Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Мирсагатов, Ш.А., Музафарова, С.А., Ачилов, А.С., Мовлонов, А.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98933
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо / Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 78–84. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe.
 Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ
 модификации Al₂O₃ и тонкий слой композитного материала c составом (С60)1-x-(СdTe)x с x ≥ 0.5. Общая толщина промежуточного слоя согласно емкостным и рентгеноструктурным
 измерениям составляет не более ~200 Å. Показано, что в структуре Al-pCdTe базовый материал, в основном, состоит из однородного слоя CdTe кубической модификации. У даній роботі досліджений проміжний шар у структурі бар’єра Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазний аналіз і фотоелектричний метод дослідження показали, що проміжний шар між Al і
 pCdTe досить складний за складом. У ньому є всі три α-β-γ модифікації Al₂O₃ і тонкий шар
 композитного матеріалу із складом (С60)1-x-(СdTe)x з x і 0.5. Загальна товщина проміжного
 шару відповідно до ємнісних і рентгеноструктурних вимірів становить не більше ~200 Å. Показано, що в структурі Al-pCdTe базовий матеріал, в основному, складається з однорідного шару
 CdTe кубічної модифікації. In the given work the intermediate layer in structure of barrier Шоттки Al-pCdTe is investigated.
 Рентгенофазный the analysis and a photo-electric method of research have shown, that the intermediate
 layer between Al and pCdTe is combined enough on structure. In it there are all three α-β-γ updatings
 Al₂O₃ and a thin layer of a composit material c structure (С60)1-х-(СdTe)x
 with x ≥ 0.5. The general
 thickness of an intermediate layer according to capacitor and roentgenostructuring to measurements
 makes no more than ∼200 Å. It is shown, that in structure Al-pCdTe a base material, basically, consists
 of homogeneous layer CdTe of cubic updating.