Структурные исследования пленок оксида цинка и нитрида алюминия, полученных методами CVD и магнетронного распыления
Исследованы структурные свойства и морфология поверхности пленок оксида цинка и нитрида
 алюминия. Установлено, что пленки формируются высокотекстурированными с хорошей адгезией к подложке. В результате рентгеноструктурных исследований определено, что данные
 пленки имели преимуществ...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98945 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Структурные исследования пленок оксида цинка и нитрида алюминия, полученных методами CVD и магнетронного распыления / А.Д. Погребняк, А.К.М. Мухаммед, М.Н. Иващенко, Н.Н. Опанасюк, И.В. Суджанская // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 177–182. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860257612737544192 |
|---|---|
| author | Погребняк, А.Д. Мухаммед, А.К.М. Иващенко, М.Н. Опанасюк, Н.Н. Суджанская, И.В. |
| author_facet | Погребняк, А.Д. Мухаммед, А.К.М. Иващенко, М.Н. Опанасюк, Н.Н. Суджанская, И.В. |
| citation_txt | Структурные исследования пленок оксида цинка и нитрида алюминия, полученных методами CVD и магнетронного распыления / А.Д. Погребняк, А.К.М. Мухаммед, М.Н. Иващенко, Н.Н. Опанасюк, И.В. Суджанская // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 177–182. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Исследованы структурные свойства и морфология поверхности пленок оксида цинка и нитрида
алюминия. Установлено, что пленки формируются высокотекстурированными с хорошей адгезией к подложке. В результате рентгеноструктурных исследований определено, что данные
пленки имели преимущественную текстуру роста (002). Также проведены экспериментальные
исследования частотно-емкостной зависимости.
Досліджені структурні властивості плівок оксиду цинку та нітриду алюмінію, їх морфологія
поверхні. За результатами досліджень встановлено, що плівки формуються високотекстурованими з хорошою адгезією до підкладки. У результаті рентгеноструктурних досліджень визначено,
що дані плівки мали переважну текстуру росту (002). Також проведені експериментальні дослідження частотно-ємнісноїзалежності.
Were investigated structural properties of zinc oxide and aluminium nitride films, their surface morphology.
As a result of investigations it was estimated that films were high-textured and had a well adhesion
to substrate. As a result of X-ray investigations it was determined that these films had a preference
texture as (002). There are also carried out experimental investigations of such characteristics,
as frequency-capacity dependence.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:50:51Z |
| format | Article |
| fulltext |
177
ВВЕДЕНИЕ
Оксид цинка ZnO – это кристаллический ма-
териал [1 – 2], являющийся прямозонным по-
лупроводником n-типа, входящий в группу
соединений А2В6. Его ширина запрещенной
зоны при 300 К составляет ~3,3 эВ [2, 3, 4].
Данный материал обладает уникальными
электрофизическими свойствами, и, в связи
с этим, имеет большой потенциал примене-
ния при создании оптико-электронных уст-
ройств – солнечных батарей и жидкокристал-
лических дисплеев, фотодиодов и других
электронных устройств, в связи с высокой
проводимостью и прозрачностью в видимой
области спектра [2]. Цвет ZnO в зависимости
от отклонения от стехиометрии и наличия
различных примесей меняется от белого до
желто-зеленого. Плотность оксида цинка сос-
тавляет (5,6 ± 0,1) кг/см3 [5].
Одним из перспективных материалов по-
крытий является нитрид алюминия, так как
обладает диэлектрическими свойствами с
низким значением тангенса угла диэлектри-
ческих потерь, коэффициентом теплового рас-
ширения, соответствующим кремнию [6], что
делает возможным его применение для соз-
дания структур металл-диэлектрик-полупро-
водник [7], а также как защитные и ударостой-
кие покрытия с диэлектрическими свойст-
вами для некоторых элементов электрон-
ной техники. Ширина запрещенной зоны око-
ло 6 эВ делает возможным применение AlN
в качестве метериала для светодиодов в фио-
летовой и ультрафиолетовой области спектра.
