плёнок к подложкам, а также получено уравнение кинетики роста пузыря на границе раздела и проделана оценка газокинетических характеристик.
Досліджено вплив опромінення протонами на газовиділення в тонкоплівковій системі. З’ясовано, що протонне опромінення ініціює утворення на границі розподілу плівка-підкладинка
 дрібних сферичних утворень, розміри яких зростають зі зростанням дози. Це пояснюється виходом на границю розподілу водню, прониклого в підкладинку. Статистична обробка мікроінтерферограм поверхні плівки дозволила розрахувати силову та енергетичну характеристики
 адгезії плівок до підкладинок, а також отримати рівняння кінетики росту пузиря на границі
 розподілу та зробити оцінку газокінетичних характеристик.
The processes of the stimulated gas release and gas blister growth are investigated at an interface of
 thin-film systems. The relationship of these processes to the adhesion of a system is established. A
 method to determine the adhesion and to compute the adhesion characteristics in the film-substrate
 system is described. Using the results of this study carried out a series of practical approaches is proposed
 to measure the adhesion of thin films to substrates with the method of stimulated gas release.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения
Article
published earlier
spellingShingle Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения
Борисенко, Ю.Н.
Береснев, В.М.
Литовченко, С.В.
Шевцов, А.Б.
title Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения
title_full Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения
title_fullStr Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения
title_full_unstemmed Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения
title_short Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения
title_sort пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98916
work_keys_str_mv AT borisenkoûn pograničnoegazovydelenievtonkoplenočnoisistemepoddeistviemprotonnogooblučeniâivozmožnostiegoprimeneniâ
AT beresnevvm pograničnoegazovydelenievtonkoplenočnoisistemepoddeistviemprotonnogooblučeniâivozmožnostiegoprimeneniâ
AT litovčenkosv pograničnoegazovydelenievtonkoplenočnoisistemepoddeistviemprotonnogooblučeniâivozmožnostiegoprimeneniâ
AT ševcovab pograničnoegazovydelenievtonkoplenočnoisistemepoddeistviemprotonnogooblučeniâivozmožnostiegoprimeneniâ