Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ модификации Al₂O₃ и тонкий слой композитного...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98933 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо / Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 78–84. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98933 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Мирсагатов, Ш.А. Музафарова, С.А. Ачилов, А.С. Мовлонов, А.А. 2016-04-19T15:09:00Z 2016-04-19T15:09:00Z 2012 Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо / Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 78–84. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98933 53.043;53.023;539.234. В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ модификации Al₂O₃ и тонкий слой композитного материала c составом (С60)1-x-(СdTe)x с x ≥ 0.5. Общая толщина промежуточного слоя согласно емкостным и рентгеноструктурным измерениям составляет не более ~200 Å. Показано, что в структуре Al-pCdTe базовый материал, в основном, состоит из однородного слоя CdTe кубической модификации. У даній роботі досліджений проміжний шар у структурі бар’єра Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазний аналіз і фотоелектричний метод дослідження показали, що проміжний шар між Al і pCdTe досить складний за складом. У ньому є всі три α-β-γ модифікації Al₂O₃ і тонкий шар композитного матеріалу із складом (С60)1-x-(СdTe)x з x і 0.5. Загальна товщина проміжного шару відповідно до ємнісних і рентгеноструктурних вимірів становить не більше ~200 Å. Показано, що в структурі Al-pCdTe базовий матеріал, в основному, складається з однорідного шару CdTe кубічної модифікації. In the given work the intermediate layer in structure of barrier Шоттки Al-pCdTe is investigated. Рентгенофазный the analysis and a photo-electric method of research have shown, that the intermediate layer between Al and pCdTe is combined enough on structure. In it there are all three α-β-γ updatings Al₂O₃ and a thin layer of a composit material c structure (С60)1-х-(СdTe)x with x ≥ 0.5. The general thickness of an intermediate layer according to capacitor and roentgenostructuring to measurements makes no more than ∼200 Å. It is shown, that in structure Al-pCdTe a base material, basically, consists of homogeneous layer CdTe of cubic updating. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо |
| spellingShingle |
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо Мирсагатов, Ш.А. Музафарова, С.А. Ачилов, А.С. Мовлонов, А.А. |
| title_short |
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо |
| title_full |
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо |
| title_fullStr |
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо |
| title_full_unstemmed |
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо |
| title_sort |
исследование промежуточных слоёв диода с барьером шоттки al-pcdte-мо |
| author |
Мирсагатов, Ш.А. Музафарова, С.А. Ачилов, А.С. Мовлонов, А.А. |
| author_facet |
Мирсагатов, Ш.А. Музафарова, С.А. Ачилов, А.С. Мовлонов, А.А. |
| publishDate |
2012 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| description |
В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe.
Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ
модификации Al₂O₃ и тонкий слой композитного материала c составом (С60)1-x-(СdTe)x с x ≥ 0.5. Общая толщина промежуточного слоя согласно емкостным и рентгеноструктурным
измерениям составляет не более ~200 Å. Показано, что в структуре Al-pCdTe базовый материал, в основном, состоит из однородного слоя CdTe кубической модификации.
У даній роботі досліджений проміжний шар у структурі бар’єра Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазний аналіз і фотоелектричний метод дослідження показали, що проміжний шар між Al і
pCdTe досить складний за складом. У ньому є всі три α-β-γ модифікації Al₂O₃ і тонкий шар
композитного матеріалу із складом (С60)1-x-(СdTe)x з x і 0.5. Загальна товщина проміжного
шару відповідно до ємнісних і рентгеноструктурних вимірів становить не більше ~200 Å. Показано, що в структурі Al-pCdTe базовий матеріал, в основному, складається з однорідного шару
CdTe кубічної модифікації.
In the given work the intermediate layer in structure of barrier Шоттки Al-pCdTe is investigated.
Рентгенофазный the analysis and a photo-electric method of research have shown, that the intermediate
layer between Al and pCdTe is combined enough on structure. In it there are all three α-β-γ updatings
Al₂O₃ and a thin layer of a composit material c structure (С60)1-х-(СdTe)x
with x ≥ 0.5. The general
thickness of an intermediate layer according to capacitor and roentgenostructuring to measurements
makes no more than ∼200 Å. It is shown, that in structure Al-pCdTe a base material, basically, consists
of homogeneous layer CdTe of cubic updating.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98933 |
| citation_txt |
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо / Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 78–84. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT mirsagatovša issledovaniepromežutočnyhsloevdiodasbarʹeromšottkialpcdtemo AT muzafarovasa issledovaniepromežutočnyhsloevdiodasbarʹeromšottkialpcdtemo AT ačilovas issledovaniepromežutočnyhsloevdiodasbarʹeromšottkialpcdtemo AT movlonovaa issledovaniepromežutočnyhsloevdiodasbarʹeromšottkialpcdtemo |
| first_indexed |
2025-12-07T15:43:39Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:43:39Z |
| _version_ |
1850864796130344960 |