Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо

В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ модификации Al₂O₃ и тонкий слой композитного...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физическая инженерия поверхности
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Мирсагатов, Ш.А., Музафарова, С.А., Ачилов, А.С., Мовлонов, А.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98933
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо / Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 78–84. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

_version_	1859857512189132800
author	Мирсагатов, Ш.А. Музафарова, С.А. Ачилов, А.С. Мовлонов, А.А.
author_facet	Мирсагатов, Ш.А. Музафарова, С.А. Ачилов, А.С. Мовлонов, А.А.
citation_txt	Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо / Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 78–84. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.
collection	DSpace DC
container_title	Физическая инженерия поверхности
description	В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ модификации Al₂O₃ и тонкий слой композитного материала c составом (С60)1-x-(СdTe)x с x ≥ 0.5. Общая толщина промежуточного слоя согласно емкостным и рентгеноструктурным измерениям составляет не более ~200 Å. Показано, что в структуре Al-pCdTe базовый материал, в основном, состоит из однородного слоя CdTe кубической модификации. У даній роботі досліджений проміжний шар у структурі бар’єра Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазний аналіз і фотоелектричний метод дослідження показали, що проміжний шар між Al і pCdTe досить складний за складом. У ньому є всі три α-β-γ модифікації Al₂O₃ і тонкий шар композитного матеріалу із складом (С60)1-x-(СdTe)x з x і 0.5. Загальна товщина проміжного шару відповідно до ємнісних і рентгеноструктурних вимірів становить не більше ~200 Å. Показано, що в структурі Al-pCdTe базовий матеріал, в основному, складається з однорідного шару CdTe кубічної модифікації. In the given work the intermediate layer in structure of barrier Шоттки Al-pCdTe is investigated. Рентгенофазный the analysis and a photo-electric method of research have shown, that the intermediate layer between Al and pCdTe is combined enough on structure. In it there are all three α-β-γ updatings Al₂O₃ and a thin layer of a composit material c structure (С60)1-х-(СdTe)x with x ≥ 0.5. The general thickness of an intermediate layer according to capacitor and roentgenostructuring to measurements makes no more than ∼200 Å. It is shown, that in structure Al-pCdTe a base material, basically, consists of homogeneous layer CdTe of cubic updating.
first_indexed	2025-12-07T15:43:39Z
format	Article
fulltext	78 ВВЕДЕНИЕ Теллурид кадмия является основным материа- лом для создания детекторов жесткого рентге- новского и γ-излучения, которые широко при- меняются в науке, технике, медицине и дру- гих областях. Большие атомные номера ком- понент материала Z = 48 (Cd) и Z = 52 (Te) обеспечивают более высокую эффективность по сравнению с детекторами на основе крем- ния. Большая ширина запрещенной зоны тел- лурида кадмия (1.5 эВ) обеспечивает работу без криогенного охлаждения. Применение в детекторе CdTe предполагает высокое удель- ное сопротивление материала, значить его высокую чистоту и совершенство кристал- лической структуры. Эти требования в зна- чительной степени ослабляются, если один из омических контактов к CdTe заменить контактом Шоттки [1 – 3]. Бесспорным пре- имуществом CdTe детекторов с диодом Шот- тки являются малые темновые токи и благо- приятные условия для собирания зарядов, ге- нерированных при поглощении высокоэнер- гетических квантов. Несмотря на достигнутые технические ус- пехи в создании диодов Шоттки [1 – 4], ряд физических вопросов соответствующих к ди- одам Шоттки, изготовленных на основе CdTe, остаются невыясненными. Как показали, ис- следования последних лет, что в гетероген- ной системе металл-полупроводник обра- зуется промежуточный слой [5 – 7], который значительной степени может повлиять на вы- ходные параметры структуры. При этом ато- УДК 53.043;53.023;539.234. