Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату

Проведено вимірювання мікротвердості монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату різних товщин як неімплантованих, так і модифікованих бомбардуванням іонами гелію (Е = 100 кеВ, D = 1⋅10¹⁵ – 1⋅10¹⁶ см⁻²). Встановлено, що мікротвердість плівок залізо-ітрієвого ґранату із збільшенням товщини плівк...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Физическая инженерия поверхности
Date:	2012
Main Authors:	Куровець, В.В., Федорів, В.Д., Яремій, І.П.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98928
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату / В.В. Куровець, В.Д. Федорів, І.П. Яремій // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 47–51. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

_version_	1859660928774045696
author	Куровець, В.В. Федорів, В.Д. Яремій, І.П.
author_facet	Куровець, В.В. Федорів, В.Д. Яремій, І.П.
citation_txt	Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату / В.В. Куровець, В.Д. Федорів, І.П. Яремій // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 47–51. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.
collection	DSpace DC
container_title	Физическая инженерия поверхности
description	Проведено вимірювання мікротвердості монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату різних товщин як неімплантованих, так і модифікованих бомбардуванням іонами гелію (Е = 100 кеВ, D = 1⋅10¹⁵ – 1⋅10¹⁶ см⁻²). Встановлено, що мікротвердість плівок залізо-ітрієвого ґранату із збільшенням товщини плівки зростає. Показано наявність мінімуму (D = 2⋅10¹⁵ Не⁺ /см² ) на залежності виміряної величини мікротвердості плівок залізо-ітрієвого ґранату від дози опромінення іонами гелію. Проведены измерения микротвердости монокристаллических пленок железо-иттриевого граната разных толщин как неимплантированных, так и модифицированных бомбардированием ионами гелия (Е = 100 кэВ, D = 1•10¹⁵ – 1⋅10¹⁶ см⁻²). Установлено, что микротвердость пленок железо-иттриевого граната с увеличением толщины пленки возрастает. Показано наличие минимума (D = 2⋅10¹⁵ Не⁺ /см² ) на зависимости измеренной величины микротвердости пленок железо-иттриевого граната от дозы облучения ионами гелия The results of microhardness measurements of various thicknesses nonimplanted and implanted by helium ions E = 100 keV, D = 1⋅10¹⁵ – 1⋅10¹⁶ ion/cm² single crystalline YIG films are represented. It is set that microhardness of YIG films increases with the increase of film thickness. The presence of a minimum (D = 2⋅10¹⁵ Не⁺ /сm² ) on the dose dependence of measured values microhardness of helium implanted YIG films is performed. Remove selected
first_indexed	2025-11-30T09:26:13Z
format	Article
fulltext	47 ВСТУП Розвиток і застосування високих технологій інженерії поверхні для модифікації поверх- невих шарів плівок ферит-ґранатів дозволяє формувати плівки, які володіють унікальним поєднанням властивостей, принципово від- мінних від властивостей неімплантованих матеріалів. Бомбардування швидкими частин- ками плівок залізо-ітрієвого ґранату (ЗІҐ) ви- користовують для створення магнітної неод- норідності в тонкому поверхневому шарі. У модифікованих імплантацією іонами гелію плівках ЗІҐ виявлена висока (до 80% і більше) ефективність імпульсного перетворення об- мінних спінових хвиль і звуку [1]. Встанов- лений ефект відкриває широкі перспективи для створення принципово нових надмініа- тюрних спінхвильових