УДК 538.975 (043.3)
СТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА И
НИТРИДА АЛЮМИНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДАМИ CVD
И МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ
А.Д. Погребняк, А.К.М. Мухаммед, М.Н. Иващенко,
Н.Н. Опанасюк, И.В. Суджанская1
Сумской государственный университет
Украина
1Белгородский национальный исследовательский университет
Россия
Поступила в редакцию 08.05.2012
Исследованы структурные свойства и морфология поверхности пленок оксида цинка и нитрида
алюминия. Установлено, что пленки формируются высокотекстурированными с хорошей адге-
зией к подложке. В результате рентгеноструктурных исследований определено, что данные
пленки имели преимущественную текстуру роста (002). Также проведены экспериментальные
исследования частотно-емкостной зависимости.
Ключевые слова: оксид цинка, нитрид алюминия, морфология, фрактограмма, структурные
свойства, полюсная плотность.
Досліджені структурні властивості плівок оксиду цинку та нітриду алюмінію, їх морфологія
поверхні. За результатами досліджень встановлено, що плівки формуються високотекстурова-
ними з хорошою адгезією до підкладки. У результаті рентгеноструктурних досліджень визначено,
що дані плівки мали переважну текстуру росту (002). Також проведені експериментальні дос-
лідження частотно-ємнісної залежності.
Ключові слова: оксид цинку, нітрид алюмінію, морфологія, фрактограма, структурні
властивості, полюсна густина
Were investigated structural properties of zinc oxide and aluminium nitride films, their surface mor-
phology. As a result of investigations it was estimated that films were high-textured and had a well ad-
hesion to substrate. As a result of X-ray investigations it was determined that these films had a prefe-
rence texture as (002). There are also carried out experimental investigations of such characteristics,
as frequency-capacity dependence.
Key words: zinc oxide, aluminium nitride, morphology, cross-section, structural properties, pole density.
А.Д. Погребняк, А.К.М. Мухаммед, М.Н. Иващенко, Н.Н. Опанасюк, И.В. Суджанская, 2012
ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 2, vol. 10, No. 2178
Существует большое количество способов
получения пленок оксида цинка: термическое
вакуумное испарение, испарение из газовой
фазы, магнетронное распыление, золь-гель
технология, метод химического осаждения
(CVD). Последний метод был выбран нами
потому, что благодаря своим технологичес-
ким особенностям позволяет получить хими-
чески чистые пленки с хорошо контролируе-
мой стехиометрией.
Так как структурные свойства пленок ок-
сида цинка в наше время изучены недоста-
точно, именно это и послужило стимулом к
дальнейшим нашим исследованиям.
МЕТОДИКА И ТЕХНИКА
ЭКСПЕРИМЕНТА
Пленки ZnO и ZnO:Al получали на стеклянных
подложках методом осаждения из паровой
фазы (CVD).
Установка для осаждения состоит из стек-
лянной кварцевой трубки диаметром 4 см и
длиной 60 см. Она закрыта с одной стороны
резиновой пробкой, покрытой алюминиевой
фольгой. К ней подведена стеклянная трубка,
являющаяся источником горячего пара, по-
падаваемого в установку. Другой конец трубки
закрыт стеклянным затвором, к которому под-
ведены две стеклянные трубки: одна – для вы-
хода отработанных газов, поступающих через
баллон с водой перед тем, как покинуть сис-
тему. Другая трубка подведена к установке для
осаждения, температура которой регулиру-
ется термопарой, соединенной с терморегули-
рующим элементом. Через отверстие в пробке
в рабочий объем введен держатель, задачей
которого является поддерживание подложек.
Для получения пленок чистого оксида цин-
ка методом химического парофазного осажде-
ния (CVD) на стеклянных и кремниевых под-
ложках, в качестве материала осаждения при-
менялся водный раствор ацетат цинка
Zn(CН3COO)2:2H2O, обладающий чистотой
98%. Уравнение, описывающее химические
реакции, протекающие при получении оксида
цинка имеет вид
Zn(CН3COO)2:2H2O → ZnO+ CO2+CH3+Пар.