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОМЕЖУТОЧНЫХ СЛОЁВ ДИОДА С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ Al-pCdTe-Мо Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов Физико-технический Институт АН РУз (Ташкент) Узбекистан Поступила в редакцию 03.01.2012 В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежу- точный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ модификации Al2O3 и тонкий слой композитного материала c составом (С60)1-x-(СdTe)x с x ≥ 0.5. Общая толщина промежуточного слоя согласно емкостным и рентгеноструктурным измерениям составляет не более ~200 D. Показано, что в структуре Al-pCdTe базовый мате- риал, в основном, состоит из однородного слоя CdTe кубической модификации. Ключевые слова: промежуточный слой, емкостные и рентгеноструктурные измерения, базовый материал. У даній роботі досліджений проміжний шар у структурі бар’єра Шоттки Al-pCdTe. Рентге- нофазний аналіз і фотоелектричний метод дослідження показали, що проміжний шар між Al і pCdTe досить складний за складом. У ньому є всі три α-β-γ модифікації Al2O3 і тонкий шар композитного матеріалу із складом (С60)1-x-(СdTe)x з x і 0.5. Загальна товщина проміжного шару відповідно до ємнісних і рентгеноструктурних вимірів становить не більше ~200 D. Пока- зано, що в структурі Al-pCdTe базовий матеріал, в основному, складається з однорідного шару CdTe кубічної модифікації. Ключові слова: проміжний шар, ємнісні та рентгеноструктурні виміри, базовий матеріал. In the given work the intermediate layer in structure of barrier Шоттки Al-pCdTe is investigated. Рентгенофазный the analysis and a photo-electric method of research have shown, that the intermediate layer between Al and pCdTe is combined enough on structure. In it there are all three α-β-γ updatings Al2O3 and a thin layer of a composit material c structure (С60)1-х-(СdTe)x with x ≥ 0.5. The general thickness of an intermediate layer according to capacitor and roentgenostructuring to measurements makes no more than ∼ 200 D. It is shown, that in structure Al-pCdTe a base material, basically, con- sists of homogeneous layer CdTe of cubic updating. Keywords: intermediate layer, capacitor and roentgenostructuring measurements, base material.  Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов, 2012 79ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 1, vol. 10, No. 1 мная и электронная структура металла су- щественно влияет на физико-химические процессы, протекающие на границе раздела: металл-полупроводник. Так как, взаимо- действие между металлом и полупроводни- ком определяется не только от типа хими- ческой связи полупроводника, но значи- тельной степени определяется структурно- морфологическими характеристиками тон- кого металлического слоя барьера Шоттки и омического контакта типа pCdTe-Mo. В ре- зультате, они влияют на интенсивность диф- фузионных процессов и фазообразование в переходных слоях в диодной структуре. По- этому исследование реального строения дио- да с барьером Шоттки Al-pCdTe и омического контакта pCdTe-Mo.представляет не только научно-фундаментальный, но и практический интерес. ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ Образцы и методики исследования. Диоды Шоттки изготовлены способом напыления тонкого металлического слоя из чистого алю- миния Al в вакууме ~10–5 Торр на поверхность крупноблочных пленок теллурида кадмия pCdTe cо столбчатой структурой зерен. Тыль- ным контактом служил молибденовая Мо подложка особой чистоты. Пленки pCdTe имели удельное сопротивление ρ ≈ 105 – 107 WЧсм и время жизни неосновных носителей порядка τ = 10–7 – 10–6 с. Толщина пленок pCdTe составляла ~30 mm. Размеры зерен поликристаллического pCdTe находятся в пределах от 100 до 150 µm, зерна охватывают всю толщину пленки. Активационный анализ [8] и измерение оже-спектроскопии [9] показывают, что на поверхности таких пленок pCdTe, выращен- ных методом сублимации в потоке водорода имеются избыток атома углерода С, вероят- но, которые на поверхности пленок pCdTe по- ступают из графитового тигля, откуда испа- ряется порошок теллурид кадмия в процессе синтеза в потоке водорода [10]. Установлено, что с повышением температуры испарения порошка из тигля увеличивается количество атомов углерода С на поверхности пленок pCdTe. Верхний контакт Al имел площадь от S ≈ 4 мм2 до S ≈ 1 cм2. Такая структура с верхним металлическим слоем с площадью S ≈ 7 мм2 имела обратный ток ~(2 ÷ 5)⋅10–9A и коэффициент выпрямления k = Iп/Iобр=10 3 ÷ 104 (при V = 10 В) с толщиной верхнего кон-такта Al d ~ 0,1 mm. Для выяснения реального строения ба- рьера Шоттки Al-pCdTe проводились рент- геноструктурный фазовый анализ. Спек- тральное распределение фоточувствитель- ности и вольт-фарадные характеристики сня- ты в прямом и обратном направлениях тока. Рентгеноструктурный анализ проводился на установке ДРОН-2 (Cu-излучение, Ni-фильтр) Информационная глубина которого состав- ляет 300 nm. Чувствительность метода рентге- нофазного анализа составляла ~5%. Фазовый состав переходного слоя диода Шоттки исследован также фотоэлектричес- ким, неразрушающим методом [11]. Спектра- льная зависимость фоточувствительности структуры измерялась на монохроматоре 3МР-3 при комнатной температуре. Погреш- ность измерения составляла не более 2 ÷ 3%. Источником излучения служила ксеноновая лампа типа ДКСШ-1000, работающая в ре- жиме минимально допустимой мощности, которая обеспечивала световой поток 53000 лм и яркость до 120 Мкд/м2 с центральным световым пятном. Вольт-фарадной характеристикой опреде- лены концентрация равновесных носителей тока в pCdTe и оценена толщина оксидного слоя Al2О3 между слоем Al и pCdTe. C(V)-ха- рактеристика измерялась при частоте f ≈ 465 кГц при комнатной температуре, которая по форме идентична в области частот 100 кHz – 5 MHz. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ Рентгеноструктурный анализ. С целью выяснения реального строения структур ба- рьера Шоттки Al/pCdTe проводился рентге- ноструктурный фазовый анализ на установ- ке ДРОН-2 (Cu-излучение, Ni-фильтр). Ин- формационная глубина, которого составляет 300 нм. Чувствительность метода рентгено- фазного анализа составляла ~5%. Параметры решетки CdTe вычислены по формуле: Ш.А. МИРСАГАТОВ, С.А. МУЗАФАРОВА, А.С. АЧИЛОВ, А.А. МОВЛОНОВ 80 2 2 2 2 2 2 a ad k l N = = + +� (1) и формуле Вульфа-Брегга: sin 2 N a πθ = , (2) где, θ – брегговский угол, определенный по рентгенограмме N = �2 + k2 + l2 – индексы Миллера, θ составлял: 6.485 D, 6.486 D, 6.487 D. Относительная погрешность при вы- числении составлял соответственно 0.062, 0.077, 0.093%. Размер кристаллитов возрастает до 1 – 2 мкм и имеет ярко выраженную треу- гольную форму (характерную для кубической фазы). Результаты рентгеноструктурного ана- лиза структур Al/рCdTe сопоставлении с дан- ным работы [12] представлены на дифракто- грамме (рис. 1). Пленки CdTe. На дифрактограмме (рис. 1) ярко выделяются рефлексы углов Брэгга, соот- ветствующих в основном теллурида кадмия кубической модификации. По рентгенограмме видно, что пленки CdTe синтезируются в кристаллографичес- ких направлениях (111), (220), (311), (400). Аналогичные данные рентгенограммы, бы- ли получены также авторами других работ, в которых пленки выращивались методами электроосаждения [13], лазерного парового осаждения [14], сублимации в замкнутом объеме [16]. Рефлексы с индексами (111) в рентгенограмме являются самыми интен- сивными. Это означает, что данная плос- кость ориентирует структуру пленок CdTe