Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством
Обнаружена корреляция между спектром низкотемпературной (T = 4,2 K) фотолюминесценции и аномальными фотовольтаическими свойствами косонапыленных поликристаллических пленок CdTe, CdTe:In. В спектрах чистых образцов наряду с краевой дублетной полосой доминирует полоса собственной люминесценции, об...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98917 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством / Б.Ж. Ахмадалиев, М.А. Каримов, Б.З. Полвонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 358–364. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98917 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Ахмадалиев, Б.Ж. Каримов, М.А. Полвонов, Б.З. Юлдашев, Н.Х. 2016-04-19T14:12:49Z 2016-04-19T14:12:49Z 2010 Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством / Б.Ж. Ахмадалиев, М.А. Каримов, Б.З. Полвонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 358–364. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98917 621.315.592 Обнаружена корреляция между спектром низкотемпературной (T = 4,2 K) фотолюминесценции и аномальными фотовольтаическими свойствами косонапыленных поликристаллических пленок CdTe, CdTe:In. В спектрах чистых образцов наряду с краевой дублетной полосой доминирует полоса собственной люминесценции, обусловленной наличием потенциальных барьеров на границах зерен. Легирование примесью In приводит к тушению дублетной полосы, а дальнейшая термическая обработка – к резкой активации собственной полосы, полуширина которой связана максимальным значением генерируемого фотонапряжения VАФН ≈ 10³ В/см. Виявлено кореляцію між спектром низькотемпературної (T = 4,2 K) фотолюмінесценції та аномальними фотовольтаічними властивостями косонапилених полікристалічних плівок CdTe, CdTe:Іn. У спектрах чистих зразків поряд із крайовою дублетною смугою домінує смуга власної люмінесценції, зумовленої наявністю потенційних бар’єрів на границях зерен. Легування домішкою Іn приводить до гасіння дублетної смуги, а подальша термічна обробка – до різкої активації власної смуги, напівширина якоїзв’язана максимальним значенням генеруємої фотонапруги VАФН ≈ 10³ В/см. Correlation between spectrum of the low temperature (T = 4,2 K) photoluminescence and anomalous photovoltages properties of slanting evaporating polikryistallin thin films CdTe, CdTe:Іn is discovered. In spectrum undoped sample on a number double-acting by band dominated the band to own luminescence, conditioned presence potential barrier on border of grains an impurity In brings about stewing double-acting bands, but the most further thermal processing – to cutting the activations of the own band, full width on half maximum which is bound by maximum value photo generated voltage VAFN ≈ 10³ V/sm. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством |
| spellingShingle |
Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством Ахмадалиев, Б.Ж. Каримов, М.А. Полвонов, Б.З. Юлдашев, Н.Х. |
| title_short |
Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством |
| title_full |
Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством |
| title_fullStr |
Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством |
| title_full_unstemmed |
Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством |
| title_sort |
низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок cdte, cdte:in с аномальным фотовольтаическим свойством |
| author |
Ахмадалиев, Б.Ж. Каримов, М.А. Полвонов, Б.З. Юлдашев, Н.Х. |
| author_facet |
Ахмадалиев, Б.Ж. Каримов, М.А. Полвонов, Б.З. Юлдашев, Н.Х. |
| publishDate |
2010 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| description |
Обнаружена корреляция между спектром низкотемпературной (T = 4,2 K) фотолюминесценции
и аномальными фотовольтаическими свойствами косонапыленных поликристаллических
пленок CdTe, CdTe:In. В спектрах чистых образцов наряду с краевой дублетной полосой доминирует полоса собственной люминесценции, обусловленной наличием потенциальных
барьеров на границах зерен. Легирование примесью In приводит к тушению дублетной полосы,
а дальнейшая термическая обработка – к резкой активации собственной полосы, полуширина
которой связана максимальным значением генерируемого фотонапряжения VАФН ≈ 10³ В/см.
Виявлено кореляцію між спектром низькотемпературної (T = 4,2 K) фотолюмінесценції та
аномальними фотовольтаічними властивостями косонапилених полікристалічних плівок CdTe,
CdTe:Іn. У спектрах чистих зразків поряд із крайовою дублетною смугою домінує смуга власної
люмінесценції, зумовленої наявністю потенційних бар’єрів на границях зерен. Легування домішкою Іn приводить до гасіння дублетної смуги, а подальша термічна обробка – до різкої
активації власної смуги, напівширина якоїзв’язана максимальним значенням генеруємої фотонапруги VАФН ≈ 10³ В/см.
Correlation between spectrum of the low temperature (T = 4,2 K) photoluminescence and anomalous
photovoltages properties of slanting evaporating polikryistallin thin films CdTe, CdTe:Іn is discovered.
In spectrum undoped sample on a number double-acting by band dominated the band to own luminescence,
conditioned presence potential barrier on border of grains an impurity In brings about
stewing double-acting bands, but the most further thermal processing – to cutting the activations of the own band, full width on half maximum which is bound by maximum value photo generated voltage VAFN ≈ 10³ V/sm.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98917 |
| citation_txt |
Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством / Б.Ж. Ахмадалиев, М.А. Каримов, Б.З. Полвонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 358–364. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT ahmadalievbž nizkotemperaturnaâfotolûminescenciâtonkihplenokcdtecdteinsanomalʹnymfotovolʹtaičeskimsvoistvom AT karimovma nizkotemperaturnaâfotolûminescenciâtonkihplenokcdtecdteinsanomalʹnymfotovolʹtaičeskimsvoistvom AT polvonovbz nizkotemperaturnaâfotolûminescenciâtonkihplenokcdtecdteinsanomalʹnymfotovolʹtaičeskimsvoistvom AT ûldaševnh nizkotemperaturnaâfotolûminescenciâtonkihplenokcdtecdteinsanomalʹnymfotovolʹtaičeskimsvoistvom |
| first_indexed |
2025-12-07T18:56:47Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:56:47Z |
| _version_ |
1850876947792396288 |