Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Мирсагатов, Ш.А., Музафарова, С.А., Ачилов, А.С., Мовлонов, А.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98933
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо / Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова, А.С. Ачилов, А.А. Мовлонов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 78–84. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

В данной работе исследован промежуточный слой в структуре барьера Шоттки Al-pCdTe.
 Рентгенофазный анализ и фотоэлектрический метод исследования показали, что промежуточный слой между Al и pCdTe достаточно сложен по составу. В нем имеются все три α-β-γ
 модификации Al₂O₃ и тонкий с...