пристроїв аналогової обробки радіосигналів в діапазоні НВЧ аж до міліметрового і субміліметрового діапазону довжин хвиль. Для виготовлення виробів із монокрис- талічних плівок ЗІҐ необхідно мати дані про їхні механічні властивості. Середня мікро- твердість кристалів Y3Fe5O12становить 12 ГПа (1230 кгс/мм2), клас твердості за шкалою Мо- оса дорівнює 7,5 [2]. Відомо, що при іонній імплантації мікротвердість може бути підви- щена в декілька разів [3], проте ефект припо- верхневого зміцнення суттєво залежить від енергії та дози бомбардуючих іонів [4]. Дос- лідженню фізико-механічних властивостей монокристалів та плівок із структурою ґранату присвячена незначна кількість робіт [5 – 7], тому метою даної роботи було вивчення за- лежності мікротвердості плівок ЗІҐ від тов- щини, а також від дози опромінення іонами гелію. ЕКСПЕРИМЕНТ Монокристалічні плівки залізо-ітрієвого ґра- нату Y3Fe5O12 товщинами 2,85; 2,9; 10,3 та 30 мкм були вирощені методом рідкофазної епітаксії на немагнітній підкладці ґадоліній- ґалієвого ґранату Gd3Ga5O12 із кристалографіч- УДК 548.55:53.091 МІКРОТВЕРДІСТЬ ІМПЛАНТОВАНИХ ІОНАМИ ГЕЛІЮ МОНОКРИСТАЛІЧНИХ ПЛІВОК ЗАЛІЗО-ІТРІЄВОГО ҐРАНАТУ В.В. Куровець, В.Д. Федорів, І.П. Яремій Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника (Івано-Франківськ) Україна Надійшла до редакції 30.01.2012 Проведено вимірювання мікротвердості монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату різних товщин як неімплантованих, так і модифікованих бомбардуванням іонами гелію (Е = 100 кеВ, D = 1⋅1015 – 1⋅1016 см–2). Встановлено, що мікротвердість плівок залізо-ітрієвого ґранату із збільшенням товщини плівки зростає. Показано наявність мінімуму (D = 2⋅1015 Не+/см2) на залежності виміряної величини мікротвердості плівок залізо-ітрієвого ґранату від дози опромінення іонами гелію. Ключові слова: мікротвердість, залізо-ітрієвий ґранат, іонна імплантація. Проведены измерения микротвердости монокристаллических пленок железо-иттриевого граната разных толщин как неимплантированных, так и модифицированных бомбардированием ионами гелия (Е = 100 кэВ, D = 1·1015 – 1⋅1016 см–2). Установлено, что микротвердость пленок железо-иттриевого граната с увеличением толщины пленки возрастает. Показано наличие минимума (D = 2⋅1015 Не+/см2) на зависимости измеренной величины микротвердости пленок железо-иттриевого граната от дозы облучения ионами гелия. Ключевые слова: микротвердость, железо-иттриевый гранат, ионная имплантация. The results of microhardness measurements of various thicknesses nonimplanted and implanted by helium ions E = 100 keV, D = 1⋅1015 – 1⋅1016 ion/cm2 single crystalline YIG films are represented. It is set that microhardness of YIG films increases with the increase of film thickness. The presence of a minimum (D = 2⋅1015 Не+/сm2) on the dose dependence of measured values microhardness of helium implanted YIG films is performed. Keywords: microhardness, yttrium-iron garnet, ion implantion. У В.В. Куровець, В.Д. Федорів, І.