как сфалеритная. Наличие других пиков с рефлексами (220), (311) и (400) свидетельс- твует о том, что пленки CdTe имеют куби- ческую, гранецентрированную решетку с координационным числом 12 [16, 17]. Резу- льтаты проведенного индексирования и дактилоскопического сравнения с набором эталонных рентгенограмм ASTM [12], по- казывают, что выращенные пленки CdTe ку- бической модификации и однородны. Это также подтверждает вычисленные индексы Миллера: 6.486 D, 6.485 D и 6.487 D по фор- муле N = �2 + k2 + l2 для трех больших пи- ков на рентгенограмме, которые хорошо со- впадают с величиной постоянной решетки α = 6.482 D теллурида кадмия кубической модификации. Относительная погрешность вычисления индексов Миллера составляла соответственно 0,062; 0,077 и 0,093% для указанных пиков на рентгенограмме. Оксид Al2O3. В результате сопоставления стандартных ASTM [12] с эксперименталь- ными, выясняется, что наряду с основным веществом – CdTe, имеется оксид алюминия – Al2O3 и его различные устойчивые модифи- кация: α-Al2O3, β-Al2O3, γ-Al2O3 [18]. Веро- ятно, они образуются в процессе вакуумного нанесения алюминия на поверхность pCdTe. Анализ диаграммы состояния системы Al-O [19] показывает (pис. 3), что твердофазный Al вполне может образовать оксид Al2O3 в ва- кууме 10–5 – 10–4 торр сравнительно при не- высоких температурах. Соединение α-Al2O3 является полупроводниковым материалом n-типа проводимости шириной запрещен- ной зоны Eg = 2.5 эВ [18]. Этот полупровод- ник имеет весьма высокое удельное сопроти- вление ρ ≈ 1012 Ом⋅см при комнатной темпе- ратуре. Различные модификации соедине- ния Al2O3, вероятно, отличаются между собой по оптическим и электрофизическим свойст- вам. Оценки рентгеноструктурного анализа показывают, что общая толщина окисных слоев алюминия составляет d ≈ 150 – 200. На рис. 2 приведено спектральное распре- деление фоточувствительности диода с ба- рьером Шоттки Al-pCdTe в коротковолновой, а на рис. 3 – в длинноволновой области спек- тра при комнатной температуре. На рис. 2, 3 четко проявляются пики при следующих дли- нах волн: λ2 = 460,2 нм (2), λ3 = 485 нм (3), λ4=665,4 нм (4), λ5=733,4 нм (5), λ6= 790,6 нм Рис. 1. Дифрактограмма структуры барьера Шоттки Al-pCdTe CdTe в излучении медного анода при фоку- сировке по Бреггу-Брентано. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОМЕЖУТОЧНЫХ СЛОЁВ ДИОДА С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ Al-pCdTe-Мо ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 1, vol. 10, No. 1 81ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 1, vol. 10, No. 1 (6). Кроме этого в области длин волн ∆λ= 444 – 450 нм (1) наблюдается плечо, т.е. посто- янство фоточувствительности. Для обнаруженных пиков и плечо в спект- ральной зависимости распределения фото- чувствительности, кроме пика (5) при λ5 = 733,4 нм, определены края фундаментального поглощения λк.ф.п с помощью экстраполяции длинноволнового края максимумов фоточув- ствительности на ось l. Для этих краев фун- даментального поглощения вычислены ши- рины запрещенных зон Eg, как в [11], которые оказались равные: Eg1 = 2.56 эВ (плечо), Eg2 = 2.41 эВ, Eg3 = 2.25 эВ, Eg4 = 1.62 эВ, и Eg6 = 1.51 эВ соответственно. Разумеется, эти значения ширины запрещенных зон относят- ся химическим соединениям, присутствую- щих на границе раздела Al-pCdTe. Значение Eg1 = 2.56 эВ практически совпадает со зна- чением ширины запрещенной зоны Eg α-Al2O3, которая равна ~2,5 эВ [19]. Отличие между значениями Eg, определенных фото- электрическим методом и литературными данными составляет 0.06 эВ. Это объясняется тем, что при экстраполяции длинноволно- вого края плеча на ось l допускается опре- деленная погрешность. Так как поглощение фотонов происходит не только в указанном материале (α-Al2O3), но и также происходит поглощение фотонов с ним стыкующем ма- териале. Поэтому происходит неточность в определении края фундаментального погло- щения, которая в свою очередь приводить к погрешности в определении Eg для оксида алюминия. Предполагается, что значения Eg2 = 2.41 эВ, Eg3 = 2.25 эВ, относятся к β- и γ-модификациям соединения оксида Al2O3 [19]. Пик λ3 = 665,4 нм соответствует CdTe гек- сагональной модификации, так как по зна- чению краю фундаментального поглощения (λк.