Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe. Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ модификации Al₂O₃ и тонкий слой композитного...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98933 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо / Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 78–84. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Температурная зависимость обратной ветви ВАХ Al-p-CdTe-Mo структуры
за авторством: Ачилов, А.С., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ачилов, А.С., та інші
Опубліковано: (2015)
Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2014)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
за авторством: Кучинский, П.В., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Кучинский, П.В., та інші
Опубліковано: (2014)
Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2007)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
за авторством: Сапаев, И.Б., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Сапаев, И.Б., та інші
Опубліковано: (2014)
Изучение свойств контактов кремния с барьером Шоттки, изготовленных на основе аморфных и поликристаллических различных металлических сплавов
за авторством: Пашаев, И.Г.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Пашаев, И.Г.
Опубліковано: (2012)
Утроитель частоты на диодах с барьером Шоттки в приемнике 3-мм диапазона для исследований линий излучения атмосферных газов
за авторством: Подъячий, В.И.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Подъячий, В.И.
Опубліковано: (2015)
Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS
за авторством: Сапаев, И.Б., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Сапаев, И.Б., та інші
Опубліковано: (2015)
Точные константы в неравенствах для промежуточных производных
за авторством: Лунёв, А.А.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Лунёв, А.А.
Опубліковано: (2007)
Изучение деформационных эффектов в нанокристаллических фоточувствительных активированных тонких пленках p-CdTe
за авторством: Алимов, Н.Э., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Алимов, Н.Э., та інші
Опубліковано: (2016)
Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2018)
Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Направленность сверхизлучения из плазмы сильноточного импульсного плазменного диода
за авторством: Целуйко, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Целуйко, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2010)
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Радиационный пирометр с цифровой обработкой результатов промежуточных измерений
за авторством: Кондратов, В.Т., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Кондратов, В.Т., та інші
Опубліковано: (2003)
Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2011)
Моделювання комбінованого діода Шоттки
за авторством: Кісельов, Є.М.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Кісельов, Є.М.
Опубліковано: (2013)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством
за авторством: Ахмадалиев, Б.Ж., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ахмадалиев, Б.Ж., та інші
Опубліковано: (2010)
Application of CdTe (CdZnTe) detectors for radioactive waste characterization
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
О неравенствах для норм промежуточных производных на конечном интервале
за авторством: Бабенко, В.Ф., та інші
Опубліковано: (1995)
за авторством: Бабенко, В.Ф., та інші
Опубліковано: (1995)
Исследование радиационной стойкости детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe и CdZnTe
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2000)
Перспективы использования полупроводниковых материалов из CdTe (CdZnTe) при реконструкции АЭС Украины
за авторством: Грибанов, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Грибанов, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2000)
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
Критическое состояние в низкоразмерных сверхпроводниках с краевым барьером
за авторством: Айнбиндер, Р.М., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Айнбиндер, Р.М., та інші
Опубліковано: (2007)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Пленочные солнечные элементы ITO/SnO₂/CdS/CdTe/Cu/Au
за авторством: Хрипунов, Г.С., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Хрипунов, Г.С., та інші
Опубліковано: (2014)
Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2014)
Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2011)