(1)
Покрытия AlN формировались на подлож-
ках монокристаллического кремния КЭФ 4,5
с ориентацией плоскости (100) с использо-
ванием нефильтрованного вакуумно-дугового
источника на модернизированной установке
Булат-3Т. Перед нанесением в вакуумной ка-
мере установки Булат-3Т образцы подогре-
вались до температуры 700 °С в вакууме при
Р = 3⋅10-3 Па. После чего подогрев подложки
с образцами отключали и производили очис-
тку поверхности образцов ВЧ разрядом в
среде азота при UBЧ = 1000 В, РN = 2⋅10-1 Па,
время очистки составляло 10 мин. Покрытия
наносились из боковой мишени (катода), пу-
тем распыления (Al), в среде молекулярного
азота при Р = 0,7 Па, время осаждения –
4 мин., ток дуги 80 А, потенциал смещения
на положку подавался от ВЧ генератора (мощ-
ностью 12,5 кВт), значение его составляло
30 В, расстояние от подложки до испаряемой
мишени составляло 350 мм.
Исследование морфологии поверхности
производилось с использованием сканиру-
ющего зондового микроскопа NTEGRAAura.
Измерения диэлектрических свойств осущес-
твлялись на LCR-метре BR-2876, при этом на
поверхность исследуемого образца наноси-
лись контакты из серебра. Для определения
микротвердости использовался микротвер-
домер ДМ-8.
Рентгендифракционные исследования
структуры материала были выполнены на
автоматизированном дифрактометре ДРОН-
4-07 (НПП “Буревестник”, www.bourevest-
nik.spb.ru). Система автоматизации ДРОН-4-
07 основана на микропроцессорном контро-
лере, который обеспечивает управление го-
ниометром ГУР-9 и передачу данных в циф-
ровом виде на ПК.
При съемке использовалось излучение
CuKα (длина волны 0,154 нм), фокусировка
по Брэггу-Брентано ϑ – 2ϑ (2ϑ – брэгговский
угол). Значения тока и напряжения на рентге-
новской трубке составляли 20 мА и 40 кВ.
Съемка образцов проводилась в режиме не-
прерывной регистрации (скорость 1°/мин),
диапазон углов 2ϑ от 20° до 80°.
При фокусировке по Бреггу-Брентано,
фокус рентгеновской трубки и приемная щель
детектора расположены на окружности гони-
ометра, в центре которой находится плоский
образец. Регистрация дифракционной кар-
СТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА И НИТРИДА АЛЮМИНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДАМИ CVD ...
179
тины осуществляется при синхронном враще-
нии детектора и образца вокруг оси гонио-
метра. Угловая скорость вращения детектора
преобразуется блоком детектирования в элек-
трические импульсы, которые усиливаются и
далее используются в качестве информаци-
онного сигнала для измерения и регистрации
скорости импульсов рентгеновского излу-
чения.
Для всех образцов, содержащих фазу ZnO,
была проведена оценка текстуры по методу
Харриса. Полюсная плотность для линий
(002) (направление вдоль оси гексагональной
призмы) рассчитывалась по формуле
( )
( )
0
0
1
1
i i
i N
i i
i
I I
P
I I
N =
=
∑ , (2)
где Ii, I0i – интенсивности i-го дифракцион-
ного пика для образца и эталона (справочные/
табличные данные); N – количество линий
на рентгенограмме.
Экспериментальные результаты передава-
лись непосредственно в программный пакет
поддержки эксперимента DifWin-1 (ТОО
“Эталон ПТЦ”) для предварительной обра-
ботки. Идентификация кристаллических фаз
проводилась с помощью программного паке-
та CrystallographicaSearch-Match (Oxford
Cryosystems, www.crystallographica.co.uk) при
наложенных ограничениях на элементный
состав образца путем автоматического срав-
нения полученных результатов с карточками
базы данных PDF-2 с последующей ручной
выборкой.
РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
На рис. 1 приведены микрофотографии по-
верхности пленок оксида цинка, а также их
фрактограммы. Из рис. 1 видно, что при по-
вышении температуры конденсации размер
кристаллитов заметно увеличивается. Диф-
рактограммы демонстрируют изменение ме-
ханизма роста от послойного к столбчатому.
На рис. 2 приведена фрактограмма поверх-
ности пленки AlN на подложке из стекла и
морфология поверхности покрытия нитрида
алюминия, полученные на кремниевой под-
ложке.