П. Яремій, 2012 ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 1, vol. 10, No. 148 ною площиною зрізу (111). Модифікація по- верхні зразків проводилась бомбардуванням іонами гелію з енергією 100 кеВ у інтервалі доз 1⋅1015 – 1⋅1016 см–2 при кімнатній температурі на прискорювачі МРВ-202 в умовах, що виключають каналювання та самовідпал. Проведене моделювання процесу іонної імплантації за допомогою програми SRIM- 2008 показало, що товщина порушеного шару імплантованих іонами гелію плівок ЗІҐ ста- новить ~600 нм (рис. 1), при цьому максимум розподілу впровадженої домішки припадає на глибину 450 нм, а зміщених іонів матриці – на 400 нм. Вимірювання мікротвердості проводилося методом відновленого відбитка чотиригран- ної алмазної піраміди із квадратною основою (по Вікерсу) [8] за допомогою мікротвердоміра ПМТ-3. Для індентування використовувалися наважки 24 – 150 г. Час індентування для всіх зразків був однаковим і становив 5 с. Вимірю- ючи довжину діагоналі відбитка d при різних прикладених навантаженнях P, обчислювали мікротвердість неімплантованих та імплант- ованих плівок за формулою HV = 1854,4⋅P/d2. Із залежності глибини проникнення ін- дентора від прикладеного навантаження (рис. 2) видно, що при усіх прикладених навантаженнях пірамідка повністю проколює іонно-імплантований шар. Подальші дослід- ження залежності мікротвердості імплантова- них іонами гелію плівок ЗІҐ різних товщин від дози опромінення проводилися при наванта- женні 50 г. При вибраному навантаженні частка іонно-імплантованого шару займає > 80% загального об’єму відбитка пірамідки і обчислену мікротвердість можна розглядати як інтегральну характеристику порушеного шару досліджуваних матеріалів. РЕЗУЛЬТАТИ ЕКСПЕРИМЕНТУ ТА ЇХ ОБГОВОРЕННЯ При вирощуванні епітаксійних структур із не- нульовою різницею значень параметрів ґратки підкладки і плівки останні отримуються дефор- мованими таким чином, що трансляція її ґрат- ки у площині росту повторює трансляцію структури підкладки. Враховуючи співвід- ношення їхніх товщин, плівку можна розгля- дати як деформовану в напрямку перпенди- кулярному площині росту. При охолодженні вирощених плівок у них крім напруг, викли- каних розходженням сталих ґраток плівки і підкладки, виникають напруги, пов’язані із відмінністю їхніх термічних коефіцієнтів. Част- кова релаксація наведених напруг відбуваєть- ся шляхом утворення дислокацій невідповід- ності. У роботі [10] показано, що елементарна ко- мірка плівок ЗІҐ є ромбоедрично деформо- вана, а ступінь деформації суттєво залежить від товщини плівки. В інтервалі товщин 2,9 – 10,3 мкм параметр ґратки плівки незначно зростає, а кількість дислокацій невідповідності є сталою – у плівках даних товщин енерге- тично вигіднішим є деформація кристалічної ґратки. При подальшому зростанні товщини плівки спостерігається різке зростання густи- ни дислокацій невідповідності, релаксація ме- ханічної напруги, а також зменшення параме- тра ґратки плівки. Рис. 1. Теоретичний розподіл зміщених іонів матриці та розподіл іонів гелію (без шкали) з енергією 100 кеВ, імплантованих у плівку Y3Fe5O12. Рис. 2. Глибина проникнення індентора в залежності від прикладеного навантаження (товщина плівки ЗІҐ становить 2,85 мкм). h, м км МІКРОТВЕРДІСТЬ ІМПЛАНТОВАНИХ ІОНАМИ ГЕЛІЮ МОНОКРИСТАЛІЧНИХ ПЛІВОК ЗАЛІЗО-ІТРІЄВОГО ҐРАНАТУ 49 Під час іонної імплантації за рахунок нако- пичення радіаційних дефектів і впровадженої домішки у мішені виникають напруги, які сприяють протіканню процесів пластичної деформації і зростанні густини дислокацій. Ступінь деформації плівок ЗІҐ при іонній імплантації впливає на ефективність процесу дефектоутворення [10]: на залежності вели- чини максимальної відносної деформації від товщини імплантованої іонами бору плівки ЗІҐ спостерігається мінімум при товщині плів- ки 2,9 мкм. Дане явище пояснюється тим, що неімплантовані плівки Y3Fe5O12 товщинами ~2 – 3 мкм є найбільш структурно досконалі і характеризуються