Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках
В модели, предполагающей захват электронов проводимости, на поверхностные состояния
 границ зерен в поликристаллах полупроводников, рассчитана прозрачность потенциального
 барьера. Задача решена для случаев невырожденной и вырожденной статистики электронов. У моделі, яка припускає за...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98918 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках / Ш.Б. Атакулов, С.М. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, О.А. Тухтаматов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 365–370. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862619033402081280 |
|---|---|
| author | Атакулов, Ш.Б. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, С.М. Тухтаматов, О.А. |
| author_facet | Атакулов, Ш.Б. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, С.М. Тухтаматов, О.А. |
| citation_txt | Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках / Ш.Б. Атакулов, С.М. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, О.А. Тухтаматов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 365–370. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | В модели, предполагающей захват электронов проводимости, на поверхностные состояния
границ зерен в поликристаллах полупроводников, рассчитана прозрачность потенциального
барьера. Задача решена для случаев невырожденной и вырожденной статистики электронов.
У моделі, яка припускає захоплення електронів провідності, на поверхневі стани границь зерен
у полікристалах напівпровідників, розрахована прозорість потенційного бар’єра. Задача вирішена для випадків невирожденої та вирожденої статистики електронів.
In the model suggested capture conductivity electrons on grain boundaries surface states in polycrystals
of the semiconductors calculated potential barrier penetrability. The problem is solved for no
degenerated and degenerated cases of the electrons statistic.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:15:37Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98918 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:15:37Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Атакулов, Ш.Б. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, С.М. Тухтаматов, О.А. 2016-04-19T14:13:37Z 2016-04-19T14:13:37Z 2010 Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках / Ш.Б. Атакулов, С.М. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, О.А. Тухтаматов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 365–370. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98918 621.315.592 В модели, предполагающей захват электронов проводимости, на поверхностные состояния
 границ зерен в поликристаллах полупроводников, рассчитана прозрачность потенциального
 барьера. Задача решена для случаев невырожденной и вырожденной статистики электронов. У моделі, яка припускає захоплення електронів провідності, на поверхневі стани границь зерен
 у полікристалах напівпровідників, розрахована прозорість потенційного бар’єра. Задача вирішена для випадків невирожденої та вирожденої статистики електронів. In the model suggested capture conductivity electrons on grain boundaries surface states in polycrystals
 of the semiconductors calculated potential barrier penetrability. The problem is solved for no
 degenerated and degenerated cases of the electrons statistic. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках Атакулов, Ш.Б. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, С.М. Тухтаматов, О.А. |
| title | Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках |
| title_full | Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках |
| title_fullStr | Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках |
| title_full_unstemmed | Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках |
| title_short | Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках |
| title_sort | особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98918 |
| work_keys_str_mv | AT atakulovšb osobennostirasseâniânositeleitokamežkristallitnymipotencialʹnymibarʹeramiobrazovannymiélektronymipoverhnostnymisostoâniâmivpolikristalličeskihpoluprovodnikah AT zainolobidinovasm osobennostirasseâniânositeleitokamežkristallitnymipotencialʹnymibarʹeramiobrazovannymiélektronymipoverhnostnymisostoâniâmivpolikristalličeskihpoluprovodnikah AT otažonovsm osobennostirasseâniânositeleitokamežkristallitnymipotencialʹnymibarʹeramiobrazovannymiélektronymipoverhnostnymisostoâniâmivpolikristalličeskihpoluprovodnikah AT tuhtamatovoa osobennostirasseâniânositeleitokamežkristallitnymipotencialʹnymibarʹeramiobrazovannymiélektronymipoverhnostnymisostoâniâmivpolikristalličeskihpoluprovodnikah |