Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe.
 Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ
 модификации Al₂O₃ и тонкий с...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98933 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо / Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 78–84. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862679807359188992 |
|---|---|
| author | Мирсагатов, Ш.А. Музафарова, С.А. Ачилов, А.С. Мовлонов, А.А. |
| author_facet | Мирсагатов, Ш.А. Музафарова, С.А. Ачилов, А.С. Мовлонов, А.А. |
| citation_txt | Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо / Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 78–84. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe.
Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ
модификации Al₂O₃ и тонкий слой композитного материала c составом (С60)1-x-(СdTe)x с x ≥ 0.5. Общая толщина промежуточного слоя согласно емкостным и рентгеноструктурным
измерениям составляет не более ~200 Å. Показано, что в структуре Al-pCdTe базовый материал, в основном, состоит из однородного слоя CdTe кубической модификации.
У даній роботі досліджений проміжний шар у структурі бар’єра Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазний аналіз і фотоелектричний метод дослідження показали, що проміжний шар між Al і
pCdTe досить складний за складом. У ньому є всі три α-β-γ модифікації Al₂O₃ і тонкий шар
композитного матеріалу із складом (С60)1-x-(СdTe)x з x і 0.5. Загальна товщина проміжного
шару відповідно до ємнісних і рентгеноструктурних вимірів становить не більше ~200 Å. Показано, що в структурі Al-pCdTe базовий матеріал, в основному, складається з однорідного шару
CdTe кубічної модифікації.
In the given work the intermediate layer in structure of barrier Шоттки Al-pCdTe is investigated.
Рентгенофазный the analysis and a photo-electric method of research have shown, that the intermediate
layer between Al and pCdTe is combined enough on structure. In it there are all three α-β-γ updatings
Al₂O₃ and a thin layer of a composit material c structure (С60)1-х-(СdTe)x
with x ≥ 0.5. The general
thickness of an intermediate layer according to capacitor and roentgenostructuring to measurements
makes no more than ∼200 Å. It is shown, that in structure Al-pCdTe a base material, basically, consists
of homogeneous layer CdTe of cubic updating.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:43:39Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98933 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:43:39Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Мирсагатов, Ш.А. Музафарова, С.А. Ачилов, А.С. Мовлонов, А.А. 2016-04-19T15:09:00Z 2016-04-19T15:09:00Z 2012 Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо / Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 78–84. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98933 53.043;53.023;539.234. В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe.
 Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ
 модификации Al₂O₃ и тонкий слой композитного материала c составом (С60)1-x-(СdTe)x с x ≥ 0.5. Общая толщина промежуточного слоя согласно емкостным и рентгеноструктурным
 измерениям составляет не более ~200 Å. Показано, что в структуре Al-pCdTe базовый материал, в основном, состоит из однородного слоя CdTe кубической модификации. У даній роботі досліджений проміжний шар у структурі бар’єра Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазний аналіз і фотоелектричний метод дослідження показали, що проміжний шар між Al і
 pCdTe досить складний за складом. У ньому є всі три α-β-γ модифікації Al₂O₃ і тонкий шар
 композитного матеріалу із складом (С60)1-x-(СdTe)x з x і 0.5. Загальна товщина проміжного
 шару відповідно до ємнісних і рентгеноструктурних вимірів становить не більше ~200 Å. Показано, що в структурі Al-pCdTe базовий матеріал, в основному, складається з однорідного шару
 CdTe кубічної модифікації. In the given work the intermediate layer in structure of barrier Шоттки Al-pCdTe is investigated.
 Рентгенофазный the analysis and a photo-electric method of research have shown, that the intermediate
 layer between Al and pCdTe is combined enough on structure. In it there are all three α-β-γ updatings
 Al₂O₃ and a thin layer of a composit material c structure (С60)1-х-(СdTe)x
 with x ≥ 0.5. The general
 thickness of an intermediate layer according to capacitor and roentgenostructuring to measurements
 makes no more than ∼200 Å. It is shown, that in structure Al-pCdTe a base material, basically, consists
 of homogeneous layer CdTe of cubic updating. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо Мирсагатов, Ш.А. Музафарова, С.А. Ачилов, А.С. Мовлонов, А.А. |
| title | Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо |
| title_full | Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо |
| title_fullStr | Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо |
| title_full_unstemmed | Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо |
| title_short | Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо |
| title_sort | исследование промежуточных слоёв диода с барьером шоттки al-pcdte-мо |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98933 |
| work_keys_str_mv | AT mirsagatovša issledovaniepromežutočnyhsloevdiodasbarʹeromšottkialpcdtemo AT muzafarovasa issledovaniepromežutočnyhsloevdiodasbarʹeromšottkialpcdtemo AT ačilovas issledovaniepromežutočnyhsloevdiodasbarʹeromšottkialpcdtemo AT movlonovaa issledovaniepromežutočnyhsloevdiodasbarʹeromšottkialpcdtemo |