відсутністю факторів, які стимулюють ріст кількості радіаційних дефек- тів. Аналогічна залежність величини макси- мальної відносної деформації від товщини плівки виявлена при імплантації плівок ЗІҐ іонами гелію [11]. Залежність мікротвердості плівок ЗІҐ як фун- кцію товщини представлено на рис. 3. Розра- ховане значення величини мікротвердості із збільшенням товщини плівки зростає як для не- імплантованої, так і для опромінених різними дозами іонів гелію, що пов’язано із зменшенням параметра ґратки матеріалу та ростом густини дислокацій у процесі вирощування плівок. На виміряній залежності величини мікро- твердості приповерхневого шару плівок ЗІҐ товщиною 2,85 мкм від дози опромінення (рис. 4) спостерігається першочергове зменшення даного параметра при дозах < 2⋅1015 Не+/см2 із наступним відновленням до свого початкового значення. Такий вигляд даної залежності – із мінімумом при початкових дозах імплантації – характерний для всього досліджуваного діапазону товщин плівок ЗІҐ. Для визначення ступеня деформації плівок ЗІҐ товщиною 2,85 мкм іонами гелію було про- ведено Х-променеве дослідження [9]. Встанов- лено, що в інтервалі доз 1⋅1015 – 6⋅1015 см–2 залежність величини максимальної відносної деформації від дози опромінення має лінійний характер (рис. 4), тобто кристалічна решітка плівки деформується пружно шляхом накопи- чення радіаційних дефектів, а з подальшим на- бором дози лінійність порушується. Із почат- ком взаємодії радіаційних дефектів між собою (D ≥ 6⋅1015 см–2) швидкість деформації решітки зменшується. Отримані результати можна інтерпретува- ти наступним чином. У роботі [12], в якій до- сліджували розупорядкування магнітної мік- роструктури імплантованих у даному режимі плівок ЗІҐ методом месбауерівської спектро- скопії, показано, що при початковій дозі ім- плантації спостерігається першочергове зро- стання ізомерних зсувів, яке є свідченням зме- ншення ступеня ковалентності хімічних зв’яз- ків, відповідно до чого мікротвердість матеріа- лу понижується; із подальшим набором дози опромінення значення величини ізомерних зсувів лінійно зменшується. З іншого боку спо- стерігається лінійний ріст парамагнітної фази, яка вказує на наявність радіаційно-розупо- рядкованих областей. Впроваджені атоми гелію ефективно вза- ємодіють з вакансіями, запобігаючи рекомбі- нації останніх із дефектами міжвузельного ти- Рис. 3. Мікротвердість як функція товщини для неім- плантованих плівок ЗІҐ (1) та опромінених іонами ге- лію різними дозами: 2 − 2⋅1015 см−2, 3 − 6⋅1015 см−2, 4 − 1⋅1016 см−2. Рис. 4. Залежність відносної максимальної деформації (1) та мікротвердості (2) плівок ЗІҐ товщиною 2,85 мкм від дози опромінення іонами гелію. H, мкм В.В. КУРОВЕЦЬ, В.Д. ФЕДОРІВ, І.П. ЯРЕМІЙ ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 1, vol. 10, No. 1 ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 1, vol. 10, No. 150 пу [13], і, як наслідок, відбувається накопичен- ня домішки у глибині плівки. А, як відомо, присутність газової фази знижує твердість ма- теріалу. Наявність впроваджених іонів гелію у плівці ЗІҐ підтверджується авторами роботи [14], в якій досліджувався розподіл іонів гелію по глибині методом реєстрації атомів пружної віддачі із використанням іонів аргону. Там же показано, що у імплантованих іонами гелію з енергією 90 кеВ до дози 1,2⋅1016 см–2, а потім відпалених у атмосфері дейтерію плівках ЗІҐ як впроваджені іони гелію, так і дифундуючі з поверхні атоми дейтерію концентруються