Дослідження дефектної структури фосфіду індію за ямками травлення

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2012
• ISSN: 1999-8074
• 1. Verfasser: Сичікова, Я.О.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98934
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Дослідження дефектної структури фосфіду індію за ямками травлення / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 85–89. — Бібліогр.: 7 назв. — укр.

В роботі встановлено вплив дефектів на пороутворення фосфіду індію, основні спостереження
 зроблено на основі аналізу ямок травлення, які утворюються під час електрохімічної обробки
 кристалу. Основний метод спостереження – растрова електронна мікроскопія, дозволив простежити дефектну структуру кристалу за формою та розміром ямок травлення. В работе установлено влияние дефектов на порообразование фосфида индия, основные наблюдения сделаны на основе анализа ямок травления, которые образовываются во время
 электрохимической обработки кристалла. Основной метод наблюдения – растровая электронная микроскопия, разрешил проследить дефектную структуру кристалла по форме и размером ямок травления. Influence of defects is in process set on порообразование of phosphide of indium, basic supervisions
 are done on the basis of analysis of fossils etch that appear during electrochemical treatment of
 crystal. Basic method of supervision – raster electronic microscopy, let to trace the imperfect structure
 of crystal in due form and measuring fossils of etch.