Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання
Багатошарові напівпровідникові структури, наприклад двошарова структура Sі(111)/Si₃N₄
 (0001), представляють собою неоднорідні тіла як по перерізу, так і по площі. Внаслідок цього в наноелектронних виробах у процесі виготовлення виникають пружнімеханічні напруження, величина
 і ха...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98927 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання / О.Ю. Тарасова, Р.М. Балабай // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 42–46. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862582113231962112 |
|---|---|
| author | Тарасова, О.Ю. Балабай, Р.М. |
| author_facet | Тарасова, О.Ю. Балабай, Р.М. |
| citation_txt | Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання / О.Ю. Тарасова, Р.М. Балабай // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 42–46. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Багатошарові напівпровідникові структури, наприклад двошарова структура Sі(111)/Si₃N₄
(0001), представляють собою неоднорідні тіла як по перерізу, так і по площі. Внаслідок цього в наноелектронних виробах у процесі виготовлення виникають пружнімеханічні напруження, величина
і характер розподілу яких значно впливають на електричні та інші характеристики приладів.
Тому при виготовленні інтегральних схем важливим є знання величини і характеру розподілу
механічних напружень у залежності від топологічних параметрів зразка. Результатами моделювання оцінена можливість існування різкої бездефектної границі Sі(111)/Si₃N₄ (0001) для шарів
розмірами порядку 2 нм. Розрахована карта механічних напружень в гетеропереході з боку
шару Si₃N₄ (0001), на основі якої визначено, що напруження мають розтягуючий характер і їх
максимум приходиться на границю розділу.
Многослойные полупроводниковые структуры, например двухслойная структура Sі(111)/Si₃N₄
(0001), представляют собой неоднородные тела, как по сечению, так и по площади. Вследствие этого в наноэлектронных изделиях в процессе изготовления возникают упругие механические напряжения, величина и характер распределения которых значительно влияют на
электрические и другие характеристики приборов. Поэтому при изготовлении интегральных
схем важным есть знания величины и характера распределения механических напряжений в
зависимости от топологических параметров образца. Результатами моделирования оценена
возможность существования резкой бездефектной границы Sі(111)/Si₃N₄ (0001) для слоев размерами порядка 2 нм. Рассчитана карта механических напряжений в гетеропереходе со стороны
слоя Si₃N₄ (0001), на основе которой определено, что напряжения имеют растягивающий характер и их максимум приходится на границу раздела.
Multi-layered semiconductor structures, for example double-layer structure of Sі(111)/Si₃N₄(0001),
are heterogeneous bodies, both on a section and on an area. Hereupon in nanoelectronic wares in the
process of making there are resilient mechanical tensions, a size and character of distribution of
which considerably influence on electric and other descriptions of devices. Therefore at making of
the integrated circuits it is important the knowledge of size and character of distribution of mechanical
tensions depending on the topological parameters of standard. Design results are appraised possibility
of existence of the sharp defect-free interface Sі(111)/Si₃N₄(0001) for layers by sizes about 2 nm.
Map of mechanical tensions in a heterotransition from the side of the Si₃N₄(0001), layer was calculated
on the base of this mapit was determined, tensions have stretching character and their maximum is on
the border of division.
|
| first_indexed | 2025-11-26T22:45:16Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98927 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-26T22:45:16Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Тарасова, О.Ю. Балабай, Р.М. 2016-04-19T14:35:47Z 2016-04-19T14:35:47Z 2012 Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання / О.Ю. Тарасова, Р.М. Балабай // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 42–46. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98927 621.235 Багатошарові напівпровідникові структури, наприклад двошарова структура Sі(111)/Si₃N₄
 (0001), представляють собою неоднорідні тіла як по перерізу, так і по площі. Внаслідок цього в наноелектронних виробах у процесі виготовлення виникають пружнімеханічні напруження, величина
 і характер розподілу яких значно впливають на електричні та інші характеристики приладів.
 Тому при виготовленні інтегральних схем важливим є знання величини і характеру розподілу
 механічних напружень у залежності від топологічних параметрів зразка. Результатами моделювання оцінена можливість існування різкої бездефектної границі Sі(111)/Si₃N₄ (0001) для шарів
 розмірами порядку 2 нм. Розрахована карта механічних напружень в гетеропереході з боку
 шару Si₃N₄ (0001), на основі якої визначено, що напруження мають розтягуючий характер і їх
 максимум приходиться на границю розділу. Многослойные полупроводниковые структуры, например двухслойная структура Sі(111)/Si₃N₄
 (0001), представляют собой неоднородные тела, как по сечению, так и по площади. Вследствие этого в наноэлектронных изделиях в процессе изготовления возникают упругие механические напряжения, величина и характер распределения которых значительно влияют на
 электрические и другие характеристики приборов. Поэтому при изготовлении интегральных
 схем важным есть знания величины и характера распределения механических напряжений в
 зависимости от топологических параметров образца. Результатами моделирования оценена
 возможность существования резкой бездефектной границы Sі(111)/Si₃N₄ (0001) для слоев размерами порядка 2 нм. Рассчитана карта механических напряжений в гетеропереходе со стороны
 слоя Si₃N₄ (0001), на основе которой определено, что напряжения имеют растягивающий характер и их максимум приходится на границу раздела. Multi-layered semiconductor structures, for example double-layer structure of Sі(111)/Si₃N₄(0001),
 are heterogeneous bodies, both on a section and on an area. Hereupon in nanoelectronic wares in the
 process of making there are resilient mechanical tensions, a size and character of distribution of
 which considerably influence on electric and other descriptions of devices. Therefore at making of
 the integrated circuits it is important the knowledge of size and character of distribution of mechanical
 tensions depending on the topological parameters of standard. Design results are appraised possibility
 of existence of the sharp defect-free interface Sі(111)/Si₃N₄(0001) for layers by sizes about 2 nm.
 Map of mechanical tensions in a heterotransition from the side of the Si₃N₄(0001), layer was calculated
 on the base of this mapit was determined, tensions have stretching character and their maximum is on
 the border of division. uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання Article published earlier |
| spellingShingle | Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання Тарасова, О.Ю. Балабай, Р.М. |
| title | Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання |
| title_full | Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання |
| title_fullStr | Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання |
| title_full_unstemmed | Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання |
| title_short | Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання |
| title_sort | дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури sі(111)/si₃n₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98927 |
| work_keys_str_mv | AT tarasovaoû doslídžennâlokalʹnoíbudovinanorozmírnoígeterostrukturisí111si3n40001napídstavíkompûternogomodelûvannâ AT balabairm doslídžennâlokalʹnoíbudovinanorozmírnoígeterostrukturisí111si3n40001napídstavíkompûternogomodelûvannâ |