Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках
В модели, предполагающей захват электронов проводимости, на поверхностные состояния границ зерен в поликристаллах полупроводников, рассчитана прозрачность потенциального барьера. Задача решена для случаев невырожденной и вырожденной статистики электронов. У моделі, яка припускає захоплення електро...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | Атакулов, Ш.Б., Зайнолобидинова, С.М., Отажонов, С.М., Тухтаматов, О.А. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98918 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках / Ш.Б. Атакулов, С.М. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, О.А. Тухтаматов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 365–370. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний
von: Сулаймонов, Х.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Сулаймонов, Х.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Синтез и исследование кремнеокисных носителей для катализаторов с поверхностными аминными и фосфорильными группами
von: Гриненко, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (1983)
von: Гриненко, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (1983)
Замороженный структурный беспорядок в псевдоспиновой модели с барьерами
von: Коварский, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Коварский, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2000)
О рассеянии поверхностных гравитационных волн тонкими вертикальными барьерами
von: Городецкая, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Городецкая, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Предельный переход в псевдоспиновой модели структурного беспорядка с барьерами
von: Коварский, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (1996)
von: Коварский, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (1996)
Повышение циклической долговечности сварных тавровых соединений с поверхностными трещинами
von: Кныш, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Кныш, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Повышение безопасности транспортирования, извлечения и утилизации метана поверхностными дегазационными скважинами
von: Софийский, К.К., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Софийский, К.К., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Теплогидравлическая эффективность плоских каналов с поверхностными генераторами вихрей и выступами
von: Онищенко, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Онищенко, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Применение поликристаллических диффузионных барьеров
von: Цымбал, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Цымбал, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Оптические нелинейности в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (обзор)
von: Толмачев, И.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Толмачев, И.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Фононы в проводниках с магнитопримесными состояниями электронов
von: Ермолаев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Ермолаев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках
von: Даунов, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Даунов, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Определение контактного давления усиливающей муфты при ремонте трубопроводов с поверхностными дефектами
von: Махненко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Махненко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Транспорт, магнитотранспорт и ферромагнетизм в разбавленных магнитных полупроводниках
von: Кульбачинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Кульбачинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Эффект Фарадея в проводниках с магнитопримесными состояниями электронов
von: Ермолаев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (1997)
von: Ермолаев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (1997)
Особенности липопротеинлипазной активности у больных с гипогепаринемическими состояниями
von: Гоженко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гоженко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Аналогия переноса теплоты и количества движения в каналах с поверхностными генераторами вихрей
von: Халатов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Халатов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Фазовые портреты деформационных эффектов в полупроводниках в импульсном режиме
von: Дадамирзаев, М.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Дадамирзаев, М.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
von: Заболотный, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Заболотный, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2004)
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2004)
Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках
von: Мирзаева, З.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Мирзаева, З.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Влияние стрикционной нелинейности на поверхностные волны в неоднородных полупроводниках
von: Лапшин, В.И.
Veröffentlicht: (2009)
von: Лапшин, В.И.
Veröffentlicht: (2009)
Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Оценка эффективности добычи метана на ПАО «Шахта им. А.Ф. Засядько» поверхностными скважинами
von: Бокий, Б.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Бокий, Б.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Пластические ротации в поликристаллических фольгах алюминия
von: Бадиян, Е.Е., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Бадиян, Е.Е., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Свойства поликристаллических пленок магнетита Fe₃O₄
von: Андреева, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Андреева, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Моделирование резких изменений популяционной динамики с двумя пороговыми состояниями
von: Переварюха, А.Ю.
Veröffentlicht: (2016)
von: Переварюха, А.Ю.
Veröffentlicht: (2016)
Электронное комбинационное рассеяние света в проводниках с магнитопримесными состояниями
von: Ермолаев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (1995)
von: Ермолаев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (1995)
Магнитоплазменные волны в инверсионных слоях с локальными состояниями электронов
von: Глейзер, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (1997)
von: Глейзер, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (1997)
Задача о математическом сейфе из замков с двумя состояниями
von: Донец, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Донец, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля
von: Отажонов, С.М.
Veröffentlicht: (2004)
von: Отажонов, С.М.
Veröffentlicht: (2004)
Электронные явления переноса электрического заряда в полупроводниках Ni₁₋ₓCdₓFe₂O₄
von: Бушкова, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Бушкова, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Мягкие рентгеновские эмиссионные спектры и ферромагнетизм в широкозонных легированных полупроводниках
von: Суркова, Т.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Суркова, Т.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Компьютерная система вероятностно-алгебраического моделирования сложных систем со многими состояниями
von: Сукач, Е.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Сукач, Е.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Компьютерная система вероятностно-алгебраического моделирования сложных систем со многими состояниями
von: Сукач, Е.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Сукач, Е.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Модификация люминесцентных характеристик молекулы, взаимодействующей с экситонными состояниями J-агрегата
von: Ропакова, И.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Ропакова, И.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Ähnliche Einträge
-
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний
von: Сулаймонов, Х.М., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Синтез и исследование кремнеокисных носителей для катализаторов с поверхностными аминными и фосфорильными группами
von: Гриненко, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (1983) -
Замороженный структурный беспорядок в псевдоспиновой модели с барьерами
von: Коварский, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2000) -
О рассеянии поверхностных гравитационных волн тонкими вертикальными барьерами
von: Городецкая, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2015)