Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии
В работе получена по электрическому полю поправка к току, связанная с отсутствием центра инверсии кристалла, рассмотрен случай невырожденного электрического газа. Качественно статический расчет показано моделью асимметричных рассеивателей. Циркулярный фотогальванический эффект в этом расчете отсутс...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98936 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии / Н.Н. Чернышов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 96–100. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859827901000581120 |
|---|---|
| author | Чернышов, Н.Н. |
| author_facet | Чернышов, Н.Н. |
| citation_txt | Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии / Н.Н. Чернышов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 96–100. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | В работе получена по электрическому полю поправка к току, связанная с отсутствием центра инверсии кристалла, рассмотрен случай невырожденного электрического газа. Качественно статический расчет показано моделью асимметричных рассеивателей. Циркулярный фотогальванический эффект в этом расчете отсутствует и поле может считаться действительным. Поскольку решение задачи рассматривается за рамками борновского приближения, основанием является метод квантового кинетического управления. Вначале было получено кинетическое управление с учетом поправок к борновскому приближению, затем оно решалось итерациями по нечетному интегралу столкновений. Рассмотрение велось в произвольном порядке по электрическому полю.
У роботі отдержано за електричним полем поправку до струму, пов'язану з відсутністю центра інверсії кристала, розглянуто випадок не виродженого електричного газу. Якісно статичний розрахунок показано моделлю асиметричних розсіювачів. Циркулярний фотогальванічний ефект в цьому розрахунку відсутній і поле може вважатися дійсним. Оскільки рішення задачі розглядається за рамками Борновскі наближення, підставою є метод квантового кінетичного управління. Спочатку було отримано кінетичне управління з урахуванням поправок до борнове наближення, потім воно вирішувалося ітераціями по непарному інтегралу зіткнень. Розгляд велося в довільному порядку по електричному полю.
In work the amendment to a current, connected with absence of the center of inversion of a crystal is received on an electric field, the case not clear electric gas is considered. Qualitatively static calculation it is shown by model asymmetric the allocator. The circular photogalvanic effect in this calculation is absent also a field can be considered valid. As the decision of a problem is examined behind frameworks of the Born approximation, the basis is the method of the quantum kinetic equation. In the beginning the kinetic equation has been received in view of amendments to the Born approximation, then it was solved iterations on odd integral of collisions. Consideration was conducted in the any order on an electric field.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:30:46Z |
| format | Article |
| fulltext |
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98936 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:30:46Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Чернышов, Н.Н. 2016-04-19T15:18:28Z 2016-04-19T15:18:28Z 2012 Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии / Н.Н. Чернышов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 96–100. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98936 621.039.05 В работе получена по электрическому полю поправка к току, связанная с отсутствием центра инверсии кристалла, рассмотрен случай невырожденного электрического газа. Качественно статический расчет показано моделью асимметричных рассеивателей. Циркулярный фотогальванический эффект в этом расчете отсутствует и поле может считаться действительным. Поскольку решение задачи рассматривается за рамками борновского приближения, основанием является метод квантового кинетического управления. Вначале было получено кинетическое управление с учетом поправок к борновскому приближению, затем оно решалось итерациями по нечетному интегралу столкновений. Рассмотрение велось в произвольном порядке по электрическому полю. У роботі отдержано за електричним полем поправку до струму, пов'язану з відсутністю центра інверсії кристала, розглянуто випадок не виродженого електричного газу. Якісно статичний розрахунок показано моделлю асиметричних розсіювачів. Циркулярний фотогальванічний ефект в цьому розрахунку відсутній і поле може вважатися дійсним. Оскільки рішення задачі розглядається за рамками Борновскі наближення, підставою є метод квантового кінетичного управління. Спочатку було отримано кінетичне управління з урахуванням поправок до борнове наближення, потім воно вирішувалося ітераціями по непарному інтегралу зіткнень. Розгляд велося в довільному порядку по електричному полю. In work the amendment to a current, connected with absence of the center of inversion of a crystal is received on an electric field, the case not clear electric gas is considered. Qualitatively static calculation it is shown by model asymmetric the allocator. The circular photogalvanic effect in this calculation is absent also a field can be considered valid. As the decision of a problem is examined behind frameworks of the Born approximation, the basis is the method of the quantum kinetic equation. In the beginning the kinetic equation has been received in view of amendments to the Born approximation, then it was solved iterations on odd integral of collisions. Consideration was conducted in the any order on an electric field. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии Article published earlier |
| spellingShingle | Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии Чернышов, Н.Н. |
| title | Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии |
| title_full | Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии |
| title_fullStr | Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии |
| title_full_unstemmed | Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии |
| title_short | Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии |
| title_sort | теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98936 |
| work_keys_str_mv | AT černyšovnn teoriââvleniiperenosavélektričeskompoledlâkristallovbezcentrainversii |