Структурные исследования пленок оксида цинка и нитрида алюминия, полученных методами CVD и магнетронного распыления

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2012
• Автори: Погребняк, А.Д., Мухаммед, А.К.М., Иващенко, М.Н., Опанасюк, Н.Н., Суджанская, И.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98945
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Структурные исследования пленок оксида цинка и нитрида алюминия, полученных методами CVD и магнетронного распыления / А.Д. Погребняк, А.К.М. Мухаммед, М.Н. Иващенко, Н.Н. Опанасюк, И.В. Суджанская // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 177–182. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Исследованы структурные свойства и морфология поверхности пленок оксида цинка и нитрида алюминия. Установлено, что пленки формируются высокотекстурированными с хорошей адгезией к подложке. В результате рентгеноструктурных исследований определено, что данные пленки имели преимущественную текстуру роста (002). Также проведены экспериментальные исследования частотно-емкостной зависимости. Досліджені структурні властивості плівок оксиду цинку та нітриду алюмінію, їх морфологія поверхні. За результатами досліджень встановлено, що плівки формуються високотекстурованими з хорошою адгезією до підкладки. У результаті рентгеноструктурних досліджень визначено, що дані плівки мали переважну текстуру росту (002). Також проведені експериментальні дослідження частотно-ємнісноїзалежності. Were investigated structural properties of zinc oxide and aluminium nitride films, their surface morphology. As a result of investigations it was estimated that films were high-textured and had a well adhesion to substrate. As a result of X-ray investigations it was determined that these films had a preference texture as (002). There are also carried out experimental investigations of such characteristics, as frequency-capacity dependence.