Фототранзистор составной на полевых транзисторах
Экспериментально установлено, что в составном полевом транзисторе, где сток первого транзистора соединен со стоком второго транзистора, а исток присоединен к затвору с последовательно соединенным резистором, при освещении канала стокового транзистора ток инжекции через переход затвора увеличивается...
Saved in:
| Date: | 2012 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Series: | Физическая инженерия поверхности |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98963 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Фототранзистор составной на полевых транзисторах / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Б.М. Каманов, Ф.А. Гиясова // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 226–229. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Экспериментально установлено, что в составном полевом транзисторе, где сток первого транзистора соединен со стоком второго транзистора, а исток присоединен к затвору с последовательно соединенным резистором, при освещении канала стокового транзистора ток инжекции
через переход затвора увеличивается за счет генерированных фотоносителей, что и приводит
к увеличению тока стока. В случае возбуждения затворного транзистора фотогенерированные
в p-n-переходе затвора неосновные носители приводят к падению напряжения на резисторе. В
результате осуществляется добавка напряжения к затвору стокового транзистора, что приводит
к уменьшению тока стока. Такой составной полевой транзистор может быть использован в
оптических переключателях. |
|---|