Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
Исследовано применение пористых слоев арсенида галлия в качестве антиотражающего покрытия для солнечных элементов. С помощью пористых слоев удалось снизить поверхностное
 отражение, расширить диапазон спектральной чувствительности и тем самым получить возрастание тока короткого замыкания фот...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98961 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия / А.И. Кирилаш, С.В. Симченко, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 217–220. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862591186621956096 |
|---|---|
| author | Кирилаш, А.И. Симченко, С.В. Кидалов, В.В. |
| author_facet | Кирилаш, А.И. Симченко, С.В. Кидалов, В.В. |
| citation_txt | Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия / А.И. Кирилаш, С.В. Симченко, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 217–220. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Исследовано применение пористых слоев арсенида галлия в качестве антиотражающего покрытия для солнечных элементов. С помощью пористых слоев удалось снизить поверхностное
отражение, расширить диапазон спектральной чувствительности и тем самым получить возрастание тока короткого замыкания фотопреобразователей на основе арсенида галлия.
Досліджено використання поруватого шару арсеніду галію в якості антивідбиттєвого покриття
для сонячних елементів. За допомогою поруватих шарів удалося зменшити поверхневе відбиття,
розширити діапазон спектральної чутливості та тим самим отримати зростання струму короткого замикання фотоперетворювачів на основі арсеніду галію.
Investigated the use of porous layers of gallium arsenide as the anti-reflective coatings for solar cells.
With the help of porous layers could reduce the surface reflection, and a increase in short circuit
current of solar cells.
|
| first_indexed | 2025-11-27T06:52:28Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98961 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T06:52:28Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кирилаш, А.И. Симченко, С.В. Кидалов, В.В. 2016-04-19T16:40:37Z 2016-04-19T16:40:37Z 2012 Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия / А.И. Кирилаш, С.В. Симченко, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 217–220. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98961 621.315.592; 537.529 Исследовано применение пористых слоев арсенида галлия в качестве антиотражающего покрытия для солнечных элементов. С помощью пористых слоев удалось снизить поверхностное
 отражение, расширить диапазон спектральной чувствительности и тем самым получить возрастание тока короткого замыкания фотопреобразователей на основе арсенида галлия. Досліджено використання поруватого шару арсеніду галію в якості антивідбиттєвого покриття
 для сонячних елементів. За допомогою поруватих шарів удалося зменшити поверхневе відбиття,
 розширити діапазон спектральної чутливості та тим самим отримати зростання струму короткого замикання фотоперетворювачів на основі арсеніду галію. Investigated the use of porous layers of gallium arsenide as the anti-reflective coatings for solar cells.
 With the help of porous layers could reduce the surface reflection, and a increase in short circuit
 current of solar cells. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия Article published earlier |
| spellingShingle | Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия Кирилаш, А.И. Симченко, С.В. Кидалов, В.В. |
| title | Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия |
| title_full | Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия |
| title_fullStr | Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия |
| title_full_unstemmed | Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия |
| title_short | Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия |
| title_sort | фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98961 |
| work_keys_str_mv | AT kirilašai fotoélektričeskiepreobrazovatelinaosnoveporistogoarsenidagalliâ AT simčenkosv fotoélektričeskiepreobrazovatelinaosnoveporistogoarsenidagalliâ AT kidalovvv fotoélektričeskiepreobrazovatelinaosnoveporistogoarsenidagalliâ |