ф.п ≈ 764,5 нм) этого пика определенная ширина запрещенной зоны Eg4 = 1.62 эВ хо- рошо совпадает с шириной запрещенной зо- ны данной модификации теллурида кадмия, определенной по измерениям фотолюминес- ценции [20]. Пик λ4 = 733,4 нм относится, по- видимому, композитному материалу (С60)1-x- (СdTe)x при x = 0.5. Согласно [10] в спектре фотолюминесценции пленки состава (С60)1-x -(СdTe)x при x = 0.5 начинает доминировать линия 730 нм. Вероятно, атомы углерода С находящиеся на поверхности пленки теллу- рида кадмия формируют тонкий слой такого композитного материала. Что касается пика при λ5 = 790,6 нм, то он соответствует, теллу- рида кадмия кубической модификации, так как его край фундаментального поглощения дает значение ширины запрещенной зоны равной Eg6 = 1.51 нм [20]. Промежуточный слой Mo-pCdTe. Как по- казано в [9] В диодах Шоттки Al/pCdTe между металлическим контактом Mo и полупровод- ником pCdTe образуется также промежуточ- ный слой, который значительно определяет выходных параметров структуры (прибора). Для изучения строения границы Мo-СdTe пленку теллурида кадмия отделяли от мо- либденовой подложки и изучали отдельно поверхность пленки, прилегающей к подлож- ке и подложки, прилегающей к пленке (рис. 4). Рис. 2. Спектральное распределение фоточувствитель- ности барьера Шоттки Al- pCdTe в коротковолновой области спектра. Рис. 3. Спектральное распределение фоточувствитель- ности барьера Шоттки Al-pCdTe в длинноволновой области спектра. Ш.А. МИРСАГАТОВ, С.А. МУЗАФАРОВА, А.С. АЧИЛОВ, А.А. МОВЛОНОВ 82 Получено, что исходная молибденовая подложка не содержит на своей поверхнос- ти оксидов. Оксиды молибдена МоО3 и по- являются в процессе синтеза, в результаты контакта нагретой молибденовой подложки остаточным О2 кислородом в системе. Ок- сид МоО3 также проявляет себя как высоко- омный полупроводник n-типа [18, 19]. Из выше изложенных данных следует, что промежуточный слой на границе раздела Al-pCdTe по составу разнообразный и доста- точно сложный. Однако можно утверждать с уверенностью, что в этом слое определяю- щую роль играют окиси алюминия разной мо- дификации. Поскольку α-β-γ-Al2O3 являются высокоомными материалами то, структура Al-pCdTe практически должна проявлять себя как МОП-структура. На рис. 5 показано схема строения струк- туры Al-pCdTe. Исследования показывают реальное стро- ение структур барьера Шоттки Al/рCdTe с по- мощью рентгеновского фазового анализа, и построена их схема строения, которая имеет следующую последовательность: Мо + МоО2 + CdTe + Al2О3 + Al. Это, несомненно, должно отражаться и на вольт-фарадной характеристике исследуемой структуры. Действительно вольт-фарадная характеристика Al-pCdTe структуры, снятая при частоте f = 465 кГц подобна C(V)-ха- рактеристике МОП-структуры (рис. 6) с полу- проводником р-типа проводимости [22]. Из- вестно, что по вольт-фарадной характеристи- ке МОП-структуры в режиме обогащения можно оценить толщину окисного слоя по ве- личине емкости на плато, и концентрацию равновесных основных носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника в режиме объединения. Таким путем прове- денная оценка дает, для толщины окисного слоя d ≈ 200 D, которая неплохо согласуется с данными рентгеноструктурного метода. При оценке толщин d использована формула пло- ского конденсатора C = (εS/d) и взято значение диэлектрической проницаемости е окиси алюминия Al2O3 = 10,5 [18]. Разумеется, что величина d ≈ 200 D харак- теризует толщину всех модификаций Al2O3, так как они по данным фотоэлектрического измерения являются широкозонные и по ве- личине Eg не так сильно отличаются. Эффек- тивная концентрация равновесных носите- лей заряда определенная по C(V)-характе- ристике оказалась Nэфф ≈ 1.2⋅1014 нм–3, которая практически совпадает с концентрацией ды- рок исходной пленки pCdTe. Рис. 4. Рентгенограмма строения границы Мo-СdTe на молибденовой подложке. Рис. 5. Схема реального строения структур барьера Шоттки Al-pCdTe Мо + МоО3 + CdTe + Al203 + Al. Рис. 6. Вольт-фарадная характеристика барьера Шоттки Al-pCdTe при частоте f = 465 кГц. