Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2012
• Main Authors: Абдулхаев, О.А., Гиясова, Ф.А., Ёдгорова, Д.М., Каманов, Б.М., Каримов, А.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98964
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения / О.А. Абдулхаев, Ф.А. Гиясова, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 230–235. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Проведены исследования функциональных характеристик полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах и схемах включения. Экспериментально установлено, что максимальные значения токов стока при соединении двух транзисторов от интенсивности излучения изменяются по квадратичному закону, а фоточувствительность становится больше по сравнению с дискретной структурой. При этом максимальные значения
 токов стока соответствующие световым токам дискретных транзисторов от прямосмещающего напряжения изменяются по квадратичному закону и являются продолжением темновой
 передаточной характеристики, что делает возможным их использование в качестве фотоприемников в электронных схемах. В последовательно соединенных полевых транзисторах
 модулируемый переход, как и в двухбарьерных структурах, управляет параметрами второго
 перехода за счет перераспределения напряжения приложенного от внешнего источника питания. Проведено дослідження функціональних характеристик польового транзистора з керуючим
 р-n-переходом при різних режимах і схемах включення. Експериментально встановлено, що
 максимальні значення струмів стоку при сполуці двох транзисторів від інтенсивності випромінювання змінюються за квадратичним законом, а фоточутливість стає більшою в порівнянні, с дискретною структурою. При цьому максимальнізначення струмів стоку відповідним
 світловим струмам дискретних транзисторів від прямозміщеної напруги змінюються за квадратичним законом і є продовженням темнової передатної характеристики, що уможливлює їхнє використання як фотоприймачів у електронних схемах. У послідовно з’єднаних польових
 транзисторах моделюючий перехід, як і у двохбар’єрних структурах, управляє параметрами
 другого переходу за рахунок перерозподілу напруги прикладеного від зовнішнього джерела
 живлення. The functional characteristics of junction field-effect transistor were researched at different bias
 polarities and schemes of inclusion. It was established experimentally that the maximum value of
 drain current when two transistors were connected varies in a quadratic law with the radiation intensity,
 and photosensitivity becomes more than in a discrete structure. In this case the maximum values of
 drain current corresponding to the light currents of discrete transistors by forward voltage vary in a
 quadratic law and they are a continuation of the transfer characteristics in dark, which makes possible
 their use as photodetectors in electronic circuits. In the series-connected field-effect transistors
 modulated junction, as in the two-barrier structures, controls the parameters of the second junction
 due to redistribution of the voltage applied from an external power source.