Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения
Исследовано влияние облучения протонами на газовыделение в тонкоплёночной системе. Установлено, что протонное облучение инициирует образование на границе раздела плёнка-подложка мелких сферических образований, размеры которых возрастают с ростом дозы. Это объясняется выходом на границу раздела внед...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | Борисенко, Ю.Н., Береснев, В.М., Литовченко, С.В., Шевцов, А.Б. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98916 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения / Ю.Н. Борисенко, В.М. Береснев, С.В. Литовченко, А.Б. Шевцов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 353–357. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Твердотельное превращение оксида висмута под действием электронного облучения
von: Приходько, К.Е.
Veröffentlicht: (2002) -
Методика исследования графитовых материалов в среде кислорода под действием облучения электронами
von: Зеленский, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Метод оценки качества тонкопленочной платы
von: Spirin, V. G
Veröffentlicht: (2012) -
Метод оценки качества тонкопленочной платы
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2012) -
Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
von: Батаев, М., et al.
Veröffentlicht: (2011)