Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2010
• Main Authors: Ахмадалиев, Б.Ж., Каримов, М.А., Полвонов, Б.З., Юлдашев, Н.Х.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98917
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством / Б.Ж. Ахмадалиев, М.А. Каримов, Б.З. Полвонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 358–364. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Обнаружена корреляция между спектром низкотемпературной (T = 4,2 K) фотолюминесценции
 и аномальными фотовольтаическими свойствами косонапыленных поликристаллических
 пленок CdTe, CdTe:In. В спектрах чистых образцов наряду с краевой дублетной полосой доминирует полоса собственной люминесценции, обусловленной наличием потенциальных
 барьеров на границах зерен. Легирование примесью In приводит к тушению дублетной полосы,
 а дальнейшая термическая обработка – к резкой активации собственной полосы, полуширина
 которой связана максимальным значением генерируемого фотонапряжения VАФН ≈ 10³ В/см. Виявлено кореляцію між спектром низькотемпературної (T = 4,2 K) фотолюмінесценції та
 аномальними фотовольтаічними властивостями косонапилених полікристалічних плівок CdTe,
 CdTe:Іn. У спектрах чистих зразків поряд із крайовою дублетною смугою домінує смуга власної
 люмінесценції, зумовленої наявністю потенційних бар’єрів на границях зерен. Легування домішкою Іn приводить до гасіння дублетної смуги, а подальша термічна обробка – до різкої
 активації власної смуги, напівширина якоїзв’язана максимальним значенням генеруємої фотонапруги VАФН ≈ 10³ В/см. Correlation between spectrum of the low temperature (T = 4,2 K) photoluminescence and anomalous
 photovoltages properties of slanting evaporating polikryistallin thin films CdTe, CdTe:Іn is discovered.
 In spectrum undoped sample on a number double-acting by band dominated the band to own luminescence,
 conditioned presence potential barrier on border of grains an impurity In brings about
 stewing double-acting bands, but the most further thermal processing – to cutting the activations of the own band, full width on half maximum which is bound by maximum value photo generated voltage VAFN ≈ 10³ V/sm.