Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством - Ахмадалиев, Б.Ж.; Каримов, М.А.; Полвонов, Б.З.; Юлдашев, Н.Х. (Физическая инженерия поверхности, 2010)
Обнаружена корреляция между спектром низкотемпературной (T = 4,2 K) фотолюминесценции
и аномальными фотовольтаическими свойствами косонапыленных поликристаллических
пленок CdTe, CdTe:In. В спектрах чистых образцов наряду с краевой дублетной полосой доминирует полоса собственной люминесценции, обусловленной наличием потенциальных
барьеров на границах зерен. Легирование примесью In приводит к тушению дублетной полосы,
а дальнейшая термическая обработка – к резкой активации собственной полосы, полуширина
которой связана максимальным значением генерируемого фотонапряжения VАФН ≈ 10³ В/см. Виявлено кореляцію між спектром низькотемпературної (T = 4,2 K) фотолюмінесценції та
аномальними фотовольтаічними властивостями косонапилених полікристалічних плівок CdTe,
CdTe:Іn. У спектрах чистих зразків поряд із крайовою дублетною смугою домінує смуга власної
люмінесценції, зумовленої наявністю потенційних бар’єрів на границях зерен. Легування домішкою Іn приводить до гасіння дублетної смуги, а подальша термічна обробка – до різкої
активації власної смуги, напівширина якоїзв’язана максимальним значенням генеруємої фотонапруги VАФН ≈ 10³ В/см. Correlation between spectrum of the low temperature (T = 4,2 K) photoluminescence and anomalous
photovoltages properties of slanting evaporating polikryistallin thin films CdTe, CdTe:Іn is discovered.
In spectrum undoped sample on a number double-acting by band dominated the band to own luminescence,
conditioned presence potential barrier on border of grains an impurity In brings about
stewing double-acting bands, but the most further thermal processing – to cutting the activations of the own band, full width on half maximum which is bound by maximum value photo generated voltage VAFN ≈ 10³ V/sm.