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОМЕЖУТОЧНЫХ СЛОЁВ ДИОДА С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ Al-pCdTe-Мо ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 1, vol. 10, No. 1 83ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 1, vol. 10, No. 1 Дальнейшее исследование влияния выяв- ленных оксидов на границах структур на па- раметры электрофизических и фотоэлектри- ческих свойств имеет большой научный ин- терес сточки зрения по обеспечению ста- бильности полупроводниковых приборов на их основе. ЗАКЛЮЧЕНИЕ Проведенный рентгенофазный анализ и ис- следование спектрального распределения фо- точувствительности структуры барьера Шот- тки Al-pCdTe показали, что в структуре обра- зуется промежуточные слои, между метал- лической подложкой молибдена Мо-CdTe в основном полупроводниковый оксид МоО3 и на границе раздела Al-CdTe имеются все три α-β-γ-модификации оксида Al2O3, которые достаточно сложные по составу, также тон- кий слой композитного материала c составом (С60)1-x-(СdTe)x с x ≥ 0.5. Согласно по емкост- ным и рентгеноструктурным измерениям об- щая толщина промежуточного слоя не более d ≈ 200 D. Показано, что базовый материал преимущественно состоит из CdTe кубичес- кой модификации. ЛИТЕРАТУРА 1. Takahashi T., Watanabe S.//IEEE Trans. Nucl. Sci. – 2001. – Vol. 48. – P. 950. 2. Watanabe S., Takahashi T., Okada Y., Sato G., Kouda M., Mitani T., Kabayashi Y., Nakaza- wa K., Kuroda Y., Onishi M.//IEEE Trans. Nucl. Sci – 2002. – Vol. 49. – P. 210. 3. Tanaka T., Kabayashi T., Mitani T., Nakaza- wa K., Oonuki K., Sato G., Takahashi T., Wata- nabe S.//New Astronomy Reviews. – 2004. – Vol. 48. – P. 309. 4. Косяченко Л., Склярчук В., Маслянчук О., Грушко Е., Гнатятюк В., Аoki Т., Hatanana- ka Y.//Письма ЖТФ. – 2006. – Т. 32, Вып. 24. – С. 29-36. 5. Стриха В.И., Бузанева Е.В. Физические ос- новы надежности контактов металл-полупро- водник в интегральной электронике//М. Радио и связь. – 1987. – C. 254. 6. Бреза Ю., Венгер Е., Конакова Р. Кудрик Я., Литвин О., Литвин П., В.В. Миленин//По- верхность. – T. 19-98, № 5. – С. 110-127. 7. Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н и др.//ФТП.–2009.– Т. 43, № 11. – C. 1468-1472. 8. Мирсагатов Ш.А., Шамирзаев С.Х., Махму- дов М.А., Садыков С.И.//Гелиотехника. – 1998. – № 5. – С. 20-25. 9. Алиев А., Мирсагатов Ш., Музафарова С., Абдувайитов А.А.//Сб. трудов междунар. конф. “Фундаментальные и прикладные воп- росы физики” (Ташкент). – 2004. –С. 211-214. 10. Когновицкий C., Нащекин А., Соколов Р., Со- шников И., Конников С.//Письма в ЖТФ. 2003. – Т. 29, Вып. 11. – С. 79-85. 11. Музафарова C., Айтбаев Б., Мирсагатов Ш., Дуршимбетов Ж., Жанабергенов Ж.//ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып.12. – С. 1409-1414. 12. American Society for Testing of Materials. ASTM-Powder diffraction tile search manner alphabetical listing and search section of frequ- ently Encountered phase’s inorganic. – USA, 1976. 13. Silvia Bonilla, EnriqueA. Dachiele A. Electro- chemical deposition and characterization of CdTe polycrystalline thin films//Thin solid films. – 1991. – T. 204, № 2. – Р. 397-403. 14. Compaon Bhat A., Tabory C., Liu S., Nquy- en M., Audinli A., Tsien L.H., Bohn R.G. Fab- rication of CdTe solar cells by laser-drivin phy- sical vapor deposition. Solar Cells. – 1991. – Vol. 30, № 1. – Р.79-88. 