Фототранзистор составной на полевых транзисторах
Экспериментально установлено, что в составном полевом транзисторе, где сток первого транзистора соединен со стоком второго транзистора, а исток присоединен к затвору с последовательно соединенным резистором, при освещении канала стокового транзистора ток инжекции
 через переход затвора увели...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98963 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Фототранзистор составной на полевых транзисторах / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Б.М. Каманов, Ф.А. Гиясова // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 226–229. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862552003532554240 |
|---|---|
| author | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Каманов, Б.М. Гиясова, Ф.А. |
| author_facet | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Каманов, Б.М. Гиясова, Ф.А. |
| citation_txt | Фототранзистор составной на полевых транзисторах / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Б.М. Каманов, Ф.А. Гиясова // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 226–229. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Экспериментально установлено, что в составном полевом транзисторе, где сток первого транзистора соединен со стоком второго транзистора, а исток присоединен к затвору с последовательно соединенным резистором, при освещении канала стокового транзистора ток инжекции
через переход затвора увеличивается за счет генерированных фотоносителей, что и приводит
к увеличению тока стока. В случае возбуждения затворного транзистора фотогенерированные
в p-n-переходе затвора неосновные носители приводят к падению напряжения на резисторе. В
результате осуществляется добавка напряжения к затвору стокового транзистора, что приводит
к уменьшению тока стока. Такой составной полевой транзистор может быть использован в
оптических переключателях.
Експериментально встановлено, що в складеному польовому транзисторі, де стік першого транзистора з’єднаний зі стоком другого транзистора, а джерело приєднане до затвору з послідовно
з’єднаним резистором, при освітленні каналу стокового транзистора струм інжекції через перехід
затвора збільшується за рахунок генерованих фотоносіїв, що й призводить до збільшення струму
стоку. У випадку порушення затворного транзистора фотогенеровані в p-n-переході затвору
неосновні носії призводять до спадання напруги на резисторі. У результатіздійснюється додання
напруги до затвору стокового транзистора, що призводить до зменшення струму стоку. Такий
складений польовий транзистор може бути використаний в оптичних перемикачах.
Experimentally is established that in the compound field-effect transistor, where the drain of the first
transistor is connected to the drain of the second transistor, a source is connected to the gate with a
resistor which is connected in series, in light of the transistor channel injection current through the gate
junction increases due to the generated photocarriers, which leads to an increase in drain current. In
the case of excitation of the gate transistor photogenerated in the p-n-junction minority carriers leads
to a voltage drop across the resistor. In the result a voltage is added to the gate of the transistor in the
drain, which reduces the drain current. Such a compound field-effect transistor can be used in optical
switches.
|
| first_indexed | 2025-11-25T21:02:24Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98963 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T21:02:24Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Каманов, Б.М. Гиясова, Ф.А. 2016-04-19T16:42:22Z 2016-04-19T16:42:22Z 2012 Фототранзистор составной на полевых транзисторах / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Б.М. Каманов, Ф.А. Гиясова // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 226–229. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98963 621.383.52:535.243 Экспериментально установлено, что в составном полевом транзисторе, где сток первого транзистора соединен со стоком второго транзистора, а исток присоединен к затвору с последовательно соединенным резистором, при освещении канала стокового транзистора ток инжекции
 через переход затвора увеличивается за счет генерированных фотоносителей, что и приводит
 к увеличению тока стока. В случае возбуждения затворного транзистора фотогенерированные
 в p-n-переходе затвора неосновные носители приводят к падению напряжения на резисторе. В
 результате осуществляется добавка напряжения к затвору стокового транзистора, что приводит
 к уменьшению тока стока. Такой составной полевой транзистор может быть использован в
 оптических переключателях. Експериментально встановлено, що в складеному польовому транзисторі, де стік першого транзистора з’єднаний зі стоком другого транзистора, а джерело приєднане до затвору з послідовно
 з’єднаним резистором, при освітленні каналу стокового транзистора струм інжекції через перехід
 затвора збільшується за рахунок генерованих фотоносіїв, що й призводить до збільшення струму
 стоку. У випадку порушення затворного транзистора фотогенеровані в p-n-переході затвору
 неосновні носії призводять до спадання напруги на резисторі. У результатіздійснюється додання
 напруги до затвору стокового транзистора, що призводить до зменшення струму стоку. Такий
 складений польовий транзистор може бути використаний в оптичних перемикачах. Experimentally is established that in the compound field-effect transistor, where the drain of the first
 transistor is connected to the drain of the second transistor, a source is connected to the gate with a
 resistor which is connected in series, in light of the transistor channel injection current through the gate
 junction increases due to the generated photocarriers, which leads to an increase in drain current. In
 the case of excitation of the gate transistor photogenerated in the p-n-junction minority carriers leads
 to a voltage drop across the resistor. In the result a voltage is added to the gate of the transistor in the
 drain, which reduces the drain current. Such a compound field-effect transistor can be used in optical
 switches. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Фототранзистор составной на полевых транзисторах Article published earlier |
| spellingShingle | Фототранзистор составной на полевых транзисторах Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Каманов, Б.М. Гиясова, Ф.А. |
| title | Фототранзистор составной на полевых транзисторах |
| title_full | Фототранзистор составной на полевых транзисторах |
| title_fullStr | Фототранзистор составной на полевых транзисторах |
| title_full_unstemmed | Фототранзистор составной на полевых транзисторах |
| title_short | Фототранзистор составной на полевых транзисторах |
| title_sort | фототранзистор составной на полевых транзисторах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98963 |
| work_keys_str_mv | AT karimovav fototranzistorsostavnoinapolevyhtranzistorah AT edgorovadm fototranzistorsostavnoinapolevyhtranzistorah AT abdulhaevoa fototranzistorsostavnoinapolevyhtranzistorah AT kamanovbm fototranzistorsostavnoinapolevyhtranzistorah AT giâsovafa fototranzistorsostavnoinapolevyhtranzistorah |