Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством
Обнаружена корреляция между спектром низкотемпературной (T = 4,2 K) фотолюминесценции
 и аномальными фотовольтаическими свойствами косонапыленных поликристаллических
 пленок CdTe, CdTe:In. В спектрах чистых образцов наряду с краевой дублетной полосой доминирует полоса собственной л...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98917 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством / Б.Ж. Ахмадалиев, М.А. Каримов, Б.З. Полвонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 358–364. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862726398583504896 |
|---|---|
| author | Ахмадалиев, Б.Ж. Каримов, М.А. Полвонов, Б.З. Юлдашев, Н.Х. |
| author_facet | Ахмадалиев, Б.Ж. Каримов, М.А. Полвонов, Б.З. Юлдашев, Н.Х. |
| citation_txt | Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством / Б.Ж. Ахмадалиев, М.А. Каримов, Б.З. Полвонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 358–364. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Обнаружена корреляция между спектром низкотемпературной (T = 4,2 K) фотолюминесценции
и аномальными фотовольтаическими свойствами косонапыленных поликристаллических
пленок CdTe, CdTe:In. В спектрах чистых образцов наряду с краевой дублетной полосой доминирует полоса собственной люминесценции, обусловленной наличием потенциальных
барьеров на границах зерен. Легирование примесью In приводит к тушению дублетной полосы,
а дальнейшая термическая обработка – к резкой активации собственной полосы, полуширина
которой связана максимальным значением генерируемого фотонапряжения VАФН ≈ 10³ В/см.
Виявлено кореляцію між спектром низькотемпературної (T = 4,2 K) фотолюмінесценції та
аномальними фотовольтаічними властивостями косонапилених полікристалічних плівок CdTe,
CdTe:Іn. У спектрах чистих зразків поряд із крайовою дублетною смугою домінує смуга власної
люмінесценції, зумовленої наявністю потенційних бар’єрів на границях зерен. Легування домішкою Іn приводить до гасіння дублетної смуги, а подальша термічна обробка – до різкої
активації власної смуги, напівширина якоїзв’язана максимальним значенням генеруємої фотонапруги VАФН ≈ 10³ В/см.
Correlation between spectrum of the low temperature (T = 4,2 K) photoluminescence and anomalous
photovoltages properties of slanting evaporating polikryistallin thin films CdTe, CdTe:Іn is discovered.
In spectrum undoped sample on a number double-acting by band dominated the band to own luminescence,
conditioned presence potential barrier on border of grains an impurity In brings about
stewing double-acting bands, but the most further thermal processing – to cutting the activations of the own band, full width on half maximum which is bound by maximum value photo generated voltage VAFN ≈ 10³ V/sm.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:56:47Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98917 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:56:47Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ахмадалиев, Б.Ж. Каримов, М.А. Полвонов, Б.З. Юлдашев, Н.Х. 2016-04-19T14:12:49Z 2016-04-19T14:12:49Z 2010 Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством / Б.Ж. Ахмадалиев, М.А. Каримов, Б.З. Полвонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 358–364. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98917 621.315.592 Обнаружена корреляция между спектром низкотемпературной (T = 4,2 K) фотолюминесценции
 и аномальными фотовольтаическими свойствами косонапыленных поликристаллических
 пленок CdTe, CdTe:In. В спектрах чистых образцов наряду с краевой дублетной полосой доминирует полоса собственной люминесценции, обусловленной наличием потенциальных
 барьеров на границах зерен. Легирование примесью In приводит к тушению дублетной полосы,
 а дальнейшая термическая обработка – к резкой активации собственной полосы, полуширина
 которой связана максимальным значением генерируемого фотонапряжения VАФН ≈ 10³ В/см. Виявлено кореляцію між спектром низькотемпературної (T = 4,2 K) фотолюмінесценції та
 аномальними фотовольтаічними властивостями косонапилених полікристалічних плівок CdTe,
 CdTe:Іn. У спектрах чистих зразків поряд із крайовою дублетною смугою домінує смуга власної
 люмінесценції, зумовленої наявністю потенційних бар’єрів на границях зерен. Легування домішкою Іn приводить до гасіння дублетної смуги, а подальша термічна обробка – до різкої
 активації власної смуги, напівширина якоїзв’язана максимальним значенням генеруємої фотонапруги VАФН ≈ 10³ В/см. Correlation between spectrum of the low temperature (T = 4,2 K) photoluminescence and anomalous
 photovoltages properties of slanting evaporating polikryistallin thin films CdTe, CdTe:Іn is discovered.
 In spectrum undoped sample on a number double-acting by band dominated the band to own luminescence,
 conditioned presence potential barrier on border of grains an impurity In brings about
 stewing double-acting bands, but the most further thermal processing – to cutting the activations of the own band, full width on half maximum which is bound by maximum value photo generated voltage VAFN ≈ 10³ V/sm. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством Article published earlier |
| spellingShingle | Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством Ахмадалиев, Б.Ж. Каримов, М.А. Полвонов, Б.З. Юлдашев, Н.Х. |
| title | Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством |
| title_full | Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством |
| title_fullStr | Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством |
| title_full_unstemmed | Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством |
| title_short | Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством |
| title_sort | низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок cdte, cdte:in с аномальным фотовольтаическим свойством |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98917 |
| work_keys_str_mv | AT ahmadalievbž nizkotemperaturnaâfotolûminescenciâtonkihplenokcdtecdteinsanomalʹnymfotovolʹtaičeskimsvoistvom AT karimovma nizkotemperaturnaâfotolûminescenciâtonkihplenokcdtecdteinsanomalʹnymfotovolʹtaičeskimsvoistvom AT polvonovbz nizkotemperaturnaâfotolûminescenciâtonkihplenokcdtecdteinsanomalʹnymfotovolʹtaičeskimsvoistvom AT ûldaševnh nizkotemperaturnaâfotolûminescenciâtonkihplenokcdtecdteinsanomalʹnymfotovolʹtaičeskimsvoistvom |