15. Gil Yong Chung Sung Chan Park, Кurn Cuo, Byung Tae Aim. Electrical properties of CdTe films prepared by close-spaced sublimation with screen printed source layers//J. Appl. Phys. – 1995. – Vol. 78, № 9. – Р. 5493-5498. 16. Ормонт Б.Ф. Введение в физ. химию и крис- таллохимию полупроводников. – М.: Выс- шая школа, 1968. – 203 с. 17. Ежовский Ю.К, Калинкин И.П, Муравье- ва К.К, Алексовский В.Б. Синтез эпитакси- альных пленок CdTe//Известия АНСССР. Неорганические материалы. – 1973. – Т. 9, № 7. – С. 1115-1120. 18. Кристаллохимические и физические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. – М.: Из-во стандартов, 1973. – 102 с. 19. Физико-химические свойства окислов. Спра- вочник/Под. ред. Самсонова Г.В. – М.: Металлургия, 1978. 20. Chadi D.J.//Appl. Phys. Lett.– 1991. – Vol. 59, No. 27. – P. 3589 . 21. Винчелл А.Н. Оптические свойства искусст- венных минералов/Пер. с англ. – М.: Мир, 1972. – 526 c. 22. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. T. 2. – М.: Мир, 1984. – 455 с. Ш.А. МИРСАГАТОВ, С.А. МУЗАФАРОВА, А.С. АЧИЛОВ, А.А. МОВЛОНОВ 84 LITERATURA 1. Takahashi T., Watanabe S.//IEEE Trans. Nucl. Sci. – 2001. – Vol. 48. – P. 950. 2. Watanabe S., Takahashi T., Okada Y., Sato G., Kouda M., Mitani T., Kabayashi Y., Nakaza- wa K., Kuroda Y., Onishi M.//IEEE Trans. Nucl. Sci. – 2002. – Vol. 49. – P. 210. 3. Tanaka T., Kabayashi T., Mitani T., Nakaza- wa K., Oonuki K., Sato G., Takahashi T., Wata- nabe S.//New Astronomy Reviews. – 2004. – Vol. 48. – P. 309. 4. Kosyachenko L., Sklyarchuk V., Maslyanc- huk O., Grushko E., Gnatyatyuk V., Aoki T., Hatananaka. Y.//Pisma ZhTF. – 2006. – T. 32, Vyp. 24. – S. 29-36. 5. Striha V.I., Buzaneva E.V. Fizicheskie osnovy nadezhnosti kontaktov metall-poluprovodnik v integralnoj ‘elektronike//M. Radio i svyaz. – 1987. – C. 254. 6. Breza Yu., Venger E., Konakova R. Kudrik Ya., Litvin O., Litvin P., Milenin V.V.//Poverhnost. – T. 19-98, № 5. – S. 110-127. 7. Belyaev A.E., Boltovec N.S., Ivanov V.N i dr./ /FTP. – 2009. – T. 43, № 11. – C. 1468-1472. 8. Mirsagatov Sh.A., Shamirzaev S.H., Mahmu- dov M.A., Sadykov S.I.//Geliotehnika. – 1998. – № 5. – S. 20-25. 9. Aliev A., Mirsagatov Sh., Muzafarova S., Abdu- vajitov A.A.//Sb. trudov mezhdunar. konf. “Fundamentalnye i prikladnye voprosy fiziki” (Tashkent). – 2004. – S. 211-214. 10. Kognovickij C., Naschekin A., Sokolov R., Sosh- nikov I., Konnikov S.//Pisma v ZhTF. 2003. – T. 29, Vyp. 11. – S. 79-85. 11. Muzafarova C., Ajtbaev B., Mirsagatov Sh., Dur- shimbetov Zh., Zhanabergenov Zh.//FTP. – 2008. – T. 42, Vyp. 12. – S. 1409-1414. 12. American Society for Testing of Materials. ASTM-Powder diffraction tile search manner alphabetical listing and search section of frequ- ently Encountered phase’s inorganic. – USA, 1976. 13. Silvia Bonilla, EnriqueA. Dachiele A. Electro- chemical deposition and characterization of CdTe polycrystalline thin films//Thin solid films. – 1991. – T. 204, № 2. – Р. 397-403. 14. Compaon Bhat A., Tabory C., Liu S., Nquy- en M., Audinli A., Tsien L.H., Bohn R.G. Fab- rication of CdTe solar cells by laser-drivin phy- sical vapor deposition. Solar Cells. – 1991. – Vol. 30, № 1. – Р. 79-88. 15. Gil Yong Chung Sung Chan Park, Kurn Cuo, Byung Tae Aim. Electrical properties of CdTe films prepared by close-spaced sublimation with screen printed source layers//J. Appl. Phys. – 1995. – Vol. 78, № 9. – Р. 5493-5498. 16. Ormont B.F. Vvedenie v fiz. himiyu i kristallo- himiyu poluprovodnikov. – M.: Vysshaya shkola, 1968. – 203 s. 17. Ezhovskij Yu.K, Kalinkin I.P, Muraveva K.K, Aleksovskij V.B. Sintez epitaksialnyh plenok CdTe//Izvestiya ANSSSR. Neorganicheskie materialy. – 1973. – T. 9, № 7. – S. 1115-1120. 18. Kristallohimicheskie i fizicheskie svojstva polu- provodnikovyh veschestv. Spravochnik. – M.: Iz-vo standartov, 1973. – 102 s. 19. Fiziko-himicheskie svojstva okislov. Spravochnik/ Pod. red. Samsonova G.V. – M.: Metallurgiya, 1978. 20. Chadi D.J.//Appl. Phys. Lett.– 1991. – Vol. 59, No. 27. – P. 3589 . 21. Vinchell A.N. Opticheskie svojstva iskusstven- nyh mineralov/Per. s angl. – M.: Mir, 1972. – 526 c. 22. Zi S. Fizika poluprovodnikovyh priborov. T. 2. – M.: Mir, 1984. – 455 s. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОМЕЖУТОЧНЫХ СЛОЁВ ДИОДА С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ Al-pCdTe-Мо ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 1, vol. 10, No. 1