у сильно деформованій радіаційними дефекта- ми ділянці. Таким чином, зменшення величини мікро- твердості, у порівнянні з її значенням для неім- плантованих плівок ЗІҐ, обумовлене наявністю дефектів, які утворюються при іонному опро- міненні і, відповідно, порушенням зв’язку між атомами кристалу. Із початком взаємодії радіа- ційних дефектів у порушеному шарі відбуваєть- ся зростання мікротвердості, яке пояснюється наявністю радіаційно розупорядкованих обла- стей в іонно-імплантованому шарі та блоку- ванням ними дислокаційного механізму руй- нування кристалу. Подібна залежність зміни величини мікро- твердості плівок ЗІҐ із дозою опромінення іонами Ne+ спостерігалася у роботі [7], де по- казано, що із ростом дози імплантації мікро- твердість імплантованих шарів дещо змен- шується, а з початком аморфізації порушеного шару відбувається зростання значення вели- чини мікротвердості. ВИСНОВКИ Із збільшенням товщини плівки ЗІҐ мікро- твердість зростає, що пов’язано із зменшенням параметра ґратки матеріалу та ростом густини дислокацій у процесі вирощування плівок. Дозова залежність мікротвердості імпланто- ваних іонами гелію плівок ЗІҐ формується внаслідок двох взаємо конкуруючих ефектів: з одного боку – руйнування структури та нако- пичення газової фази, що призводить до змен- шення мікротвердості матеріалу, а з другого – зародження і накопичення із ростом дози оп- ромінення радіаційно розупорядкованих діля- нок. При дозі імплантації ≥ 6⋅1015 Не+/см2, з початком взаємодії радіаційно-розупорядко- ваних областей, відбувається зростання вели- чини мікротвердості. Робота виконана за підтримки CRDF/ USAID (UKX 2-9200-IF-08) та МОН України (М/130-2009). ЛІТЕРАТУРА 1. Тихонов В.В. Резонансный механизм возбуж- дения обменных спиновых волн в слоистых монолитных феррит-ферритовых структурах //Известия Саратовского университета. Сер. Физика – 2009. – Т. 9, № 1. – C. 17-32. 2. Яковлев Ю.М., Генделев С.Ш. Монокристал- лы ферритов в радиоэлектронике/Под ред. Матвеева Г.А. – М.: Сов. радио, 1975. – 360 с. 3. Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация. – М.: Наука, 1983. – 320 с. 4. Вабищевич С.А., Вабищевич Н.В., Бринке- вич Д.И., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Приповерхностное упрочнение пластин крем- ния, имплантированных высокоэнергетич- ными ионами бор//Поверхность. Рентгеновс- кие, синхротронные и нейтронные исследо- вания. – 2010. – № 1. – С. 78-81. 5. Sirdeshmukh D.B., Sirdeshmukh L., Subhad- ra K.G. et.al. Systematic hardness measure- ments on some rare earth garnet crystals//Bull. Mater. Sci. – 2001. – Vol. 24, № 5. – P. 469-473. 6. Pardavi-Horvath M. Microhardness and brittle fracture of garnet single crystals//Journal of Mate- rials Science. – 1984. – Vol. 19. – P. 1159-1170. 7. Бережанский В.Н., Петров В.Е., Коро- бий Ю.Н. Влияние ионной имплантации на микротвердость эпитаксиальных и объемных кристаллов редкоземельных гранатов//Пись- ма в ЖТФ.– 1990.– Т. 16, Вып. 21.– С. 89-91. 8. Измерение микротвердости вдавливанием алмазных наконечников. ГОСТ 9450-76. 9. Куровець В. В. Радіаційне дефектоутворення в імплантованих іонами гелію монокристаліч- них плівках залізо-ітрієвого ґранату//Фізика і хімія твердого тіла. – 2010. – Т. 11, № 4. – С. 884-888. 10. Остафійчук Б.К., Яремій І.П., Кравець В.І., Клюка С.Я., Яремій С.І. Вплив кристалічної структури епітаксійних плівок ЗІГ на профілі деформації//Фізика і хімія твердого тіла. – 2006. – Т. 7, № 3. – С. 436-441. 