а) б)
в) г)
д) е)
ё) ж)
Рис. 1. Морфология поверхности и фрактограммы пле-
нок ZnO при различных температурах конденсации,
Ts, К: 573 (а, б); 673 (в, г); 723 (д, е); 773 (ё, ж).
б)
Рис. 2. Фрактограмма пленки AlN, полученного на под-
ложке из стекла и морфология поверхности покрытия
нитрида алюминия на кремнии: а) – в режиме контраст-
ности (фазовый состав).
а)
ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 2, vol. 10, No. 2
А.Д. ПОГРЕБНЯК, А.К.М. МУХАММЕД, М.Н. ИВАЩЕНКО, Н.Н. ОПАНАСЮК, И.В. СУДЖАНСКАЯ
ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 2, vol. 10, No. 2180
Полученное изображение показывает, что
покрытие имеет столбчатую структуру [7].
Изображение морфологии поверхности по-
крытий нитрида алюминия показывает нано-
кристаллическую поверхность с размерами
зерен приблизительно 50 – 100 нм, при этом
высота нановыступов достигает 8 нм (рис. 3),
степень шероховатости – 1,3 нм.
Дифрактограммы от пленок оксида цинка
приведены на рис. 4. Их анализ свидетельс-
твует о том, что пленки ZnO имеют кристал-
лическую структуру типа вюрцит. Наиболее
интенсивным был пик отражения кристал-
лографической плоскости (002). Это сви-
детельствует о присутствии в пленках тек-
стуры.
В слоях ZnO с гексагональной структурой
расчеты полюсной плотности P(hkl) позво-
лили определить аксиальную текстуру роста
(002), что демонстрирует табл. 1.
Полученные результаты показывают
(рис. 5), что диэлектрическая проницаемость
уменьшается с 11,5 до 2,94 по мере увеличения
частоты от 50 Гц до 1 МГц, что связано с
ориентационной поляризацией диполей в
AlN [1].
Пик тангенса угла диэлектрических потерь
наблюдается при 10 кГц, достигая 0,39, что
также указывает на существование ориента-
ционной поляризации диполей [6].
Рис. 3. Топография поверхности покрытия нитрида алю-
миния на кремнии, полученная с использованием ска-
нирующего зондового микроскопа NTEGRAAura в 3D
формате.
Рис. 4. Дифрактограмма пленки оксида цинка, полу-
ченной при температуре 773 К.
Таблица 1
Исследование текстуры пленок
оксида цинка
Образец
ZnO
(PDF-2 №)
AlN
(PDF-2 №)
Полюсная плот-
ность для направ-
ления 002
573 К 80 – 74 87 – 1053 2,86
673 К 36 – 1451 25 – 1133 3,9
723 К 79 – 207 87 – 1053 3,36
773 К 79 – 2205 – 2,83
Рис. 5. Температурная зависимость полюсной плот-
ности пленок оксида цинка.
а)
СТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА И НИТРИДА АЛЮМИНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДАМИ CVD ...
181
Рис.7 демонстрирует довольно хорошую
корреляцию с результатами, приведенными
на рис. 6.
ВЫВОДЫ
Показано, что покрытие нитрида алюминия
имеет волокнистую структуру. Методом СЗМ
получено, что AlNх имеет нанокристалличе-
скую поверхность с размерами зерен при-
близительно 50 – 100 нм, при этом высота
нановыступов достигает 8 нм, степень ше-
роховатости – 1,3 нм. Установлено, что ди-
электрическая проницаемость AlNx покрытия
уменьшается с 11,5 до 2,94 по мере увеличе-
ния частоты с 50 Гц до 1 МГц. Пик тангенса
угла диэлектрических потерь наблюдается
при 10 кГц, достигая 0,39. Получено, что на-
несение покрытия нитрида алюминия при-
водит к упрочнению монокристаллического
кремния. Оксид цинка, в свою очередь, при
б)
Рис. 6. Зависимость емкости (С) AlN покрытия (а) и ди-
электрической проницаемости и тангенса диэлектри-
ческих потерь AlN (б) от частоты.
