Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2012
• Автори: Куровець, В.В., Федорів, В.Д., Яремій, І.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98928
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату / В.В. Куровець, В.Д. Федорів, І.П. Яремій // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 47–51. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.

Проведено вимірювання мікротвердості монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату різних товщин як неімплантованих, так і модифікованих бомбардуванням іонами гелію (Е = 100 кеВ, D = 1⋅10¹⁵ – 1⋅10¹⁶ см⁻²). Встановлено, що мікротвердість плівок залізо-ітрієвого ґранату із збільшенням товщини плівки зростає. Показано наявність мінімуму (D = 2⋅10¹⁵ Не⁺ /см² ) на залежності виміряної величини мікротвердості плівок залізо-ітрієвого ґранату від дози опромінення іонами гелію. Проведены измерения микротвердости монокристаллических пленок железо-иттриевого граната разных толщин как неимплантированных, так и модифицированных бомбардированием ионами гелия (Е = 100 кэВ, D = 1•10¹⁵ – 1⋅10¹⁶ см⁻²). Установлено, что микротвердость пленок железо-иттриевого граната с увеличением толщины пленки возрастает. Показано наличие минимума (D = 2⋅10¹⁵ Не⁺ /см² ) на зависимости измеренной величины микротвердости пленок железо-иттриевого граната от дозы облучения ионами гелия The results of microhardness measurements of various thicknesses nonimplanted and implanted by helium ions E = 100 keV, D = 1⋅10¹⁵ – 1⋅10¹⁶ ion/cm² single crystalline YIG films are represented. It is set that microhardness of YIG films increases with the increase of film thickness. The presence of a minimum (D = 2⋅10¹⁵ Не⁺ /сm² ) on the dose dependence of measured values microhardness of helium implanted YIG films is performed. Remove selected