Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Кирилаш, А.И., Симченко, С.В., Кидалов, В.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98961
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия / А.И. Кирилаш, С.В. Симченко, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 217–220. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Исследовано применение пористых слоев арсенида галлия в качестве антиотражающего покрытия для солнечных элементов. С помощью пористых слоев удалось снизить поверхностное отражение, расширить диапазон спектральной чувствительности и тем самым получить возрастание тока короткого замыкания фотопреобразователей на основе арсенида галлия. Досліджено використання поруватого шару арсеніду галію в якості антивідбиттєвого покриття для сонячних елементів. За допомогою поруватих шарів удалося зменшити поверхневе відбиття, розширити діапазон спектральної чутливості та тим самим отримати зростання струму короткого замикання фотоперетворювачів на основі арсеніду галію. Investigated the use of porous layers of gallium arsenide as the anti-reflective coatings for solar cells. With the help of porous layers could reduce the surface reflection, and a increase in short circuit current of solar cells.