Рис. 7. Зависимость тангенса диэлектрических потерь
пленок оксида цинка от частоты.
повышении температуры подложки изменял
механизм роста от послойного к столбчатому.
В результате рентгенографических исследо-
ваний установлено, что пленки оксида цинка
во всех случаях имеют преимущественную
текстуру роста (002).
ЛИТЕРАТУРА
1. Опанасюк А.С. Структурні, електрофізичні та
оптичні властивості плівок А2В6 і гетеропе-
реходів на їх основі. Дис. докт. фіз.-мат. наук:
01.04.01. – Суми, Сумський державний уні-
верситет, 2011. – 378 с.
2. Petritz R.L. Theory of photoconductivity in se-
miconductor films//Phys. Rev. – 1956. – Vol. 104.
– P. 1508-1516.
3. Song D., Aberle A., Xia I. Optimisation of ZnO: Al
films by change of sputter gas pressure for solar
cell application//Appl. Surf. Sci. – 2003. –
Vol. 195, No. 3. – P. 291-296.
4. Pogrebnjak A.D., Jamil N.Y., Muhammed A.K.M.
Effects of Al Doping on The Stractural And Op-
tical Propertiese of ZnO Thin Film Deposited
by (CVD)//Visnyk KhNU. – 2011. – Vol. 962,
No. 15. – P. 58-62.
5. Kasap S., Capper P. The springer handbook of
electronic and photonic materials. – Berlin:
Springer, 2007. – 1406 p.
6. Bi Z.X., Zheng Y.D, Zhang R. Dielectric pro-
perties of AlN film on Si substrate//Journal of
Materials Science: Materials in electronics. –
2004. – Vol. 15. – P. 317-320.
7. Stafiniak D., Muszynska A., Szyszka. Properties
of AlNx thin films prepared by DC reactive mag-
netron sputtering//Optica Applicata. – 2009. –
Vol. 39, No. 4. – P. 717-722.
8. Pogrebnjak A.D., Jamil N.Y., Muhammed A.K.M.
Structural and optical properties of ZnO prepa-
red by CVD before and after annealing//Metal-
lofiz. Noveishie Tekhnol. – 2011. – Vol. 33. –
P. 235-241.
LITERATURA
1. Opanasyuk A.S. Strukturnі, elektrofіzichnі ta op-
tichnі vlastivostі plіvok A2V6 і geteroperehodіv
na ih osnovі. Dis. dokt. fіz.-mat. nauk: 01.04.01.
– Sumi, Sums’kij derzhavnij unіversitet, 2011. –
378 s.
2. Petritz R.L. Theory of photoconductivity in se-
miconductor films//Phys. Rev. – 1956. – Vol. 104.
– P. 1508-1516.
3. Song D., Aberle A., Xia I. Optimisation of ZnO: Al
films by change of sputter gas pressure for solar
ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 2, vol. 10, No. 2
А.Д. ПОГРЕБНЯК, А.К.М. МУХАММЕД, М.Н. ИВАЩЕНКО, Н.Н. ОПАНАСЮК, И.В. СУДЖАНСКАЯ
ФІП ФИП PSE, 2012, т. 10, № 2, vol. 10, No. 2182
cell application//Appl. Surf. Sci. – 2003. –
Vol. 195, No. 3. – P. 291-296.
4. Pogrebnjak A.D., Jamil N.Y., Muhammed A.K.M.
Effects of Al Doping on The Stractural And Op-
tical Propertiese of ZnO Thin Film Deposited
by (CVD)//Visnyk KhNU. – 2011. – Vol. 962,
No. 15. – P. 58-62.
5. Kasap S., Capper P. The springer handbook of
electronic and photonic materials. – Berlin: Spri-
nger, 2007. - 1406 p.
6. Bi Z.X., Zheng Y.D, Zhang R. Dielectric pro-
perties of AlN film on Si substrate//Journal of
Materials Science: Materials in electronics. –
2004. – Vol. 15. – P. 317-320.
7. Stafiniak D., Muszynska A., Szyszka. Properties
of AlNx thin films prepared by DC reactive mag-
netron sputtering//Optica Applicata. – 2009. –
Vol. 39, No. 4. – P. 717-722.