11. Куровець В. Вплив товщини імплантованих плівок на ефективність процесу радіаційного дефектоутворення//Тези доповідей Міжна- родної конференції студентів та молодих на- МІКРОТВЕРДІСТЬ ІМПЛАНТОВАНИХ ІОНАМИ ГЕЛІЮ МОНОКРИСТАЛІЧНИХ ПЛІВОК ЗАЛІЗО-ІТРІЄВОГО ҐРАНАТУ 51 уковців з теоретичної та експериментальної фізики ЕВРИКА-2009. (Львів). – 2009. - С. С24. 12.Федорів В.Д., Коцюбинський В.В., Куро- вець В.В., Мокляк В.В. Мессбауерівські до- слідження розупорядкування магнітної мікро- структури плівок ЗІГ, імплантованих іонами Не+//Матеріали ХI Міжнародної конференції з фізики і технології тонких плівок (Івано- Франківськ). – 2007. – Т. 2. – С. 149-150. 13. Реутов В.Ф., Сохацкий А.С. Аморфизация кристаллов Si ионами He+//Письма в ЖТФ. – 2002. – Т. 28, Вып. 14. – С. 83-87. 14. Matsushita K., Kikuchi T., Furuya K. et. al. Si- multaneous depth analisis of deuterium and helium in He+-implanted YIG annealed in D2//RIKEN Accel. Progr. Rept. – 1993. – Vol. 27. – P. 125. LІTERATURA 1. Tihonov V.V. Rezonansnyj mehanizm vozbuzh- deniya obmennyh spinovyh voln v sloistyh mono- litnyh ferrit-ferritovyh strukturah//Izvestiya Sara- tovskogo universiteta. Ser. Fizika. – 2009. – T. 9, № 1. – C. 17-32. 2. Yakovlev Yu.M., Gendelev S.Sh. Monokristally ferritov v radioelektronike/Pod red. Matvee- va G.A. – M.: Sov. radio, 1975. – 360 s. 3. Rissel H., Ruge I. Ionnaya implantaciya. – M.: Nauka, 1983. – 320 s. 4. Vabischevich S.A., Vabischevich N.V., Brinke- vich D.I., Prosolovich V.S., Yankovskij Yu.N. Pri- poverhnostnoe uprochnenie plastin kremniya, implantirovannyh vysoko‘energetichnymi ionami bor//Poverhnost’. Rentgenovskie, sinhrotronnye i nejtronnye issledovaniya. – 2010. – № 1. – S. 78-81. 5. Sirdeshmukh D.B., Sirdeshmukh L., Subhad- ra K.G. et.al. Systematic hardness measure- ments on some rare earth garnet crystals//Bull. Mater. Sci. – 2001. – Vol. 24, №5. – P. 469-473. 6. Pardavi-Horvath M. Microhardness and brittle fracture of garnet single crystals//Journal of Mate- rials Science. – 1984. – Vol. 19. – P. 1159-1170. 7. Berezhanskij V.N., Petrov V.E., Korobij Yu.N. Vliyanie ionnoj implantacii na mikrotverdost’ epitaksialnyh i obemnyh kristallov redkoze- mel’nyh granatov//Pis’ma v ZhTF. – 1990. – T. 16, Vyp. 21. – S. 89-91. 8. Izmerenie mikrotverdosti vdavlivaniem almaznyh nakonechnikov. GOST 9450-76. 9. Kurovec V.V. Radіacіjne defektoutvorennya v іmplantovanih іonami gelіyu monokristalіchnih plіvkah zalіzo-іtrіеvogo granatu//Fіzika і hіmіya tverdogo tіla. – 2010. – T. 11, № 4.– S. 884-888. 10. Ostafіjchuk B.K., Yaremіj І.P., Kravec V.І., Klyu- ka S.Ya., Yaremіj S.І. Vpliv kristalіchnoї strukturi epіtaksіjnih plіvok ZІG na profіlі deformacії//Fіzi- ka і hіmіya tverdogo tіla. – 2006. – T. 7, № 3. – S. 436-441. 11. Kurovec’ V. Vpliv tovschini іmplantovanih plіvok na efektivnіst’ procesu radіacіjnogo defektoutvo- rennya//Tezi dopovіdej Mіzhna-rodnoї konferencії studentіv ta molodih na-ukovcіv z teoretichnoї ta eksperimental’noї fіziki EVRIKA-2009. (Lvіv). – 2009. – S. S24. 12. Fedorіv V.D., Kocyubinskij V.V., Kurovec V. V., Moklyak V.V. Messbauerіvskі doslіdzhennya ro- zuporyadkuvannya magnіtnoї mіkrostrukturi plіvok ZІG, іmplantovanih іonami Ne+//Materіali HI Mіzhnarodnoї konferencії z fіziki і tehnologії tonkih plіvok (Іvano-Frankіvsk). – 2007. – T. 2. – S. 149-150. 13. Reutov V.F., Sohackij A.S. Amorfizaciya kristallov Si ionami He+//Pisma v ZhTF. – 2002. – T. 28, Vyp. 14. – S. 83-87. 14. Matsushita K., Kikuchi T., Furuya K. et. al. Si- multaneous depth analisis of deuterium and helium in He+-implanted YIG annealed in D2//RIKEN Accel. Progr. Rept. – 1993. – Vol. 27. – P. 125. В.В. КУРОВЕЦЬ, В.Д. ФЕДОРІВ, І.П. ЯРЕМІЙ ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 1, vol. 10, No. 1
