Cover Image

Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання

Багатошарові напівпровідникові структури, наприклад двошарова структура Sі(111)/Si₃N₄ (0001), представляють собою неоднорідні тіла як по перерізу, так і по площі. Внаслідок цього в наноелектронних виробах у процесі виготовлення виникають пружнімеханічні напруження, величина і характер розподілу...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физическая инженерия поверхности
Date:2012
Main Authors: Тарасова, О.Ю., Балабай, Р.М.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98927
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання / О.Ю. Тарасова, Р.М. Балабай // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 42–46. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items