8. Pogrebnjak A.D., Jamil N.Y., Muhammed A.K.M.
Structural and optical properties of ZnO prepa-
red by CVD before and after annealing//Metal-
lofiz. Noveishie Tekhnol. – 2011. – Vol. 33. –
P. 235-241.
СТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА И НИТРИДА АЛЮМИНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДАМИ CVD ...
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98945 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:50:51Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Погребняк, А.Д. Мухаммед, А.К.М. Иващенко, М.Н. Опанасюк, Н.Н. Суджанская, И.В. 2016-04-19T15:38:28Z 2016-04-19T15:38:28Z 2012 Структурные исследования пленок оксида цинка и нитрида алюминия, полученных методами CVD и магнетронного распыления / А.Д. Погребняк, А.К.М. Мухаммед, М.Н. Иващенко, Н.Н. Опанасюк, И.В. Суджанская // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 177–182. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98945 538.975 (043.3) Исследованы структурные свойства и морфология поверхности пленок оксида цинка и нитрида
 алюминия. Установлено, что пленки формируются высокотекстурированными с хорошей адгезией к подложке. В результате рентгеноструктурных исследований определено, что данные
 пленки имели преимущественную текстуру роста (002). Также проведены экспериментальные
 исследования частотно-емкостной зависимости. Досліджені структурні властивості плівок оксиду цинку та нітриду алюмінію, їх морфологія
 поверхні. За результатами досліджень встановлено, що плівки формуються високотекстурованими з хорошою адгезією до підкладки. У результаті рентгеноструктурних досліджень визначено,
 що дані плівки мали переважну текстуру росту (002). Також проведені експериментальні дослідження частотно-ємнісноїзалежності. Were investigated structural properties of zinc oxide and aluminium nitride films, their surface morphology.
 As a result of investigations it was estimated that films were high-textured and had a well adhesion
 to substrate. As a result of X-ray investigations it was determined that these films had a preference
 texture as (002). There are also carried out experimental investigations of such characteristics,
 as frequency-capacity dependence. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Структурные исследования пленок оксида цинка и нитрида алюминия, полученных методами CVD и магнетронного распыления Article published earlier |
| spellingShingle | Структурные исследования пленок оксида цинка и нитрида алюминия, полученных методами CVD и магнетронного распыления Погребняк, А.Д. Мухаммед, А.К.М. Иващенко, М.Н. Опанасюк, Н.Н. Суджанская, И.В. |
| title | Структурные исследования пленок оксида цинка и нитрида алюминия, полученных методами CVD и магнетронного распыления |
| title_full | Структурные исследования пленок оксида цинка и нитрида алюминия, полученных методами CVD и магнетронного распыления |
| title_fullStr | Структурные исследования пленок оксида цинка и нитрида алюминия, полученных методами CVD и магнетронного распыления |
| title_full_unstemmed | Структурные исследования пленок оксида цинка и нитрида алюминия, полученных методами CVD и магнетронного распыления |
| title_short | Структурные исследования пленок оксида цинка и нитрида алюминия, полученных методами CVD и магнетронного распыления |
| title_sort | структурные исследования пленок оксида цинка и нитрида алюминия, полученных методами cvd и магнетронного распыления |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98945 |
| work_keys_str_mv | AT pogrebnâkad strukturnyeissledovaniâplenokoksidacinkainitridaalûminiâpolučennyhmetodamicvdimagnetronnogoraspyleniâ AT muhammedakm strukturnyeissledovaniâplenokoksidacinkainitridaalûminiâpolučennyhmetodamicvdimagnetronnogoraspyleniâ AT ivaŝenkomn strukturnyeissledovaniâplenokoksidacinkainitridaalûminiâpolučennyhmetodamicvdimagnetronnogoraspyleniâ AT opanasûknn strukturnyeissledovaniâplenokoksidacinkainitridaalûminiâpolučennyhmetodamicvdimagnetronnogoraspyleniâ AT sudžanskaâiv strukturnyeissledovaniâplenokoksidacinkainitridaalûminiâpolučennyhmetodamicvdimagnetronnogoraspyleniâ |