id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98933
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn	1999-8074
language	Russian
last_indexed	2025-12-07T15:43:39Z
publishDate	2012
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
record_format	dspace
spelling	Мирсагатов, Ш.А. Музафарова, С.А. Ачилов, А.С. Мовлонов, А.А. 2016-04-19T15:09:00Z 2016-04-19T15:09:00Z 2012 Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо / Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 78–84. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98933 53.043;53.023;539.234. В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ модификации Al₂O₃ и тонкий слой композитного материала c составом (С60)1-x-(СdTe)x с x ≥ 0.5. Общая толщина промежуточного слоя согласно емкостным и рентгеноструктурным измерениям составляет не более ~200 Å. Показано, что в структуре Al-pCdTe базовый материал, в основном, состоит из однородного слоя CdTe кубической модификации. У даній роботі досліджений проміжний шар у структурі бар’єра Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазний аналіз і фотоелектричний метод дослідження показали, що проміжний шар між Al і pCdTe досить складний за складом. У ньому є всі три α-β-γ модифікації Al₂O₃ і тонкий шар композитного матеріалу із складом (С60)1-x-(СdTe)x з x і 0.5. Загальна товщина проміжного шару відповідно до ємнісних і рентгеноструктурних вимірів становить не більше ~200 Å. Показано, що в структурі Al-pCdTe базовий матеріал, в основному, складається з однорідного шару CdTe кубічної модифікації. In the given work the intermediate layer in structure of barrier Шоттки Al-pCdTe is investigated. Рентгенофазный the analysis and a photo-electric method of research have shown, that the intermediate layer between Al and pCdTe is combined enough on structure. In it there are all three α-β-γ updatings Al₂O₃ and a thin layer of a composit material c structure (С60)1-х-(СdTe)x with x ≥ 0.5. The general thickness of an intermediate layer according to capacitor and roentgenostructuring to measurements makes no more than ∼200 Å. It is shown, that in structure Al-pCdTe a base material, basically, consists of homogeneous layer CdTe of cubic updating. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо Article published earlier
spellingShingle	Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо Мирсагатов, Ш.А. Музафарова, С.А. Ачилов, А.С. Мовлонов, А.А.
title	Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
title_full	Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
title_fullStr	Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
title_full_unstemmed	Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
title_short	Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
title_sort	исследование промежуточных слоёв диода с барьером шоттки al-pcdte-мо
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98933
work_keys_str_mv	AT mirsagatovša issledovaniepromežutočnyhsloevdiodasbarʹeromšottkialpcdtemo AT muzafarovasa issledovaniepromežutočnyhsloevdiodasbarʹeromšottkialpcdtemo AT ačilovas issledovaniepromežutočnyhsloevdiodasbarʹeromšottkialpcdtemo AT movlonovaa issledovaniepromežutočnyhsloevdiodasbarʹeromšottkialpcdtemo

Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо

Institution

Ähnliche Einträge