Низькорозмірні структури на поверхні фосфіду індію

В даній роботі продемонстровано можливість отримання надграток фосфіду індію, оксидних
 кристалітів на поверхні монокристалічного фосфіду індію, нанорозмірних структур In/InP по
 типу квантових точок. Дослідженняморфології даних структур дозволило зробити якісний аналіз
 проц...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2012
1. Verfasser: Сичікова, Я.О.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98946
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Низькорозмірні структури на поверхні фосфіду індію / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 183–190. — Бібліогр.: 9 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:В даній роботі продемонстровано можливість отримання надграток фосфіду індію, оксидних
 кристалітів на поверхні монокристалічного фосфіду індію, нанорозмірних структур In/InP по
 типу квантових точок. Дослідженняморфології даних структур дозволило зробити якісний аналіз
 процесу утворення нанорозмірних структур. В данной работе продемонстрирована возможность получения сверхрешеток фосфида индия,
 оксидных кристаллитов на поверхности монокристаллического фосфида, наноразмерных
 структур In/InP по типу квантовых точек. Исследование морфологии данных структур позволило
 сделать качественный анализ процесса получения наноструктур. In this paper the ability of obtaining InP supertattices, oxide crystallites on the surface of single-crystal
 indium phosphide, nanoscale structures In/InP type of quantum dots. Investigation of the morphology
 of this structures allowed to make good analysis of the nanoscale structures.
ISSN:1999-8074