Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2010
• Автори: Атакулов, Ш.Б., Зайнолобидинова, С.М., Отажонов, С.М., Тухтаматов, О.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98918
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках / Ш.Б. Атакулов, С.М. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, О.А. Тухтаматов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 365–370. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

В модели, предполагающей захват электронов проводимости, на поверхностные состояния границ зерен в поликристаллах полупроводников, рассчитана прозрачность потенциального барьера. Задача решена для случаев невырожденной и вырожденной статистики электронов. У моделі, яка припускає захоплення електронів провідності, на поверхневі стани границь зерен у полікристалах напівпровідників, розрахована прозорість потенційного бар’єра. Задача вирішена для випадків невирожденої та вирожденої статистики електронів. In the model suggested capture conductivity electrons on grain boundaries surface states in polycrystals of the semiconductors calculated potential barrier penetrability. The problem is solved for no degenerated and degenerated cases of the electrons statistic.