Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия

Исследовано применение пористых слоев арсенида галлия в качестве антиотражающего покрытия для солнечных элементов. С помощью пористых слоев удалось снизить поверхностное
 отражение, расширить диапазон спектральной чувствительности и тем самым получить возрастание тока короткого замыкания фот...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физическая инженерия поверхности
Date:2012
Main Authors: Кирилаш, А.И., Симченко, С.В., Кидалов, В.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98961
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия / А.И. Кирилаш, С.В. Симченко, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 217–220. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862591186621956096
author Кирилаш, А.И.
Симченко, С.В.
Кидалов, В.В.
author_facet Кирилаш, А.И.
Симченко, С.В.
Кидалов, В.В.
citation_txt Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия / А.И. Кирилаш, С.В. Симченко, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 217–220. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физическая инженерия поверхности
description Исследовано применение пористых слоев арсенида галлия в качестве антиотражающего покрытия для солнечных элементов. С помощью пористых слоев удалось снизить поверхностное
 отражение, расширить диапазон спектральной чувствительности и тем самым получить возрастание тока короткого замыкания фотопреобразователей на основе арсенида галлия. Досліджено використання поруватого шару арсеніду галію в якості антивідбиттєвого покриття
 для сонячних елементів. За допомогою поруватих шарів удалося зменшити поверхневе відбиття,
 розширити діапазон спектральної чутливості та тим самим отримати зростання струму короткого замикання фотоперетворювачів на основі арсеніду галію. Investigated the use of porous layers of gallium arsenide as the anti-reflective coatings for solar cells.
 With the help of porous layers could reduce the surface reflection, and a increase in short circuit
 current of solar cells.
first_indexed 2025-11-27T06:52:28Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98961
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1999-8074
language Russian
last_indexed 2025-11-27T06:52:28Z
publishDate 2012
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
record_format dspace
spelling Кирилаш, А.И.
Симченко, С.В.
Кидалов, В.В.
2016-04-19T16:40:37Z
2016-04-19T16:40:37Z
2012
Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия / А.И. Кирилаш, С.В. Симченко, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 217–220. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98961
621.315.592; 537.529
Исследовано применение пористых слоев арсенида галлия в качестве антиотражающего покрытия для солнечных элементов. С помощью пористых слоев удалось снизить поверхностное
 отражение, расширить диапазон спектральной чувствительности и тем самым получить возрастание тока короткого замыкания фотопреобразователей на основе арсенида галлия.
Досліджено використання поруватого шару арсеніду галію в якості антивідбиттєвого покриття
 для сонячних елементів. За допомогою поруватих шарів удалося зменшити поверхневе відбиття,
 розширити діапазон спектральної чутливості та тим самим отримати зростання струму короткого замикання фотоперетворювачів на основі арсеніду галію.
Investigated the use of porous layers of gallium arsenide as the anti-reflective coatings for solar cells.
 With the help of porous layers could reduce the surface reflection, and a increase in short circuit
 current of solar cells.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
Article
published earlier
spellingShingle Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
Кирилаш, А.И.
Симченко, С.В.
Кидалов, В.В.
title Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
title_full Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
title_fullStr Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
title_full_unstemmed Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
title_short Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
title_sort фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98961
work_keys_str_mv AT kirilašai fotoélektričeskiepreobrazovatelinaosnoveporistogoarsenidagalliâ
AT simčenkosv fotoélektričeskiepreobrazovatelinaosnoveporistogoarsenidagalliâ
AT kidalovvv fotoélektričeskiepreobrazovatelinaosnoveporistogoarsenidagalliâ