id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98928
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn	1999-8074
language	Ukrainian
last_indexed	2025-11-30T09:26:13Z
publishDate	2012
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
record_format	dspace
spelling	Куровець, В.В. Федорів, В.Д. Яремій, І.П. 2016-04-19T14:43:25Z 2016-04-19T14:43:25Z 2012 Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату / В.В. Куровець, В.Д. Федорів, І.П. Яремій // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 47–51. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98928 548.55:53.091 Проведено вимірювання мікротвердості монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату різних товщин як неімплантованих, так і модифікованих бомбардуванням іонами гелію (Е = 100 кеВ, D = 1⋅10¹⁵ – 1⋅10¹⁶ см⁻²). Встановлено, що мікротвердість плівок залізо-ітрієвого ґранату із збільшенням товщини плівки зростає. Показано наявність мінімуму (D = 2⋅10¹⁵ Не⁺ /см² ) на залежності виміряної величини мікротвердості плівок залізо-ітрієвого ґранату від дози опромінення іонами гелію. Проведены измерения микротвердости монокристаллических пленок железо-иттриевого граната разных толщин как неимплантированных, так и модифицированных бомбардированием ионами гелия (Е = 100 кэВ, D = 1•10¹⁵ – 1⋅10¹⁶ см⁻²). Установлено, что микротвердость пленок железо-иттриевого граната с увеличением толщины пленки возрастает. Показано наличие минимума (D = 2⋅10¹⁵ Не⁺ /см² ) на зависимости измеренной величины микротвердости пленок железо-иттриевого граната от дозы облучения ионами гелия The results of microhardness measurements of various thicknesses nonimplanted and implanted by helium ions E = 100 keV, D = 1⋅10¹⁵ – 1⋅10¹⁶ ion/cm² single crystalline YIG films are represented. It is set that microhardness of YIG films increases with the increase of film thickness. The presence of a minimum (D = 2⋅10¹⁵ Не⁺ /сm² ) on the dose dependence of measured values microhardness of helium implanted YIG films is performed. Remove selected Робота виконана за підтримки CRDF/ USAID (UKX 2-9200-IF-08) та МОН України (М/130-2009). uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату Article published earlier
spellingShingle	Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату Куровець, В.В. Федорів, В.Д. Яремій, І.П.
title	Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату
title_full	Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату
title_fullStr	Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату
title_full_unstemmed	Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату
title_short	Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату
title_sort	мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98928
work_keys_str_mv	AT kurovecʹvv míkrotverdístʹímplantovanihíonamigelíûmonokristalíčnihplívokzalízoítríêvogogranatu AT fedorívvd míkrotverdístʹímplantovanihíonamigelíûmonokristalíčnihplívokzalízoítríêvogogranatu AT âremíiíp míkrotverdístʹímplantovanihíonamigelíûmonokristalíčnihplívokzalízoítríêvogogranatu

Мікротвердість імплантованих іонами гелію монокристалічних плівок залізо-ітрієвого ґранату

Institution

Similar Items