Cover Image

Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках

В модели, предполагающей захват электронов проводимости, на поверхностные состояния
 границ зерен в поликристаллах полупроводников, рассчитана прозрачность потенциального
 барьера. Задача решена для случаев невырожденной и вырожденной статистики электронов. У моделі, яка припускає за...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физическая инженерия поверхности
Date:2010
Main Authors: Атакулов, Ш.Б., Зайнолобидинова, С.М., Отажонов, С.М., Тухтаматов, О.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98918
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках / Ш.Б. Атакулов, С.М. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, О.А. Тухтаматов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 365–370. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items